公开(公告)号：CN118398396A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410402819.4

申请日：2024-04-03

Applicant: 山东大学深圳研究院 ,  山东大学苏州研究院

Inventor： 王守志 ,  梁昶 ,  张雷 ,  谢寿天 ,  聂鸿坤 ,  王国栋 ,  徐现刚

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/84 ,  H01G11/32 ,  H01G11/64

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种基于三维碳化硅的宽温域超级电容器及其制备方法。本发明将碳化硅单晶经激光切割、浸泡除去氧化层、激光刻蚀形成沟道结构、电化学刻蚀处理后获得三维碳化硅电极，将三维碳化硅电极分别作为正极、负极电极材料进行叠加并由隔膜分隔，填充添加乙二醇的电解液，组成得到基于三维碳化硅的宽温域超级电容器。本发明的宽温域超级电容器具有较宽的工作温度范围和优异的循环稳定性，具有较高的比容量，可在‑40～150℃温度下正常工作，优于大多市面上常见的超级电容器的工作范围，表现出优异的电化学储能特性，同时兼具优良的能量‑功率密度。