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公开(公告)号：CN113956039B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202111448241.9
申请日：2021-11-30
申请人： 山东山科智晶光电科技有限公司
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/638
摘要： 本发明属于无机非金属材料领域，涉及人工晶体及功能陶瓷材料制备，具体涉及一种大尺寸高品质钽铌酸钾陶瓷靶材的制备方法。其制备方法为：时将钽铌酸钾晶体废料进行清洗获得陶瓷前体，将陶瓷前体破碎过筛获得前体粉末，将前体粉末与粘结剂混合后进行造粒，将造粒后的粉末依次进行干压成型、升温排胶、烧结，即得；其中，清洗钽铌酸钾晶体废料的过程包括：将钽铌酸钾晶体废料浸泡至酸溶液中去除碱性成分。本发明采用钽铌酸钾晶体废料为原料，实现了资源合理化再利用，制作过程中没有固相反应发生，因此烧结时间短，且制成的陶瓷靶材物相均一，尺寸可控。
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公开(公告)号：CN113638046B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110937385.4
申请日：2021-08-16
申请人： 山东省科学院新材料研究所 , 山东山科智晶光电科技有限公司
摘要： 本发明属于无铅反铁电晶体领域，具体涉及一种反铁电AgNbO3晶体的制备方法及应用。所述制备方法中，以V2O5和Na2SO4复配作为助熔剂制备反铁电AgNbO3晶体。本发明提供的反铁电AgNbO3晶体制备方法，通过以V2O5和Na2SO4复配作为助熔剂，能够有效避免V2O5透过刚玉坩埚析出而腐蚀熔盐炉，可将生长原料及刚玉坩埚的利用率提高3倍以上，将晶体生长成本降低到原来的30％以下。
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公开(公告)号：CN113956039A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111448241.9
申请日：2021-11-30
申请人： 山东山科智晶光电科技有限公司
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/638
摘要： 本发明属于无机非金属材料领域，涉及人工晶体及功能陶瓷材料制备，具体涉及一种大尺寸高品质钽铌酸钾陶瓷靶材的制备方法。其制备方法为：时将钽铌酸钾晶体废料进行清洗获得陶瓷前体，将陶瓷前体破碎过筛获得前体粉末，将前体粉末与粘结剂混合后进行造粒，将造粒后的粉末依次进行干压成型、升温排胶、烧结，即得；其中，清洗钽铌酸钾晶体废料的过程包括：将钽铌酸钾晶体废料浸泡至酸溶液中去除碱性成分。本发明采用钽铌酸钾晶体废料为原料，实现了资源合理化再利用，制作过程中没有固相反应发生，因此烧结时间短，且制成的陶瓷靶材物相均一，尺寸可控。
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公开(公告)号：CN113638046A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110937385.4
申请日：2021-08-16
申请人： 山东省科学院新材料研究所 , 山东山科智晶光电科技有限公司
摘要： 本发明属于无铅反铁电晶体领域，具体涉及一种反铁电AgNbO3晶体的制备方法及应用。所述制备方法中，以V2O5和Na2SO4复配作为助熔剂制备反铁电AgNbO3晶体。本发明提供的反铁电AgNbO3晶体制备方法，通过以V2O5和Na2SO4复配作为助熔剂，能够有效避免V2O5透过刚玉坩埚析出而腐蚀熔盐炉，可将生长原料及刚玉坩埚的利用率提高3倍以上，将晶体生长成本降低到原来的30％以下。
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公开(公告)号：CN116949551A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310947040.6
申请日：2023-07-29
申请人： 山东越海通信科技股份有限公司 , 山东山科智晶光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及磁性存储领域，尤其涉及一种EuInO3晶体的溶剂热制备方法和应用。本发明EuInO3晶体采用溶剂热法，生长设备简单，生长条件容易，可有效降低生长成本，有利于EuInO3晶体的研究；同时该EuInO3晶体制备方法有利于磁旋涡技术的研究推广，为EuInO3晶体在磁性存储方面的应用奠定基础。
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公开(公告)号：CN218232652U
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202222845467.9
