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公开(公告)号:CN101187062A
公开(公告)日:2008-05-28
申请号:CN200710147091.1
申请日:2007-09-05
申请人: 山东大学
摘要: 掺镱钙铌石榴石晶体及激光器件,属于激光晶体和器件领域。掺镱离子的钙铌石榴石晶体具有通式Yb∶Ca3(NbGa)2-xGa3O12(简称为Yb∶CNGG),X=0.1500~0.2250,Yb掺杂浓度为小于30at.%。用Yb∶CNGG作为激光晶体制造端面泵浦的连续和脉冲激光器件,并可与声光调Q、电光调Q、被动调Q、锁模等元器件组合构成连续和脉冲等激光器件。本方法制作的激光器具有简单、紧凑、阈值低、输出功率高、稳定性好、转换效率高、光束质量好、操作简单、成本低,以及便于工业化的大批量制造等优点。
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公开(公告)号:CN100549246C
公开(公告)日:2009-10-14
申请号:CN200710147092.6
申请日:2007-09-05
申请人: 山东大学
摘要: 本发明涉及Cr5+:RVO4晶体、制备方法和该类晶体对一种端面或侧面泵浦激光晶体产生的激光进行被动调Q,属于晶体和器件领域。Cr5+:RVO4(R=Gd,Lu,Y)晶体具有锆英石结构,通式为RV1-xCrxO4,其中,R=Gd,Lu或Y,x=0.0001~0.1。该晶体用提拉法制备。Cr5+:RVO4晶体作为被动调Q材料,与端面或侧面泵浦的1.01-1.08μm激光相结合,可以产生1.01-1.08μm脉冲激光。用该晶体制作的激光被动调Q器件具有简单、紧凑、稳定性好、转换效率高、光束质量好、操作简单、成本低,便于工业化的大批量制造等优点。
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公开(公告)号:CN101187064A
公开(公告)日:2008-05-28
申请号:CN200710147092.6
申请日:2007-09-05
申请人: 山东大学
摘要: 本发明涉及Cr5+∶RVO4晶体、制备方法和该类晶体对一种端面或侧面泵浦激光晶体产生的激光进行被动调Q,属于晶体和器件领域。Cr5+∶RVO4(R=Gd,Lu,Y)晶体具有锆英石结构,通式为RV1-xCrxO4,其中,R=Gd,Lu或Y,x=0.0001~0.1。该晶体用提拉法制备。Cr5+∶RVO4晶体作为被动调Q材料,与端面或侧面泵浦的1.01-1.08μm激光相结合,可以产生1.01-1.08μm脉冲激光。用该晶体制作的激光被动调Q器件具有简单、紧凑、稳定性好、转换效率高、光束质量好、操作简单、成本低,便于工业化的大批量制造等优点。
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公开(公告)号:CN1924119A
公开(公告)日:2007-03-07
申请号:CN200610068897.7
申请日:2006-09-19
申请人: 山东大学
IPC分类号: C30B29/28 , H01S3/16 , H01S3/06 , H01S3/08 , H01S3/094 , H01S3/0941 , H01S3/10 , H01S3/127 , H01S3/098
摘要: 掺镱钙锂铌石榴石晶体,属于激光晶体和器件领域。掺镱钙锂铌石榴石晶体具有通式Yb:Ca3LixNb15+xGa3.5-2xO12,简称为Yb:CLNGG,X=0~0.75,Yb掺杂浓度为小于30at.%。用Yb:CLNGG作为激光晶体制造端面泵浦的连续和脉冲激光器件,并可与声光调Q、电光调Q、被动调Q、锁模等元器件组合构成连续和脉冲等激光器件。本发明制作的激光器具有简单、紧凑、阈值低、输出功率高、稳定性好、转换效率高、光束质量好、操作简单、成本低,以及便于工业化的大批量制造等优点。
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公开(公告)号:CN1924118A
公开(公告)日:2007-03-07
申请号:CN200610068896.2
申请日:2006-09-19
申请人: 山东大学
IPC分类号: C30B29/28 , H01S3/16 , H01S3/06 , H01S3/08 , H01S3/094 , H01S3/0941 , H01S3/10 , H01S3/127 , H01S3/098
摘要: 掺镱钙铌石榴石晶体及激光器件,属于激光晶体和器件领域。掺镱离子的钙铌石榴石晶体具有通式Yb:Ca3(NbGa)2-xGa3O12(简称为Yb:CNGG),X=0.1500~0.2250,Yb掺杂浓度为小于30at.%。用Yb:CNGG作为激光晶体制造端面泵浦的连续和脉冲激光器件,并可与声光调Q、电光调Q、被动调Q、锁模等元器件组合构成连续和脉冲等激光器件。本方法制作的激光器具有简单、紧凑、阈值低、输出功率高、稳定性好、转换效率高、光束质量好、操作简单、成本低,以及便于工业化的大批量制造等优点。
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公开(公告)号:CN1293683C
公开(公告)日:2007-01-03
申请号:CN200310105572.8
申请日:2003-12-04
申请人: 山东大学
摘要: 本发明涉及一种硼酸铋非共线倍频晶体器件,属于光电子技术领域。本发明的主要内容是硼酸铋晶体器件的出射面切角固定,沿折射率主轴Y,入射面切角随入射基频光波长的改变而改变。在542nm~1380nm波段内,对于每一个特定的入射基频光波长,有两种特定的入射面切角可供选择,分别位于YOZ(即φ=90°)平面以及XOY(即θ=90°)平面内。当入射基频光波长从542nm变化到1380nm时,YOZ(即φ=90°)平面内的入射面切角从θ=90°变化到θ=70°±3°,XOY(即θ=90°)平面内的入射面切角从φ=90°变化到φ=68.3°±3°。本发明采用了独特的内角全反射技术,节省了基频光的分光装置。本发明具有基频与倍频空间自然分离、转换效率高、能耗低、装置简单、成本低、适用波段宽等优点。
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公开(公告)号:CN1547296A
公开(公告)日:2004-11-17
申请号:CN200310105572.8
申请日:2003-12-04
申请人: 山东大学
摘要: 本发明涉及一种硼酸铋非共线倍频晶体器件,属于光电子技术领域。本发明的主要内容是硼酸铋晶体器件的出射面切角固定,沿折射率主轴Y,入射面切角随入射基频光波长的改变而改变,当入射光波长为542nm~1380nm时晶体的入射面切角范围是(1)在φ=90°的YOZ平面内,从θ=90°到θ=70°±3°;(2)在θ=90°的XOY平面内,从φ=90°到φ=68.3°±3°。本发明采用了独特的内角全反射技术,节省了基频光的分光装置。本发明具有基频与倍频空间自然分离、转换效率高、能耗低、装置简单、成本低、适用波段宽等优点。
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