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公开(公告)号：CN117545283A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311499407.9
申请日：2023-11-10
发明人： 郝慧明
IPC分类号： H10B69/00
摘要： 本发明涉及半导体存储技术领域，公开了一种量子点存储器件及其制备方法、电子设备，该量子点存储器件包括：衬底；层叠设置在衬底上的成核层、应变超晶格层、下电极层、第一p型掺杂层、用于形成二维电子气沟道的中间层、第一势垒层、量子点层、第二势垒层、第二p型掺杂层和上电极层。这样将二维电子气沟道置于量子点层下方可实现载流子的擦除功能，将量子点作为存储器件的存储介质可捕获并限制载流子来实现数据存储，能够稳定读写传输且速度快，能耗较低，并且分离的能级结构可保障器件存储能力的稳定性，个别量子点的载流子逃逸不会影响整体器件的存储能力，提高存储器件的使用寿命和耐用度。
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公开(公告)号：CN117042455A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311111084.1
申请日：2023-08-31
发明人： 郝慧明
摘要： 本发明提出了一种基于量子点材料的非易失性存储器件及制备方法，该方法包括：衬底，所述衬底之上依次生长设置的成核层、位错过滤层、缓冲层、存储单元层以及电极层，所述位错过滤层为超晶格层，用于过滤由于材料晶格不同而失配生长产生的穿透位错，使穿透位错改变传播方向，避免穿透位错向上传播；所述存储单元层包括量子点层，所述量子点层为砷化镓材料包囊的砷化铟量子点，所述砷化铟量子点以应变自组装的方式先层状生长再岛状生长，用于通过采用砷化铟量子点来捕获和释放载流子来实现存储中不同状态，有效地提高了非易失性存储器件的读写能力以及耐用度。
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公开(公告)号：CN117638650A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311607467.8
申请日：2023-11-28
发明人： 郝慧明
IPC分类号： H01S5/34
摘要： 本发明提供了一种温度可靠的硅基量子点激光器的制备方法，该方法包括在硅衬底上生长成核层、应变超晶格层、p区欧姆接触层、p型波导层、量子点有源区层、n型波导层和n区欧姆接触层，以及在标准工艺线上进行光刻、刻蚀、淀积隔离层、电极制备和划片解理等工艺步骤。本发明的方法利用低温生长成核层和应变超晶格层，有效提高激光器的整体材料质量，并通过引入暂停的外延生长法(EGIP)生长量子点，改善量子点的形貌质量，从而拓宽激光器器件的工作温度范围。此外，硅基量子点激光器具有广泛的应用前景，可用于数据传输、大数据处理、光电器件等领域。
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公开(公告)号：CN116960740A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310686272.0
申请日：2023-06-09
发明人： 郝慧明
摘要： 本发明涉及一种量子点激光器的成型基板及制备方法，涉及半导体技术领域。本发明包括用作第一欧姆接触层的N型硅衬底，在所述N型硅衬底上形成的成核层，在所述成核层上形成的超晶格层，所述超晶格层用作位错过滤层，在所述位错过滤层上形成的以量子点材料为增益介质的激光器器件层，在所述激光器器件层上形成的第二欧姆接触层；其中，所述激光器器件层包括：形成于所述位错过滤层的N型掺杂波导层，形成于所述N型掺杂波导层的量子点有源区增益介质层，形成于所述量子点有源区增益介质层之上的P型掺杂波导层。所形成的量子点激光器的成型基板以成本更低的硅衬底、通过成核层和超晶格层配合降低晶格失配和热失配影响。
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公开(公告)号：CN115799989A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211411980.5
申请日：2022-11-11
摘要： 本申请公开了一种硅基激光器及其制备方法，硅基激光器包括：设置于底层的硅基底，设置于上层的激光器层，以及设置于所述硅基底和激光器层之间的缓冲层，且所述激光器层以三五族量子点材料为有源区增益介质，所述缓冲层中设置有应变超晶格层。硅基激光器的制备方法包括：以硅材料为基底；在所述硅基底上生长含有应变超晶格层的缓冲层；对称生长以三五族量子点材料为有源区增益介质的激光器层；根据设定的工艺流程，对包含有所述硅基底、缓冲层以及激光器层的全结构外延片进行工艺制备，生成硅基激光器。通过本申请，能够有效提高激光器与现有硅基微纳工艺平台的兼容性，以及提高激光器的稳定性。
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