一种长晶炉气体供送装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113174637A

    公开(公告)日:2021-07-27

    申请号:CN202110455087.1

    申请日:2021-04-26

    IPC分类号: C30B29/36 C30B23/00 C30B28/12

    摘要: 本申请公开了一种长晶炉气体供送装置,包括多个对长晶炉的晶体生长腔提供气体的气体供送单元,每个气体供送单元均包括气体源、第一气体通道和第二气体通道,第一气体通道上设有第一流量控制单元,第二气体通道上设有第二流量控制单元;每个气体源经与其对应的第一气体通道和第一流量控制单元与晶体生长腔气路连通,每个气体源经与其对应的第二气体通道和第二流量控制单元与晶体生长腔气路连通;当第一流量控制单元和第二流量控制单元中的一个处于异常工作状态时,气体源经两者中的另一个所在的气路对晶体生长腔提供所需气体。本申请所公开的长晶炉气体供送装置可按工艺需求可靠地对晶体生长腔提供所需的气体,且具有供气稳定、可自动排障等优点。

    一种高效晶体生长炉及其使用方法

    公开(公告)号:CN118127634A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202410307724.4

    申请日:2024-03-18

    IPC分类号: C30B29/36 C30B35/00

    摘要: 本发明公开了一种高效晶体生长炉及其使用方法,涉及晶体生长技术领域,其包括机架以及位于机架上方的晶体生长腔,所述机架包括一个能够上下升降的移动盘,移动盘上安装有转盘,转盘上并排安装有缓存腔及上料腔,缓存腔与上料腔均位于晶体生长腔的下方并关于转盘所旋转的轴线对称;当转盘旋转至一定角度,缓存腔或上料腔能够与晶体生长腔上下对齐。本发明采用三腔室结构,当长晶完成后可以通过升降旋转机构将晶体生长腔内的坩埚托盘送至缓存腔进行冷却,然后转动转盘,将上料腔与晶体生长腔对接、上料。这样,缓慢降温冷却阶段可与下一轮长晶过程同时进行,解决了现有技术中晶体生长炉生产效率低的技术问题。

    一种长晶炉压力控制器自动修复系统及方法

    公开(公告)号:CN118345508A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202410345518.2

    申请日:2024-03-25

    IPC分类号: C30B29/36 C30B35/00

    摘要: 本发明提供一种长晶炉压力控制器自动修复系统及方法,属于碳化硅生长及外延技术领域,所述系统包括工控计算机、控制扩展模块、截止阀、真空泵和压力控制器接口;控制扩展模块与工控计算机、截止阀、真空泵均连接;工控计算机还与压力控制器接口连接;截止阀一端与大气连通,另一端通过第一气体管路与压力控制器接口连接,压力控制器通过第二气体管路与真空泵连接;第一气体管路上设有压力传感器,压力传感器与压力控制器接口连接;压力控制器接口连接有压力控制器;工控计算机向压力控制器发送磨合指令,并在磨合指令完成后验证压力控制器的密封性,进行压力控制器参数配置修复。本发明实现压力控制器密封圈的自动磨合修复过程,高效快捷。

    一种长晶炉气体供送装置

    公开(公告)号:CN113174637B

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202110455087.1

    申请日:2021-04-26

    IPC分类号: C30B29/36 C30B23/00 C30B28/12

    摘要: 本申请公开了一种长晶炉气体供送装置,包括多个对长晶炉的晶体生长腔提供气体的气体供送单元,每个气体供送单元均包括气体源、第一气体通道和第二气体通道,第一气体通道上设有第一流量控制单元,第二气体通道上设有第二流量控制单元;每个气体源经与其对应的第一气体通道和第一流量控制单元与晶体生长腔气路连通,每个气体源经与其对应的第二气体通道和第二流量控制单元与晶体生长腔气路连通;当第一流量控制单元和第二流量控制单元中的一个处于异常工作状态时,气体源经两者中的另一个所在的气路对晶体生长腔提供所需气体。本申请所公开的长晶炉气体供送装置可按工艺需求可靠地对晶体生长腔提供所需的气体,且具有供气稳定、可自动排障等优点。

    一种长晶炉气体供送装置

    公开(公告)号:CN214881931U

    公开(公告)日:2021-11-26

    申请号:CN202120876179.2

    申请日:2021-04-26

    IPC分类号: C30B23/00 C30B29/36

    摘要: 本申请公开了一种长晶炉气体供送装置,包括多个对长晶炉的晶体生长腔提供气体的气体供送单元,每个气体供送单元均包括气体源、第一气体通道和第二气体通道,第一气体通道上设有第一流量控制单元,第二气体通道上设有第二流量控制单元;每个气体源经与其对应的第一气体通道和第一流量控制单元与晶体生长腔气路连通,每个气体源经与其对应的第二气体通道和第二流量控制单元与晶体生长腔气路连通;当第一流量控制单元和第二流量控制单元中的一个处于异常工作状态时,气体源经两者中的另一个所在的气路对晶体生长腔提供所需气体。本申请所公开的长晶炉气体供送装置可按工艺需求可靠地对晶体生长腔提供所需的气体,且具有供气稳定、可自动排障等优点。

    一种带有特气控制系统的长晶设备

    公开(公告)号:CN220703865U

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202322375274.6

    申请日:2023-09-01

    IPC分类号: C30B29/36 C30B23/00

    摘要: 一种带有特气控制系统的长晶设备,涉及碳化硅晶体生长技术领域,技术方案是:包括反应腔和用于向反应腔供气的进气管,还包括恒温组件,恒温组件包括换热管和换热器,换热管的两端分别与换热器的进口和出口连接。本技术方案的有益效果是:通过恒温柜、测温计、换热器和换热部的配合,能直接监控输送到恒温柜内特气的温度,再通过换热器和换热部,对输送的特气进行加热或者散热,使特气温度达到恒定可控,通过恒温室,输送到反应腔前的管路再进行保温处理,从而让特气温度更加稳定,同时设置第一输送管和第二输送管,当设备损坏或者维修时,可以随时更换管路,避免了出现故障的设备带病运行,保证了长晶设备的长期稳定运行。