申请日：2022-10-27
申请人： 山东山科智晶光电科技有限公司
IPC分类号： C30B35/00
摘要： 本实用新型公开了一种晶体生长炉，包括外壳，所述外壳内部设置有加热机构，所述加热机构下方设置有移动机构，所述加热机构包括腔体一，所述腔体一内部设置有生长炉，所述生长炉放置在固定套内，所述固定套下部设有转动装置，所述固定套外侧围绕有圆形加热台，圆形加热台内壁固定设置有加热丝，所述外壳一侧内壁贯通开设有出风口，所述出风口内壁固定设置有过滤网。本设备通过电机带动连杆转动，继而带动转盘转动，实现了晶体生长过程中受热均匀，有利于晶体生长均匀。
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公开(公告)号：CN217819302U
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202222217673.5
申请日：2022-08-23
申请人： 山东山科智晶光电科技有限公司
IPC分类号： G01M11/02
摘要： 一种新型光学晶体实验装置，包括循环水箱和晶体柱，所述循环水箱连接有循环水路，所述循环水路中流动的恒温冷却液使循环水箱保持恒定温度，所述晶体柱中部设置有沿晶体柱轴向方向贯穿设有通光孔，在所述通光孔中部设置有光学晶体，光学实验用的激光能够从通光孔中穿过光学晶体射出，所述光学晶体的两侧贴合连接有导电模块，所述导电模块的导线伸出晶体柱外与电源连接，所述光学晶体及其两侧设置的导电模块采用一体制造的方式固定在晶体柱中，从而对光学晶体进行稳定固定，所述循环水箱的中间设置有贯穿的连接腔，所述晶体柱滑动连接在连接腔中，这种连接方式，使晶体柱更换起来十分方便，大大缩短了更换光学晶体所需的时间。
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公开(公告)号：CN218975049U
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202223472030.1
申请日：2022-12-26
申请人： 山东山科智晶光电科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种便于安装的二次电光偏转效应演示仪，涉及二次电光偏转效应演示仪技术领域。本实用新型包括工作台和演示仪本体，工作台的底部四角处均安装有支撑腿，工作台上表面设置有移动机构，移动机构上安装有安装块，安装块的前端面开设有插槽，插槽为“T”形结构。本实用新型通过将安装板安装在演示仪本体上后，将安装板上的插柱对准安装块上的插槽并插入进去，插入时楔形块会被插槽挤压，楔形块在滑槽内滑动并挤压第一弹簧，当插柱完全进入到插槽内时第一弹簧将楔形块弹到插槽内，楔形块卡紧在插槽内，以此可以达到快速安装演示仪本体的效果，提高了演示仪本体安装工作的便捷性，有效地提高了演示仪本体安装工作的工作效率。
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公开(公告)号：CN218707102U
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202223030062.6
申请日：2022-11-15
申请人： 山东山科智晶光电科技有限公司
IPC分类号： B65G47/91
摘要： 本实用新型涉及光学晶体制造技术领域，公开了一种负压式晶体吸附装置，包括吸附机构和辅助机构，所述吸附机构包括吸附筒和吸附杆，所述吸附杆与吸附筒的上端之间通过螺纹连接，所述吸附杆伸入吸附筒的一端连接有真空活塞，所述吸附杆与吸附筒螺纹连接的方式，能够吸附筒中的压力保持恒定，所述辅助机构包括连接机构，所述连接机构连接在吸附筒的下端，其远离吸附筒的一端设置有吸附头，所述连接机构的一侧活动连接有转动杆，其远离连接机构的一端固定连接有防脱落箱，所述防脱落箱朝向吸附头一侧设置有收集槽，所述收集槽能够与吸附头的投影相重合，使光学晶体在被吸起进行转移的过程中，避免光学晶体触地损坏。
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公开(公告)号：CN218638055U
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202223200136.6
申请日：2022-11-30
申请人： 山东山科智晶光电科技有限公司
摘要： 一种KTN晶体清洗装置，包括固定座、夹持模块、冲洗模块和擦拭模块，所述固定座的中间设置有清洗槽，所述夹持模块由两只对称设置的夹爪组成，所述夹爪与固定座转动连接，两只所述夹爪的头部对称伸入清洗槽中，所述冲洗模块包括冲洗喷头，所述冲洗喷头设置在清洗槽中且朝向两只夹爪的头部之间，所述冲洗喷头还通过管道连接有冲洗泵，所述擦拭模块设置在两只夹爪的头部上方，与固定座转动连接，其下端伸入清洗槽中，下端的下侧贴合有无尘布，其上端从固定座的上方伸出，所述擦拭模块下端的无尘布与被夹持的KTN晶体表面发生相对转动，从而实现对KTN晶体的擦拭清洁，能够有效提升KTN晶体的清洗效率。
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