稀土钙钛矿镍氧化合物高气压助熔剂法晶体生长及应用

    公开(公告)号:CN115787060A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211337263.2

    申请日:2022-10-28

    申请人: 山东大学

    IPC分类号: C30B9/12 C30B29/24

    摘要: 本发明涉及稀土钙钛矿镍氧化合物高气压助熔剂法晶体生长及应用,以NiO、R2O3为原料,R为稀土元素,采用碱助熔剂体系充入氧气条件下进行晶体生长,先升温至400‑500℃使原料充分熔化,然后降温至生长温度使晶体生长,氧气压力范围为5‑300bar,生长温度为150‑450℃,生长结束后得到稀土钙钛矿镍氧化合物RNiO3晶体。本发明利用碱助熔剂体系,将RNiO3晶体生长温度降至500℃以下,所需氧压降至300bar以下,大大减小生长过程中的危险性,提高了晶体尺寸,在更低条件下得到了相对更大尺寸的RNiO3晶体,晶体尺寸可达45‑60μm。

    一种常压下生长钙钛矿镍氧化合物单晶的方法

    公开(公告)号:CN117127260A

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202310922576.2

    申请日:2023-07-26

    申请人: 山东大学

    IPC分类号: C30B29/22 C30B9/12 H01M4/90

    摘要: 本发明涉及一种常压下生长钙钛矿镍氧化合物单晶的方法,以Ni源、La2O3为原料,采用无水K2CO3或Na2CO3和NaCl的混合物作为助熔剂,先升温使原料熔化,然后降温至生长温度,常压条件下进行晶体生长,生长结束后去除助熔剂得到Lan+1NinO3n+1(n=2,3)晶体。本发明利用助熔剂法,无需高压,首次脱离高氧压条件,实现了在常压下生长出钙钛矿镍氧化合物Rn+1NinO3n+1(n=2~7)单晶,大大降低了晶体生长门槛,并减小了生长过程中的危险性,为镍基高温超导机理研究解决了材料平台的关键问题,具有重要的基础研究价值和潜在应用前景。

    一种常压下生长钙钛矿镍氧化合物单晶的方法

    公开(公告)号:CN117127260B

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202310922576.2

    申请日:2023-07-26

    申请人: 山东大学

    IPC分类号: C30B29/22 C30B9/12 H01M4/90

    摘要: 本发明涉及一种常压下生长钙钛矿镍氧化合物单晶的方法,以Ni源、La2O3为原料,采用无水K2CO3或Na2CO3和NaCl的混合物作为助熔剂,先升温使原料熔化,然后降温至生长温度,常压条件下进行晶体生长,生长结束后去除助熔剂得到Lan+1NinO3n+1(n=2,3)晶体。本发明利用助熔剂法,无需高压,首次脱离高氧压条件,实现了在常压下生长出钙钛矿镍氧化合物Rn+1NinO3n+1(n=2~7)单晶,大大降低了晶体生长门槛,并减小了生长过程中的危险性,为镍基高温超导机理研究解决了材料平台的关键问题,具有重要的基础研究价值和潜在应用前景。