公开(公告)号：CN101656213B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200810135505.3

申请日：2008-08-19

申请人： 尼克森微电子股份有限公司

发明人： 涂高维 ,  董正晖 ,  蔡筱薇

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

摘要： 本发明是有关于一种沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法。该方法包括以下步骤：制作第一导电型外延层于硅基板上；制作多个沟槽于外延层；全面离子注入第一导电型的掺杂物于外延层；制作多晶硅图案层覆盖沟槽与其周围预设范围的外延层；通过多晶硅图案层，注入第二导电型的掺杂物于外延层；导入掺杂物，形成具有第二导电型的阱区；通过多晶硅图案层，注入第一导电型的掺杂物于阱区，形成多个第一掺杂区；导入第一掺杂区的掺杂物，形成一源极掺杂区紧邻沟槽；去除位于外延层上方的多晶硅图案层，形成多晶硅栅极。本发明可改善沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管的阱区的深度分布，避免阱区覆盖栅极沟槽的底部而导致晶体管失效。

公开(公告)号：CN101656213A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200810135505.3

申请日：2008-08-19

申请人： 尼克森微电子股份有限公司

发明人： 涂高维 ,  董正晖 ,  蔡筱薇

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

摘要： 本发明是有关于一种沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法。该方法包括以下步骤：制作第一导电型外延层于硅基板上；制作多数个沟槽于外延层；全面离子注入第一导电型的掺杂物于外延层；制作多晶硅图案层覆盖沟槽与其周围预设范围的外延层；通过多晶硅图案层，注入第二导电型的掺杂物于外延层；导入掺杂物，形成具有第二导电型的井区；通过多晶硅图案层，注入第一导电型的掺杂物于井区，形成多数个第一掺杂区；导入第一掺杂区的掺杂物，形成一源极掺杂区紧邻沟槽；去除位于外延层上方的多晶硅图案层，形成多晶硅栅极。本发明可改善沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管的井区的深度分布，避免井区覆盖栅极沟槽的底部而导致晶体管失效。