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公开(公告)号：CN110780468B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN201910694193.8
申请日：2019-07-30
Applicant: 富士通光器件株式会社
Abstract: 本发明提供光调制器、光调制器模块和光发送器模块。该光调制器包括：脊型光波导，该光波导由具有光电效应的介电材料薄膜在衬底上形成；缓冲层，该缓冲层覆盖所述光波导；和信号电极，该信号电极经由所述缓冲层设置在所述光波导上，其中，所述信号电极的宽度大于所述光波导的脊宽度，并且其中，所述信号电极覆盖所述光波导的脊的至少一个侧壁。
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公开(公告)号：CN104914511A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510087038.1
申请日：2015-02-25
Applicant: 富士通光器件株式会社
IPC: G02B6/34
CPC classification number: H04B10/501 , G02B6/34 , G02F2001/133607 , H04B10/506 , H04B10/572 , H04J14/06
Abstract: 光发送装置。基板是第一光调制器和第二光调制器沿着宽度方向并排布置的基板。第一棱镜使通过第一光调制器调制第一波长的光而获得的第一输出光和第二输出光的光路沿着基板的宽度方向朝第二光调制器的相反侧移动。第二棱镜沿着基板的长度方向布置在远离第一棱镜的位置处，并且使通过第二光调制器调制第二波长的光而获得的第三输出光和第四输出光的光路沿着基板的宽度方向朝第一光调制器的相反侧移动。
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公开(公告)号：CN115586664A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210615396.5
申请日：2022-06-01
Applicant: 富士通光器件株式会社
Abstract: 本申请涉及光器件和光通信装置。一种光器件包括薄膜铌酸锂(LN)层、第一光波导和第二光波导。薄膜LN层是X切或Y切LN层。第一光波导是沿与薄膜LN层的晶轴的Z方向基本上垂直的方向形成在薄膜LN层上的光波导。第二光波导是被路由并连接到第一光波导的光波导。第一光波导的芯部的至少一部分被制成比第二光波导的芯部厚。
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公开(公告)号：CN114077009A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110677479.2
申请日：2021-06-18
Applicant: 富士通光器件株式会社
Abstract: 光波导器件。一种光波导器件，该光波导器件包括：中间层、包括X‑切割铌酸锂的薄膜LN层和缓冲层，该中间层、包括X‑切割铌酸锂的该薄膜LN层和该缓冲层层叠在基板上；光波导，该光波导形成在所述薄膜LN层中；以及电极，该电极用于驱动。所述中间层由上部的第一中间层和下部的第二中间层形成，所述第二中间层的介电常数小于所述第一中间层的介电常数。
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公开(公告)号：CN110780468A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910694193.8
申请日：2019-07-30
Applicant: 富士通光器件株式会社
Abstract: 本发明提供光调制器、光调制器模块和光发送器模块。该光调制器包括：脊型光波导，该光波导由具有光电效应的介电材料薄膜在衬底上形成；缓冲层，该缓冲层覆盖所述光波导；和信号电极，该信号电极经由所述缓冲层设置在所述光波导上，其中，所述信号电极的宽度大于所述光波导的脊宽度，并且其中，所述信号电极覆盖所述光波导的脊的至少一个侧壁。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN116149087A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211272738.4
申请日：2022-10-18
Applicant: 富士通光器件株式会社
Abstract: 一种光器件包括基板、层压在基板的一个表面上的第一包覆层、以及形成在第一包覆层中的位于基板的相对侧的第一包覆层中的第一光波导。该光器件还包括层压在第一包覆层的位于基板的相对侧的表面上的电光晶体层以及在电光晶体层的位于第一包覆层的相对侧的表面上由电光晶体层形成的第二光波导。该光器件还包括层压在电光晶体层的位于第一包覆层的相对侧的表面上的第二包覆层。
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公开(公告)号：CN114077009B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202110677479.2
申请日：2021-06-18
Applicant: 富士通光器件株式会社
Abstract: 光波导器件。一种光波导器件，该光波导器件包括：中间层、包括X‑切割铌酸锂的薄膜LN层和缓冲层，该中间层、包括X‑切割铌酸锂的该薄膜LN层和该缓冲层层叠在基板上；光波导，该光波导形成在所述薄膜LN层中；以及电极，该电极用于驱动。所述中间层由上部的第一中间层和下部的第二中间层形成，所述第二中间层的介电常数小于所述第一中间层的介电常数。
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公开(公告)号：CN113721377A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110215316.2
申请日：2021-02-25
Applicant: 富士通光器件株式会社
IPC: G02F1/035
Abstract: 光调制器及其制造方法。在所述光调制器中光信号从封装的一侧输入，所述光调制器在所述封装中包括对所述光信号进行光调制的芯片，在所述芯片中所述光信号的输入波导和输出波导被引导到彼此不同的目的地，所述目的地分别是所述芯片的面向所述封装的所述一侧的一端和所述芯片的与所述芯片的所述一端正交的侧表面；耦合到所述芯片的输入波导的输入光学系统；以及耦合到所述芯片的输出波导的输出光学系统。
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