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公开(公告)号:CN101312049A
公开(公告)日:2008-11-26
申请号:CN200810099344.7
申请日:2008-05-21
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/8404 , C03C17/34 , C03C19/00 , C03C2204/08 , G11B5/7315 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明涉及基板、磁性记录介质及其制造方法以及磁性存储设备。该垂直磁性记录介质具有非磁性基板以及形成在基板之上的磁性记录结构。该磁性记录结构至少具有软磁性底层、中间层和磁性层。所述基板的表面轮廓曲线的倾角为2.0度以下,或者所述基板的周期(波长分量)在83nm以下至30nm以下范围内的表面粗糙度为0.15nm以下。