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公开(公告)号：CN109487335A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201910015993.2
申请日：2019-01-08
申请人： 山东大学
摘要： 一种用于氮化铝单晶生长的籽晶粘接方法，包括(1)将铝酸盐粉末与无机聚合物粘结剂混合均匀，制成无机胶；(2)将无机胶均匀涂到衬底上；(3)将直径为5-300mm，厚度为0.1-5mm的AlN籽晶置于衬底上的无机胶上；(4)将粘接好的籽晶先在10-80N压力下室温放置5～20小时；(5)然后将籽晶和衬底一同放入50-300℃烘箱中加热1-12h后，缓慢降温，最终籽晶和衬底紧密粘合。本发明无需特殊复杂工艺使大尺寸AlN籽晶牢固粘接在衬底上，不易产生空隙，且能经受2200℃以上高温，籽晶不脱落，工艺简单，成本低，在粘结籽晶上能够生长出高质量AlN单晶，适合于批量生产。
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公开(公告)号：CN107082408A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710481725.0
申请日：2017-06-22
申请人： 山东大学
IPC分类号： C01B21/082 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC分类号： C01B21/0828 , C01P2002/82 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/60
摘要： 一种利用冷冻干燥处理制备多孔硼碳氮纳米片的方法，包括以下步骤：(1)将硼源、碳源和氮源按比例混合，形成原料混合物，加水使原料混合物溶解，形成原料混合物溶液；(2)将原料混合物溶液冷凝固化后进行冷冻干燥处理；(3)将冷冻干燥得到的粉末在气氛保护或者真空环境下，800℃～1200℃反应0.5小时～12小时；(4)放入球磨机内球磨2小时～8小时；(5)待球磨产物冷却至室温后，清洗干燥处理，即得到多孔硼碳氮纳米片。该方法操作程序简单，有利于提高产率，降低成本；反应过程中的各种参数易于监测和控制，容易研究反应机理，找出最关键的影响因素，尽快稳定工艺条件；环境污染少，有利于环境保护。
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公开(公告)号：CN104060323A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410334205.3
申请日：2014-07-14
申请人： 山东大学
摘要： 本发明提供一种通过制备具有N面锥形结构的衬底实现自剥离并获得自支撑GaN单晶的方法，包括以下步骤：(1)在衬底上外延生长GaN薄膜，形成GaN外延片；(2)对GaN外延片使用化学湿法腐蚀进行Ga面腐蚀形成到达衬底的腐蚀坑；(3)制备在GaN的N面具有顶点朝向衬底的锥形结构的衬底；(4)把制备好的GaN外延片放入水中以停止锥形结构的形成；(5)将GaN外延片通过氢化物气相外延生长GaN单晶，(6)GaN单晶结束后经过降温过程，实现从衬底上自剥离，得到自支撑GaN单晶。该方法具有成本低、简单易行的特点，能够获得高质量的GaN单晶。
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公开(公告)号：CN107946088B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201711039793.8
申请日：2017-10-30
申请人： 山东大学
CPC分类号： Y02E60/13
摘要： 一种超级电容器电极用金属氧化物复合氮氧化物的制备方法，包括以下步骤：(1)将金属盐、尿素和氯化钠溶解于去离子水中，分散均匀，然后加入衬底材料；(2)将混合溶液加入到反应釜中放置于恒温干燥箱中反应；(3)将反应得到的产物进行抽滤，水洗和醇洗，干燥；(4)将产物在保护气体作用下升温，通入氨气继续保温，通入保护气体，自然降温，制得金属氧化物/氮氧化物复合材料。本发明在不使用任何表面活性剂或者模板的情况下，通过简单的一步煅烧法成功地得到具有氮氧层保护的金属氧化物材料，利用该种材料制备的工作电极体比容量高、循环稳定性好，功率‑能量密度优异，适合用于应用于超级电容器。
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公开(公告)号：CN109437127A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811510645.4
申请日：2018-12-11
申请人： 山东大学
IPC分类号： C01B21/064 , C01B32/21 , C01G39/06 , C01B21/082 , B82Y40/00 , B01J19/10
摘要： 一种利用微纳米粒子辅助超声制备二维纳米材料的方法，包括以下步骤：(1)将需要剥离的原料按质量和溶剂体积比1:100-1:400的比例分散于容器中，形成分散溶液，并根据需要加入辅助剥离的微纳米粒子；(2)将分散溶液的容器置于全方位搅拌超声仪器中，在频率20KHz-60KHz,温度25-60℃温度下，时间15小时-48小时，超声处理；(3)将步骤(2)得到的产物静置并过滤洗涤后，即得到二维材料的纳米片。该方法利用微纳米粒子辅助超声的方法制备二维纳米材料，超声无死角，溶剂廉价易得，具有操作简单，超声无死角，溶剂廉价易得，辅助剥离的微纳米粒子易得且可循环利用，具有对环境无毒、所需温度低、产量高的特点，不需要复杂昂贵的仪器设备。
