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公开(公告)号：CN1689078A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN03824259.1
申请日：2003-02-20
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： B32B1/00 , G11B5/65 , G11B5/667 , G11B5/7325
摘要： 非磁性取向控制层(37)铺于磁性取向控制层(36)的表面上，包括互相毗邻的晶粒。磁性记录层(38)铺于非磁性取向控制层(37)的表面上，包括从非磁性取向控制层(37)中各晶粒生长得到的晶粒。基于磁性和非磁性取向控制层(36、37)的影响，在磁性记录层(38)中的晶粒中可建立均匀的取向。与单独使用非磁性取向控制层(37)来控制磁性记录层(38)中的晶向的情形相比，能可靠地控制磁性记录层(38)中的晶向。无需增加非磁性取向控制层(37)的厚度就能够实现可靠地建立均匀的晶向。垂直磁性记录介质在电磁转换特性上具有更高的性能。
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公开(公告)号：CN100373457C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN03824259.1
申请日：2003-02-20
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： B32B1/00 , G11B5/65 , G11B5/667 , G11B5/7325
摘要： 非磁性取向控制层(37)铺于磁性取向控制层(36)的表面上，包括互相毗邻的晶粒。磁性记录层(38)铺于非磁性取向控制层(37)的表面上，包括从非磁性取向控制层(37)中各晶粒生长得到的晶粒。基于磁性和非磁性取向控制层(36、37)的影响，在磁性记录层(38)中的晶粒中可建立均匀的取向。与单独使用非磁性取向控制层(37)来控制磁性记录层(38)中的晶向的情形相比，能可靠地控制磁性记录层(38)中的晶向。无需增加非磁性取向控制层(37)的厚度就能够实现可靠地建立均匀的晶向。垂直磁性记录介质在电磁转换特性上具有更高的性能。
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公开(公告)号：CN100440324C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN03827149.4
申请日：2003-09-30
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： G11B5/667 , G11B5/7325
摘要： 垂直磁记录介质由基板和在基板上层压的各层构成，即，在基板上顺序层压软磁性内层、种子层、磁通狭缝层、非磁性中间层、记录层、保护膜、以及润滑层，磁通狭缝层13具有大致柱状结构的软磁性粒子，该软磁性粒子具有非磁性部分的边界部，使来自记录磁头的磁通只狭窄到软磁性粒子的部分，从而抑制磁通的扩散。另外，展示了将磁通狭缝层设在记录层上的垂直磁记录介质。
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公开(公告)号：CN1839429A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN03827149.4
申请日：2003-09-30
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： G11B5/667 , G11B5/7325
摘要： 垂直磁记录介质由基板和在基板上层压的各层构成，即，在基板上顺序层压软磁性内层、种子层、磁通狭缝层、非磁性中间层、记录层、保护膜、以及润滑层，磁通狭缝层13具有大致柱状结构的软磁性粒子，该软磁性粒子具有非磁性部分的边界部，使来自记录磁头的磁通只狭窄到软磁性粒子的部分，从而抑制磁通的扩散。另外，展示了将磁通狭缝层设在记录层上的垂直磁记录介质。
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