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公开(公告)号：CN115437568A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211043132.3
申请日：2022-08-29
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本发明涉及闪存技术领域，具体涉及执行Nand Flash操作指令的实现方法、系统、设备及存储介质。该方法首先将NandFlash所支持的基本操作指令按照时序和地址要求完成配置组合；根据在操作NandFlash的过程中的执行命令类型，对完成配置组合后的基本操作指令进行组合，形成组合指令。本发明根据主控芯片在实际操作NandFlash的过程中的执行命令类型，对NandFlash的基本指令进行组合，形成复杂的组合指令和标志位，这样驱动在对主控进行初始化时，可以直接配置好这些命令组合与相应flag，当主控芯片对NandFlash进行操作时，可以直接使用命令组合，并根据不同的标志位进行不同的操作，节省命令发送的时间，提高Nand总线的利用率。
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公开(公告)号：CN115426115A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211033249.3
申请日：2022-08-26
摘要： 本发明提供了一种SM9验签的优化方法，获取验签方B的原始数据，校验数字签名消息签名部分格式的合法性，校验数字签名消息校验部分格式的合法性，计算中间变量，计算群GT中的元素t’＝gN+1；计算签名者身份信息，计算消息签名部分的中间变量，计算消息校验部分的中间变量，计算签名者填充签名消息的内容，计算签名信息是否验证通过。在协议层优化上，本申请通过双线性对的特性来重新组合传统方法第5到第9步的运算逻辑，来降低一次大数计算和一次双线性对运算，从而降低计算的硬件消耗和时间。
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公开(公告)号：CN115407944A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211047980.1
申请日：2022-08-30
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本发明提供了一种基于Nand Flash AIPR的命令预处理方法，一个通道连接K个Nand flash芯片(device)，每个Nand芯片包括L个target，每个target包含M个LUN,每个LUN拥有N个plane，其中，K,L,M,N均是大于等于1的值，在本发明中首先根据FW下发的命令的类型和地址信息对命令进行预处理，然后传输给硬件模块进行处理。本发明将sp read命令进行预排序处理，使得多条同target同LUN不同plane的sp read命令能够以一条命令组的形式发送给nand，不仅节省了命令通道资源，而且提高了读速率。本发明对非read类型命令进行预排序处理后，相邻命令的lun地址大概率保持不同，使发送给硬件模块的命令尽可能满足多LUN并行执行的要求，从而提高命令执行的速率，进一步提高SSD性能。
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公开(公告)号：CN115309684A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210944242.0
申请日：2022-08-05
摘要： 本发明提供了适配多平台的混合硬盘背板设计方法、系统、设备及介质，方法包括基于主板将平台类型信息及配置信息传递给背板的CPLD；背板的CPLD将平台信息和配置信息进行编码；将硬盘插槽上表征固态硬盘在位的信号接入CPLD器件中，用于区分硬盘类型并判断硬盘是否在位，并传递相应的硬盘类型和在位情况信息给BMC和BIOS，辅助判断硬盘相关信息；在CPLD内部搭建逻辑电路，区分不同平台不同配置，对硬盘进行控制。本发明设计一款硬盘背板兼容多种平台，多个配置并且支持多种硬盘类型。通过使用CPLD器件丰富的逻辑资源和IO资源，实现跨平台跨配置的兼容以及硬盘类型识别等问题，能够极大的降低研发成本和生产成本。
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公开(公告)号：CN115114876A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210851810.2
申请日：2022-07-20
IPC分类号： G06F30/331 , G06F13/42
摘要： 本发明提供一种访问内部总线的方法、系统、设备和存储介质，方法包括：与上位机串行交互数据；将接收到的多个数据组合成预设长度的数据作为通用异步收发器命令；将所述通用异步收发器命令分析拆解成最基本的地址读写；以及将所述地址读写转换成符合总线协议的读写信号。本发明使用UART和逻辑设计连通上位机和待测总线接口，能够通过命令的组合实现连续读写事务交错，以及先判断条件再做读写事务的行为。
