公开(公告)号：CN100447897C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN03152662.4

申请日：2003-08-05

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 中川佑之

IPC: G11C11/401 ,  G11C29/00

CPC classification number: G11C29/50016 ,  G11C11/401 ,  G11C11/406 ,  G11C11/40615 ,  G11C29/46

Abstract: 本发明提供一种用于容易地和精确地评估器件的半导体储存器及其测试方法。该储存器具有第一存取模式和第二存取模式。该储存器包括转变检测信号发生电路(20)，以合成输入信号和产生用于进入第一存取模式的第一入口信号(mtds)。控制电路(27)响应第一入口信号产生第一模式触发信号(rw-start)，还接收用于进入第二存取模式的第二入口信号(ref-req)和响应第二入口信号产生第二模式触发信号(ref-start)。代码发生电路(30)连接到转变检测信号发生电路以产生选择控制信号(en-code)。转变检测信号发生电路根据选择控制信号以选择方式逻辑地合成输入信号以产生第一入口信号。