公开(公告)号：CN109473510A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811023086.4

申请日：2018-09-04

申请人： 佳能株式会社

发明人： 内田武志 ,  须贺贵子

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/30

CPC分类号： B41J2/455 ,  B41J2/44 ,  G03G15/04 ,  G03G15/04036 ,  H01L33/0016 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/08 ,  H01L33/30

摘要： 本发明涉及发光晶闸管、发光晶闸管阵列、曝光头和图像形成设备。发光晶闸管包括具有第一到第四半导体层的堆叠结构，并且第三半导体层从半导体基板侧起依次至少包含与第二半导体层接触的第五半导体层和第六半导体层。第六半导体层是形成堆叠结构的所有层中的具有最小带隙的层，并且，第五半导体层与第六半导体层之间的带隙的差值△Eg大于或等于0.05eV且小于或等于0.15eV。

公开(公告)号：CN109326701A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201811510747.6

申请日：2018-12-11

申请人： 合肥彩虹蓝光科技有限公司

发明人： 张洪波 ,  吴化胜 ,  刘亚柱

IPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/40 ,  H01L33/30 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/30 ,  H01L33/40

摘要： 本发明提供一种发光二极管芯片制备方法，该制备方法包括，提供一衬底；于所述衬底上形成第一半导体层；于所述第一半导体层上形成发光层；于所述发光层上形成第二半导体层；于所述第二半导体层上形成透明导电层；于所述第一半导体层上形成第一电极，所述透明导电层上形成第二电极，其中所述第一电极和第二电极的结构包括多个导电层，所述多个导电层中的最外一层为金属钛层，所述金属钛层的厚度为 根据该制备方法制备出的发光二极管芯片，可改善芯片老化性能，有效的降低电压。

公开(公告)号：CN109216514A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810831578.X

申请日：2018-07-26

申请人： 华灿光电(浙江)有限公司

发明人： 葛永晖 ,  郭炳磊 ,  王群 ,  吕蒙普 ,  胡加辉 ,  李鹏

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/14 ,  H01L33/20 ,  H01L33/26 ,  H01L33/30

CPC分类号： H01L33/145 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/20 ,  H01L33/26 ,  H01L33/30

摘要： 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、三维成核层、二维恢复层、本征氮化镓层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，缓冲层、三维成核层、二维恢复层、本征氮化镓层、N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上，三维成核层包括至少一个叠层结构，叠层结构包括氮化镓层和设置在氮化镓层上的氮化钪铝层。本发明通过采用氮化钪铝层和氮化镓层一起形成三维成核层，氮化钪铝层和氮化镓层配合，可以有效缓解蓝宝石和氮化镓之间晶格失配产生的应力和缺陷，大大优化外延片底层的晶体质量，进而提高有源层的晶体质量，有利于电子和空穴进行复合发光，提高LED的内量子效率。

公开(公告)号：CN108447957A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810630934.1

申请日：2018-06-19

申请人： 扬州乾照光电有限公司

发明人： 赵炆兼 ,  贾钊 ,  曹广亮 ,  郭冠军 ,  王宇

IPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/30 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/005 ,  H01L33/30

摘要： 本发明公开了一种光栅LED芯片及制作方法，所述光栅LED芯片包括：衬底；设置在所述衬底上的外延层结构；设置在所述外延层结构背离所述衬底一侧的GaP层；设置在所述GaP层背离所述外延层结构一侧的预设光栅常数的光栅层；设置在所述光栅层上的电极结构。该光栅LED芯片出光效率高、出光面积大且亮度高。

公开(公告)号：CN108389946A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810324277.8

申请日：2014-10-13

申请人： 世迈克琉明有限公司

发明人： 全水根 ,  晋根模

IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/46 ,  H01L33/00 ,  H01L33/14

CPC分类号： H01L33/46 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025

摘要： 本发明涉及半导体发光元件，其包括，多个半导体层，它们利用生长衬底而依次生长，且包括：第一半导体层，其具备第一导电性；第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性；及有源层，其介于第一半导体层与第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；第一电极部，其与第一半导体层电气连通；第二电极部，其与第二半导体层电气地连通；及非导电性反射膜，其以将从有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个半导体层上，并形成有开口，并且通过蚀刻而减小高度差的露出面构成开口的上缘边，第一电极部和第二电极部中的至少一个包括：下部电极、电连接器及上部电极。

公开(公告)号：CN105122473B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201480020969.3

