-
公开(公告)号：CN101046979A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610107501.5
申请日：2006-07-27
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 根据本发明，提供了一种磁记录介质10，其包括：非磁性的基底1；形成于该非磁性基底1上的非磁性衬层3；形成于该非磁性衬层3上的第一记录层4，第一记录层4具有垂直磁各向异性，其各向异性磁场为Hk1，厚度为t1，且饱和磁化强度为Ms1；及形成于该第一记录层4之上或之下的第二记录层5，该第二记录层5具有垂直磁各向异性，其各向异性磁场为Hk2，厚度为t2，且饱和磁化强度为Ms2；其中，该各向异性磁场Hk1、Hk2，厚度t1、t2，及饱和磁化强度Ms1、Ms2分别满足条件Hk2＜Hk1及(t2·Ms2)/(t1·Ms1)。
-
公开(公告)号：CN1741141A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510008091.4
申请日：2005-02-16
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/82 , G11B2005/0002 , G11B2005/0021 , G11B2005/0029
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质、磁记录设备和磁记录方法。该磁记录介质包括：衬层12，该衬层包含第一磁性层12a和形成在第一磁性层12a之上的第二磁性层12c，该第二磁性层12c是铁磁性的并且在与第一磁性层12a相反的方向上被磁化，和第三磁性层12e，形成在第二磁性层12c之上并且在与第二磁性层12c相反的方向上被磁化；和垂直磁性记录层16，形成在衬层12之上，用于记录磁信息。在第一磁性层12a和第二磁性层12c之间以及在第二磁性层12c和第三磁性层12e之间各形成反铁磁性的交换互联通路。利用本发明，在记录信息时使用低的磁化强度也不会失败，并且能产生高的信号输出，而且能抑制介质噪声。
-
公开(公告)号：CN100552777C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200610107501.5
申请日：2006-07-27
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 根据本发明，提供了一种磁记录介质(10)，其包括：非磁性的基底(1)；形成于该非磁性基底(1)上的非磁性衬层(3)；形成于该非磁性衬层(3)上的第一记录层(4)，第一记录层(4)具有垂直磁各向异性，其各向异性磁场为Hk1，厚度为t1，且饱和磁化强度为Ms1；及形成于该第一记录层(4)之上或之下的第二记录层(5)，该第二记录层(5)具有垂直磁各向异性，其各向异性磁场为Hk2，厚度为t2，且饱和磁化强度为Ms2其中，该各向异性磁场Hk1、Hk2，厚度t1、t2，及饱和磁化强度Ms1、Ms2分别满足条件Hk2＜Hk1及(t2·Ms2)/(t1·Ms1)。
-
公开(公告)号：CN103563340A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201180071307.5
申请日：2011-06-10
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H04M1/0202 , H01M2/1066 , H04B1/3888 , H04M1/0214 , H04M1/0262 , H04M1/0274 , H04M1/18
Abstract: 便携式电子设备具有：具备防水区域的主体部；和覆盖上述防水区域的盖部。上述盖部和上述主体部中的一方具备：密封部件，其在上述防水区域的周向整周与另一方的在同一面上形成的接触面接触，从而对上述防水区域进行密封；和限定部，其用于限定所述密封部件的位置。
-
公开(公告)号：CN101038753A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200610107630.4
申请日：2006-07-28
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 根据本发明，提供一种磁记录介质(11)，其包括：非磁性基底构件(1)；下部软磁衬层(2)，其形成在该非磁性基底构件(1)上；非磁性层(4)，其形成在该下部软磁衬层(2)上；上部软磁衬层(6)，其形成在该非磁性层(4)上；以及记录层(9)，其具有垂直磁各向异性，并且该记录层(9)形成在该上部软磁衬层(6)上；其中，在该下部软磁衬层(2)与该非磁性层(4)之间，或在该非磁性层(4)与该上部软磁衬层(6)之间形成晶体磁性层(3)和(5)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1689078A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN03824259.1
申请日：2003-02-20
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B32B1/00 , G11B5/65 , G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 非磁性取向控制层(37)铺于磁性取向控制层(36)的表面上，包括互相毗邻的晶粒。磁性记录层(38)铺于非磁性取向控制层(37)的表面上，包括从非磁性取向控制层(37)中各晶粒生长得到的晶粒。基于磁性和非磁性取向控制层(36、37)的影响，在磁性记录层(38)中的晶粒中可建立均匀的取向。与单独使用非磁性取向控制层(37)来控制磁性记录层(38)中的晶向的情形相比，能可靠地控制磁性记录层(38)中的晶向。无需增加非磁性取向控制层(37)的厚度就能够实现可靠地建立均匀的晶向。垂直磁性记录介质在电磁转换特性上具有更高的性能。
-
公开(公告)号：CN101308668A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810099519.4
申请日：2008-05-13
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明涉及一种磁记录介质及制造磁记录介质的方法、以及磁记录设备。根据本发明实施例的一方面，磁记录介质包括：基板；形成于该基板之上的第一粒状层，该第一粒状层具有多个第一磁性粒子和使所述多个第一磁性粒子分离的Si氧化物。该磁记录介质还包括形成于该第一粒状层之上的第二粒状层，该第二粒状层具有多个第二磁性粒子和使所述多个第二磁性粒子分离的Ti氧化物。
-
公开(公告)号：CN101192417A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710169484.2
申请日：2007-11-16
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/82 , G11B5/667 , G11B2005/0029 , H01F10/132
Abstract: 本发明公开了一种具有高抗腐蚀性和高Bs的磁记录介质、一种制造该磁记录介质的方法和一种磁记录设备。使用磁层作为记录层的磁记录介质具有垂直磁各向异性。在记录层之下形成的软磁衬层(上软磁衬层和下软磁衬层)包括添加有Ta和Nb中的至少一种元素以及Cr的FeCoZr合金。这种磁记录介质包括具有高抗腐蚀性和高Bs的软磁衬层，因此呈现出高Hc记录性能和高S/N性能。
-
公开(公告)号：CN100373457C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN03824259.1
申请日：2003-02-20
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B32B1/00 , G11B5/65 , G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 非磁性取向控制层(37)铺于磁性取向控制层(36)的表面上，包括互相毗邻的晶粒。磁性记录层(38)铺于非磁性取向控制层(37)的表面上，包括从非磁性取向控制层(37)中各晶粒生长得到的晶粒。基于磁性和非磁性取向控制层(36、37)的影响，在磁性记录层(38)中的晶粒中可建立均匀的取向。与单独使用非磁性取向控制层(37)来控制磁性记录层(38)中的晶向的情形相比，能可靠地控制磁性记录层(38)中的晶向。无需增加非磁性取向控制层(37)的厚度就能够实现可靠地建立均匀的晶向。垂直磁性记录介质在电磁转换特性上具有更高的性能。
-
公开(公告)号：CN101046978A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610106008.1
申请日：2006-07-19
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明公开一种垂直磁记录介质，其能够防止发生广域磁道擦除现象并能够进行高密度记录。该垂直磁记录介质包括：衬底；软磁衬叠层结构，包括依次层叠在该衬底上的第一磁层、第一非磁性耦合层、第二磁层；中间层，位于该软磁衬叠层结构上，并由非磁性材料形成；以及记录层，位于该中间层上，该记录层具有垂直于该衬底表面的易磁化轴。该第一磁层和该第二磁层由多晶软磁材料形成，该第一磁层和该第二磁层的表面内均具有易磁化轴，并且该第一磁层的磁化与该第二磁层的磁化耦合且彼此反向平行。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.019 seconds)