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公开(公告)号：CN107946088A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711039793.8
申请日：2017-10-30
申请人： 山东大学
摘要： 一种超级电容器电极用金属氧化物复合氮氧化物的制备方法，包括以下步骤：(1)将金属盐、尿素和氯化钠溶解于去离子水中，分散均匀，然后加入衬底材料；(2)将混合溶液加入到反应釜中放置于恒温干燥箱中反应；(3)将反应得到的产物进行抽滤，水洗和醇洗，干燥；(4)将产物在保护气体作用下升温，通入氨气继续保温，通入保护气体，自然降温，制得金属氧化物/氮氧化物复合材料。本发明在不使用任何表面活性剂或者模板的情况下，通过简单的一步煅烧法成功地得到具有氮氧层保护的金属氧化物材料，利用该种材料制备的工作电极体比容量高、循环稳定性好，功率-能量密度优异，适合用于应用于超级电容器。
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公开(公告)号：CN107326444A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710601044.3
申请日：2017-07-21
申请人： 山东大学
摘要： 一种水热腐蚀多孔衬底生长自支撑氮化镓单晶的方法，包括以下步骤：(1)配制水热腐蚀溶液，装入水热釜，将GaN晶体Ga面朝上放入水热釜，封釜；(2)将水热釜加热反应，反应完毕后静置降温；(3)待水热釜降至室温，开釜取出GaN晶体，将GaN晶体进行清洗，并吹干，得到经水热反应腐蚀的GaN晶体(4)对上述GaN晶体进行位错密度和分布表征。本发明通过水热腐蚀的方法，在样品表面形成清晰的腐蚀形貌，借助空位辅助分离原理，制备的多孔衬底在后期生长GaN体单晶过程中，有助于缓解晶体中的应力和实现晶体的自剥离。与现有技术相比，该方法具有过程简单、操作方便、成本低、实用性强的特点，具有反应条件缓和、操作简便、孔径均一等优势。
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公开(公告)号：CN104843695A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510275154.6
申请日：2015-05-26
申请人： 山东大学
摘要： 一种全方位搅拌超声制备二维纳米片层材料的方法，包括以下步骤：(1)将需要剥离的原料分散于溶剂中，形成分散溶液；(2)将分散溶液置于超声波环境中，并于25-100℃温度下磁力搅拌，超声搅拌处理时间为1小时-48小时，使分散溶液进行全方位无死角的充分分散及剥离；(3)将步骤(2)得到的产物过滤洗涤，得到二维材料的纳米片。该方法利用全方位搅拌超声的方法制备二维纳米材料，操作简单，超声无死角，溶剂廉价易得，可循环利用，具有对环境无毒、所需温度低、产量高的特点，不需要复杂昂贵的仪器设备。
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公开(公告)号：CN103741220A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410024654.8
申请日：2014-01-20
申请人： 山东大学
摘要： 一种利用石墨烯或氧化石墨烯生长高质量氮化镓晶体的方法，包括以下步骤：（1）配制浓度为0.005-0.1mg/ml的石墨烯纳米片分散液或浓度为0.001-0.02mg/ml的氧化石墨烯纳米片分散液；（2）将配好的石墨烯纳米片分散液或氧化石墨烯纳米片分散液直接涂于用于制备GaN晶体的衬底上，烘干后待用，烘干方法是在真空干燥箱内80℃-200℃干燥1-8小时；（3）将制备好的衬底放入氢化物气相外延系统中进行GaN晶体外延生长。该方法减小了GaN单晶的位错密度，GaN晶体质量有明显的提高，无需采用复杂、昂贵的工艺制备具有特殊结构的氮化镓基板，工艺简单，成本低廉，且生长温度低，适用于批量生产。
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公开(公告)号：CN109487335B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201910015993.2
申请日：2019-01-08
申请人： 山东大学
摘要： 一种用于氮化铝单晶生长的籽晶粘接方法，包括(1)将铝酸盐粉末与无机聚合物粘结剂混合均匀，制成无机胶；(2)将无机胶均匀涂到衬底上；(3)将直径为5‑300mm，厚度为0.1‑5mm的AlN籽晶置于衬底上的无机胶上；(4)将粘接好的籽晶先在10‑80N压力下室温放置5～20小时；(5)然后将籽晶和衬底一同放入50‑300℃烘箱中加热1‑12h后，缓慢降温，最终籽晶和衬底紧密粘合。本发明无需特殊复杂工艺使大尺寸AlN籽晶牢固粘接在衬底上，不易产生空隙，且能经受2200℃以上高温，籽晶不脱落，工艺简单，成本低，在粘结籽晶上能够生长出高质量AlN单晶，适合于批量生产。
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