超疏水压力传感器、制备方法及自清洁咬合力监测系统

    公开(公告)号:CN118576211A

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202410664382.1

    申请日:2024-05-27

    IPC分类号: A61B5/22 B82Y15/00 G01L5/00

    摘要: 本发明属于咬合力监测技术领域,为了解决目前咬合力监测设备与口腔环境匹配性差的技术问题,提供了一种超疏水压力传感器、制备方法及自清洁咬合力监测系统。其中,超疏水压力传感器包括依次从上到下设置的第一电极、第一超疏水改性碳纳米管多孔膜、超疏水改性无碳纳米管多孔膜、第二超疏水改性碳纳米管多孔膜和第二电极。其适用于口腔环境,其能够有效规避口腔环境不良的腐蚀和信号噪声,保障咬合力传感元件长时间使用的准确性和可靠性。

    基于金属纳米颗粒电极的电加热器及其制备方法、应用

    公开(公告)号:CN116056266A

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202211519253.0

    申请日:2022-11-30

    发明人: 钱凯 孙博文

    IPC分类号: H05B3/03 H05B3/20 H05B3/12

    摘要: 本发明公开了一种基于金属纳米颗粒电极的电加热器及其制备方法、应用,涉及金属纳米颗粒电极技术领域。通过向衬底表面喷涂/刮涂/滴涂金属纳米颗粒溶液,在毛细驱动力的作用下自组装形成栅格网络结构,通过热压方式赋予金属纳米颗粒层导电性并将其转印到薄膜表面,待冷却后将转印有金属纳米颗粒栅格网络的薄膜从衬底表面剥离下来,得到所述的金属纳米颗粒栅格网络电加热器。经验证,该电加热器同时满足热均匀分布、高饱和温度、低压驱动的需求,在相同的目标温度下,可降低功耗,并且极大扩展应用范围,使其可应用于某些极端环境中。

    一种透明宽禁带痛觉神经元感受器的制备方法及感知系统

    公开(公告)号:CN118660614A

    公开(公告)日:2024-09-17

    申请号:CN202410698405.0

    申请日:2024-05-31

    IPC分类号: H10N70/00 H10N70/20 A61B5/00

    摘要: 本发明属于神经元感受器领域,提供了透明宽禁带痛觉神经元感受器的制备方法及感知系统。其中,透明宽禁带痛觉神经元感受器的制备方法包括采用透明材质作为衬底;在衬底上铺设具有横向镂空图案的第一掩膜板,通过磁控溅射沉积设定厚度的氧化铟锡层,再去除第一掩膜板,得到氧化铟锡层底部电极;在氧化铟锡层底部电极上,通过磁控溅射沉积设定厚度的氮化铝层,形成介质层;在介质层上铺设具有纵向镂空图案的第二掩膜板,通过磁控溅射沉积设定厚度的氧化铟锡层,再去除第二掩膜板,得到氧化铟锡层顶部电极;氧化铟锡层底部电极与氧化铟锡层顶部电极形成crossbar结构,crossbar结构的每个交叉点形成一个透明宽禁带痛觉神经元感受器。

    基于铟铝锌氧化物的神经形态忆阻器、制备方法及设备

    公开(公告)号:CN116209344A

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202310113309.0

    申请日:2023-02-10

    IPC分类号: H10N70/20

    摘要: 本发明属于忆阻器技术领域,针对传统忆阻器材料的电阻转变性能单一,并且缺少对器件稳定性调控的问题,提供了一种基于铟铝锌氧化物的神经形态忆阻器、制备方法及设备。其中,神经形态忆阻器包括由下到上依次设置的衬底、底电极、介质层和顶电极,所述顶电极和底电极用于分别连接正向电压和负向电压,所述介质层为铟铝锌氧化物层。该忆阻器制备工艺简单,阻变性能变化小,一致性、循环次数和维持时间优良。本发明可以通过更换电极来实现透明忆阻器件的制备,在光电应用领域具有重要潜力,同时在不同的电极选取下具有非易失性和易失性两种阻变特性,可模拟生物的突触可塑性和生物的痛觉感受器功能,在实现类脑神经形态计算中具有重要前景。

    一种透明的双层结构忆阻器及其制备方法

    公开(公告)号:CN113224236B

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN202110512729.7

    申请日:2021-05-11

    发明人: 钱凯 韩旭

    IPC分类号: H01L45/00

    摘要: 本发明属于导体器件微纳加工技术领域,尤其涉及一种透明的双层结构忆阻器及其制备方法。其中,双层结构忆阻器由下至上依次设置的衬底、底电极和顶电极构成,所述顶电极和底电极用于连接分别正电压和负电压,以实现忆阻器的易失性和自限流性。

    一种咖啡环形貌金属纳米线导电电极的普适性制备方法

    公开(公告)号:CN113270234A

    公开(公告)日:2021-08-17

    申请号:CN202110511273.2

    申请日:2021-05-11

    发明人: 钱凯 孙博文

    IPC分类号: H01B13/00 H01B5/14

    摘要: 本发明属于导电电极技术领域,提供了一种咖啡环形貌金属纳米线导电电极的普适性制备方法。其中,该导电电极的制备方法包括使用物理或化学方面调控任一基材表面接触角至60°‑180°,然后向基材表面喷覆金属纳米线溶液;在毛细流动的作用下,溶液中的金属纳米线从中心位置被驱动到边缘位置,形成有序网格结构(也可称之为咖啡环结构)的金属纳米线导电电极。

    嵌入式银纳米线环状导电网络的柔性透明可降解薄膜加热器及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN114126116A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202111201278.1

    申请日:2021-10-15

    发明人: 钱凯 洪旺 孙博文

    IPC分类号: H05B3/12 H01B13/00

    摘要: 本发明涉及一种嵌入式银纳米线环状导电网络的柔性透明可降解薄膜加热器及其制备方法与应用,该方法通过调整银纳米线溶液浓度和喷涂设备的喷嘴尺寸与载运气体压强,向聚合物薄膜衬底表面喷涂银纳米线溶液,在毛细流动的作用下,银纳米线溶液中的银纳米线从中心位置被驱动到边缘位置,形成规则的银纳米线咖啡环形貌;干燥后在聚合物薄表面得到银纳米线环状导电网络薄膜,得到的薄膜加热器具有均匀的方阻,从而使薄膜加热器具有均匀的加热性能,并且具有优良的长时间稳定和循环的加热性能。并且可以通过改变喷涂银纳米线的量与施加薄膜加热器两端电压的大小来调整薄膜加热器的透明度和加热性能,更好地满足不同应用领域的需求。

    一种透明的双层结构忆阻器及其制备方法

    公开(公告)号:CN113224236A

    公开(公告)日:2021-08-06

    申请号:CN202110512729.7

    申请日:2021-05-11

    发明人: 钱凯 韩旭

    IPC分类号: H01L45/00

    摘要: 本发明属于导体器件微纳加工技术领域,尤其涉及一种透明的双层结构忆阻器及其制备方法。其中,双层结构忆阻器由下至上依次设置的衬底、底电极和顶电极构成,所述顶电极和底电极用于连接分别正电压和负电压,以实现忆阻器的易失性和自限流性。