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公开(公告)号：CN115799989A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211411980.5
申请日：2022-11-11
摘要： 本申请公开了一种硅基激光器及其制备方法，硅基激光器包括：设置于底层的硅基底，设置于上层的激光器层，以及设置于所述硅基底和激光器层之间的缓冲层，且所述激光器层以三五族量子点材料为有源区增益介质，所述缓冲层中设置有应变超晶格层。硅基激光器的制备方法包括：以硅材料为基底；在所述硅基底上生长含有应变超晶格层的缓冲层；对称生长以三五族量子点材料为有源区增益介质的激光器层；根据设定的工艺流程，对包含有所述硅基底、缓冲层以及激光器层的全结构外延片进行工艺制备，生成硅基激光器。通过本申请，能够有效提高激光器与现有硅基微纳工艺平台的兼容性，以及提高激光器的稳定性。
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公开(公告)号：CN115640162A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211103174.1
申请日：2022-09-09
IPC分类号： G06F11/10
摘要： 本发明公开了一种数据处理系统、方法、计算机设备及可读存储介质，系统包括：数据仲裁模块、多个计算模块、数据传输模块、缓存区、恢复数据控制模块；响应于有数据需要处理，数据仲裁模块接收待处理数据并获取待处理数据的标识符，并基于待处理数据的标识符将待处理数据传输到对应的计算模块或数据传输模块；响应于有数据需要恢复，恢复数据控制模块获取待恢复数据，并基于待恢复数据的地址将待恢复数据传输到对应的计算模块或数据传输模块；计算模块基于接收到的待处理数据的标识符或待恢复数据的地址从缓存区获取对应的数据进行异或计算，并将计算结果通过数据传输模块存储到缓存区。通过本发明方案，可以同时进行RAID数据处理与数据恢复。
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公开(公告)号：CN116302967A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310091743.3
申请日：2023-02-03
摘要： 本发明提出了一种NVMe模型构建及测试方法及系统，其中，方法包括：由NVMe模型构建及测试平台实现的以下步骤：定义功能指令，定义的所述功能指令为程序空壳；下发对所述功能指令的编写任务，并接收返回的对应所述功能指令的逻辑代码；基于定义的所述功能指令构建NVMe模型；对所述NVMe模型进行分步编译；对所述NVMe模型进行仿真测试。本发明的有益效果包括：本发明的方法通过利用宏定义能够被反复编译并以最后一次编译结果为准的特点结合分步编译能够使得测试平台的测试环境具有更强的拓展性、更容易merge，方便多人协作以及方便进行test注错，并且能够提升仿真测试效率，缩短NVMe模型的开发周期。
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公开(公告)号：CN115620781A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211274582.3
申请日：2022-10-18
摘要： 本发明涉及存储技术领域，尤其涉及一种用于固态硬盘的闪存控制器配置方法、装置、设备及介质。所述方法包括：依据固态硬盘的使用信息从开始阶段、中间阶段和结束阶段中匹配一个作为固态硬盘当前时刻在生命周期中所属的目标阶段；响应于所述目标阶段为所述开始阶段，则关闭闪存控制器的交织功能；响应于所述目标阶段为所述中间阶段，则周期性获取固态硬盘的比特错误率，并将所述比特错误率与预设比特错误率进行比较以判定是否开启闪存控制器的交织功能；响应于所述目标阶段为所述结束阶段，则开启闪存控制器的交织功能。本发明方案结合固态硬盘在生命周期中所处的阶段灵活开启或关闭交织功能，提升后续解码成功的概率，显著提高固态硬盘的可靠性。
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公开(公告)号：CN116053287A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310038318.8
申请日：2023-01-10
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提出了一种晶圆级红外焦平面阵列制备方法和红外焦平面阵列，该方法包括：在探测器晶圆上制备第一铜柱和第一铜焊盘，在读出电路晶圆上制备第二铜柱和第二铜焊盘；第一铜柱和第二铜柱对准后，将两个晶圆倒装键合形成混合晶圆；底部填充后，先对探测器晶圆的背面进行研磨和抛光，然后在探测器晶圆的背面旋涂光刻胶在探测器晶圆上形成通孔；一次去胶，在探测器晶圆背面沉积出钝化层；刻蚀掉多余钝化层露出图形窗口；二次去胶，在探测器背面电镀铜填充通孔，经过抛光去除多余铜，使探测器晶圆背面通孔中铜露出完成制备。本发明还提出了红外焦平面阵列，采用该方法制备而成；本发明提高红外焦平面阵列的生产效率，降低时间和人力成本。
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