公开(公告)号：CN1447445A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN03120928.9

申请日：2003-03-21

Applicant: 富士通株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 浅野祐次 ,  加藤盛央 ,  濑户山孝男 ,  福岛稔彦 ,  夏秋和弘

IPC: H01L31/00 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L31/02024 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/763 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/1446

Abstract: 在具有由第一导电类型半导体构成的表面层的下层衬底上形成第一层。第一层由电阻高于下层衬底表面层电阻的半导体构成。在第一层的部分表面区中形成第二导电类型的第一杂质扩散区。第一杂质扩散区没有到达下层衬底的表面。在第一层中设置第一导电类型的第二杂质扩散区且在面内方向上与第一杂质扩散区隔开一定的距离。第二杂质扩散区到达下层衬底的表面。在第一和第二杂质扩散区之间设置分隔区。分隔区包括在第一层中形成的沟槽和至少在沟槽部分内部区域中设置的介电材料。

公开(公告)号：CN1238906C

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN03120928.9

申请日：2003-03-21

Applicant: 富士通株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 浅野祐次 ,  加藤盛央 ,  濑户山孝男 ,  福岛稔彦 ,  夏秋和弘

IPC: H01L31/00 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L31/02024 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/763 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/1446

Abstract: 在具有由第一导电类型半导体构成的表面层的下层衬底上形成第一层。第一层由电阻高于下层衬底表面层电阻的半导体构成。在第一层的部分表面区中形成第二导电类型的第一杂质扩散区。第一杂质扩散区没有到达下层衬底的表面。在第一层中设置第一导电类型的第二杂质扩散区且在面内方向上与第一杂质扩散区隔开一定的距离。第二杂质扩散区到达下层衬底的表面。在第一和第二杂质扩散区之间设置分隔区。分隔区包括在第一层中形成的沟槽和至少在沟槽部分内部区域中设置的介电材料。