公开(公告)号：CN101308668A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810099519.4

申请日：2008-05-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 稻村良作 ,  贝津功刚 ,  涡卷拓也 ,  冈本岩 ,  菊池晓

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/667

CPC classification number: G11B5/667 ,  G11B5/65 ,  G11B5/66

Abstract: 本发明涉及一种磁记录介质及制造磁记录介质的方法、以及磁记录设备。根据本发明实施例的一方面，磁记录介质包括：基板；形成于该基板之上的第一粒状层，该第一粒状层具有多个第一磁性粒子和使所述多个第一磁性粒子分离的Si氧化物。该磁记录介质还包括形成于该第一粒状层之上的第二粒状层，该第二粒状层具有多个第二磁性粒子和使所述多个第二磁性粒子分离的Ti氧化物。

公开(公告)号：CN101312049A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810099344.7

申请日：2008-05-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小野胜 ,  吉田祐树 ,  山口洁 ,  菊池晓

IPC: G11B5/73 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/8404 ,  C03C17/34 ,  C03C19/00 ,  C03C2204/08 ,  G11B5/7315 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明涉及基板、磁性记录介质及其制造方法以及磁性存储设备。该垂直磁性记录介质具有非磁性基板以及形成在基板之上的磁性记录结构。该磁性记录结构至少具有软磁性底层、中间层和磁性层。所述基板的表面轮廓曲线的倾角为2.0度以下，或者所述基板的周期(波长分量)在83nm以下至30nm以下范围内的表面粗糙度为0.15nm以下。

公开(公告)号：CN101079269A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200610160435.8

申请日：2006-11-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 高星英明 ,  远藤敦 ,  村尾玲子 ,  佐藤伸也 ,  菊池晓

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/70

CPC classification number: G11B5/732 ,  G11B5/66 ,  G11B5/7325

Abstract: 本发明提供一种磁记录介质和磁存储单元。所公开的该磁记录介质包括：基板；和按下述次序叠置在该基板上的底层、第一磁性层、非磁性耦合层、第二磁性层、第三磁性层、非磁性分隔层以及第四磁性层。所述第一磁性层与所述第二磁性层是反铁磁地交换耦合的，并且所述第二磁性层与所述第三磁性层是铁磁地交换耦合的。所述第三磁性层具有比所述第二磁性层的各向异性磁场更小的各向异性磁场，并具有比所述第二磁性层的饱和磁化更大的饱和磁化。

公开(公告)号：CN1639774A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN03805664.X

申请日：2003-03-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 村尾玲子 ,  乡家隆志 ,  贝津功刚 ,  菊池晓

IPC: G11B5/738 ,  G11B5/66 ,  G11B5/851 ,  G11B5/65

CPC classification number: G11B5/66 ,  G11B5/656 ,  G11B5/732 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/8404 ,  G11B5/851

Abstract: 本发明提供一种磁记录介质及其制造方法。该磁记录介质包括：由Co基合金材料构成的强磁性层和配置于强磁性层上的由Ru或Ru基合金材料构成的非磁性结合层和配置于非磁性结合层上的由Co基合金材料构成的磁记录层。非磁性结合层由于是在Ar－N2混合气体气氛中通过溅射而形成，所以其中含有氮。在溅射过程中的氮气分压强在6.7×10－3～3.7×10－2Pa的范围之内。

公开(公告)号：CN100533555C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200610160435.8

申请日：2006-11-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 高星英明 ,  远藤敦 ,  村尾玲子 ,  佐藤伸也 ,  菊池晓

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/70

CPC classification number: G11B5/732 ,  G11B5/66 ,  G11B5/7325

Abstract: 本发明提供一种磁记录介质和磁存储单元。所公开的该磁记录介质包括：基板；和按下述次序叠置在该基板上的底层、第一磁性层、非磁性耦合层、第二磁性层、第三磁性层、非磁性分隔层以及第四磁性层。所述第一磁性层与所述第二磁性层是反铁磁地交换耦合的，并且所述第二磁性层与所述第三磁性层是铁磁地交换耦合的。所述第三磁性层具有比所述第二磁性层的各向异性磁场更小的各向异性磁场，并具有比所述第二磁性层的饱和磁化更大的饱和磁化。

公开(公告)号：CN101312048A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810099946.2

申请日：2008-05-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 五十岚聪志 ,  菊池晓 ,  贝津功刚 ,  稻村良作 ,  佐藤贤治 ,  佐藤伸也 ,  高星英明 ,  远藤敦 ,  柴田寿人

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/64 ,  G11B5/733

CPC classification number: G11B5/65 ,  G11B5/66 ,  G11B5/667 ,  G11B5/7325

Abstract: 本发明提供一种磁记录介质和磁存储设备，所述磁记录介质具有基板、形成在所述基板上的非磁性颗粒层和形成在所述非磁性颗粒层上的记录层。所述非磁性颗粒层由具有hcp或fcc晶体结构的CoCr合金制成，其中非磁性材料偏析于基本柱状的磁性颗粒周围。所述磁记录介质和使用所述介质的磁存储设备具有改进的读/写性能。