申请日：2014-03-28

申请人： 欧司朗光电半导体有限公司

发明人： 安德烈亚斯·莱夫勒 ,  托比亚斯·迈耶 ,  亚当·鲍尔 ,  克里斯蒂安·莱雷尔

IPC分类号： H01L33/02 ,  H01L33/24

CPC分类号： H01L33/0062 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L25/167 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及种用于制造光电子半导体芯片的方法,所述方法包括下述步骤:提供衬底;生长第层;执行刻蚀过程以便铺设V形缺陷;生长第二层和生长量子膜结构。

公开(公告)号：CN105826345B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201510272379.6

申请日：2007-10-31

申请人： 伊利诺伊大学评议会 ,  艾克斯瑟乐普林特有限公司

发明人： J·罗杰斯 ,  R·纳佐 ,  M·梅尔特 ,  E·梅纳德 ,  A·J·巴卡 ,  M·穆塔拉 ,  J-H·安 ,  S-I·朴 ,  C-J·于 ,  H·C·高 ,  M·斯托伊克维奇 ,  J·尹

IPC分类号： H01L27/15

CPC分类号： H01L25/50 ,  B81C2201/0185 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/00 ,  H01L25/042 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78681 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/043 ,  H01L31/0525 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/167 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1868 ,  H01L31/1876 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L33/483 ,  H01L33/52 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0091 ,  H01S5/021 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/183 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/423 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了至少部分经由基于印刷的组装以及器件构件的集成来制造的光学器件和系统。本发明的光学系统包含经由印刷技术与其他器件构件组装、组织和/或集成的半导体元件,所述光学系统展现出与10个使用常规高温处理方法制造的基于单晶半导体的器件相当的性能特性和功能。本发明的光学系统具有通过印刷达到的、提供多种有用的器件功能性的器件几何形态和配置,诸如形状因素、构件密度和构件位置。

公开(公告)号：CN108206233A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201710984983.0

申请日：2017-10-20

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李振燮 ,  金容一 ,  成汉珪 ,  崔荣进

IPC分类号： H01L33/52 ,  H01L33/60 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/58 ,  F21K9/232 ,  F21K9/237 ,  F21K9/275 ,  G02B6/0073 ,  G02F1/133514 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066 ,  H01L33/52 ,  H01L33/005

摘要： 提供了一种发光二极管(LED)封装件和制造LED封装件的方法。LED封装件包括：反射结构，其包括腔体、具有通孔的底部和包围腔体和底部的侧壁部分，侧壁部分具有倾斜的内侧表面；插入通孔中的电极焊盘；腔体中的底部上的LED，所述LED包括电连接至电极焊盘的发光结构和形成在发光结构上的荧光体；以及透镜结构，其填充腔体并且形成在反射结构上。

公开(公告)号：CN107532081A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201580067352.1

申请日：2015-12-09

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 文智煜 ,  金亨真 ,  文正尹 ,  崔在完

IPC分类号： C09K11/61 ,  C09K11/66 ,  C09K11/67 ,  C09K11/59 ,  H05B33/14

CPC分类号： C09K11/7734 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/617 ,  C09K11/665 ,  C09K11/675 ,  F21V29/70 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/486 ,  H01L33/504 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  Y02B20/181

摘要： 一种实施例的荧光体组合物和包括该荧光体组合物的发光器件封装包括：绿色荧光体，由蓝光激发以发射绿光；氮化物系列的第一红色荧光体，由所述蓝光激发并且发射第一红光；以及氟系列的第二红色荧光体，由所述蓝光激发并且发射第二红光，并且能够在不恶化高温下光学特性的情形下发射白光，同时与包括常规荧光体组合物的发光器件封装相比，提高了光通量和色彩再现率。

公开(公告)号：CN107004738A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580067072.0

申请日：2015-10-01

申请人： 索尼公司

发明人： 渡部义昭 ,  河角孝行

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  G02B26/10

CPC分类号： H01L33/0045 ,  G02B26/10 ,  G09G3/025 ,  G09G3/32 ,  G09G2320/0233 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32

摘要： 该半导体发光元件具有：第一导电层、第二导电层以及设置在第一导电层和第二导电层之间的有源层。第一导电层具有电流狭窄结构，在电流狭窄结构中形成狭窄电流注入区域。有源层具有多个量子阱层并且形成为使得与多个量子阱层中的第一量子阱层的发光复合能级能隙对应的第一发光波长包括在整个发光光谱的强度峰值的波长范围内，第一量子阱层设置在最接近所述电流狭窄结构的位置处。