公开(公告)号：CN108315823A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201810122199.3

申请日：2018-02-07

申请人： 山东大学

发明人： 郝霄鹏 ,  胡海啸 ,  邵永亮 ,  吴拥中 ,  霍勤 ,  张保国

IPC分类号： C30B33/00 ,  C30B29/40

摘要： 一种利用激光处理衬底生长低应力自支撑GaN单晶的方法，包括以下步骤：(1)在蓝宝石衬底上外延生长一层GaN薄膜，获得MGA衬底；(2)将得到的MGA衬底进行清洗并烘干；(3)将清洗后的MGA衬底放入恒温室，蓝宝石面朝向激光器的激光出射窗口，且垂直于光束；(4)设定恒温室温度；(5)设定激光器参数，包括激光波长和激光输出能量；(6)设置激光扫描步进，并逐点扫描MGA衬底蓝宝石表面，在蓝宝石与GaN交界处形成孔洞状弱连接结构；(7)将恒温室温度降至室温；得到低应力MGA衬底。本发明在保证表面结构完整性的前提下，有效的降低了衬底的应力，从而减小HVPE生长GaN单晶的残余应力，提高GaN单晶质量，具有简单、快捷、成本低、实用性强的特点。

公开(公告)号：CN107326444B

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201710601044.3

申请日：2017-07-21

申请人： 山东大学

发明人： 郝霄鹏 ,  张保国 ,  邵永亮 ,  吴拥中 ,  霍勤 ,  胡海啸

IPC分类号： C30B33/10 ,  C30B29/40 ,  C30B7/10

摘要： 一种水热腐蚀多孔衬底生长自支撑氮化镓单晶的方法，包括以下步骤：(1)配制水热腐蚀溶液，装入水热釜，将GaN晶体Ga面朝上放入水热釜，封釜；(2)将水热釜加热反应，反应完毕后静置降温；(3)待水热釜降至室温，开釜取出GaN晶体，将GaN晶体进行清洗，并吹干，得到经水热反应腐蚀的GaN晶体(4)对上述GaN晶体进行位错密度和分布表征。本发明通过水热腐蚀的方法，在样品表面形成清晰的腐蚀形貌，借助空位辅助分离原理，制备的多孔衬底在后期生长GaN体单晶过程中，有助于缓解晶体中的应力和实现晶体的自剥离。与现有技术相比，该方法具有过程简单、操作方便、成本低、实用性强的特点，具有反应条件缓和、操作简便、孔径均一等优势。

公开(公告)号：CN107326444A

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201710601044.3

申请日：2017-07-21

申请人： 山东大学

发明人： 郝霄鹏 ,  张保国 ,  邵永亮 ,  吴拥中 ,  霍勤 ,  胡海啸

IPC分类号： C30B33/10 ,  C30B29/40 ,  C30B7/10

摘要： 一种水热腐蚀多孔衬底生长自支撑氮化镓单晶的方法，包括以下步骤：(1)配制水热腐蚀溶液，装入水热釜，将GaN晶体Ga面朝上放入水热釜，封釜；(2)将水热釜加热反应，反应完毕后静置降温；(3)待水热釜降至室温，开釜取出GaN晶体，将GaN晶体进行清洗，并吹干，得到经水热反应腐蚀的GaN晶体(4)对上述GaN晶体进行位错密度和分布表征。本发明通过水热腐蚀的方法，在样品表面形成清晰的腐蚀形貌，借助空位辅助分离原理，制备的多孔衬底在后期生长GaN体单晶过程中，有助于缓解晶体中的应力和实现晶体的自剥离。与现有技术相比，该方法具有过程简单、操作方便、成本低、实用性强的特点，具有反应条件缓和、操作简便、孔径均一等优势。