公开(公告)号：CN104867884A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510159293.2

申请日：2015-04-07

申请人： 山东晶导微电子有限公司

发明人： 孔凡伟 ,  贺先忠 ,  段花山 ,  陆新城 ,  刘君 ,  袁小平 ,  荀义

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/48

摘要： 本发明的高散热性能的SMT二极管封装结构，包括塑封体，塑封体的两端底面上分别设置有引脚，所述引脚为“T”字形结构，引脚包括引脚前端和引脚后端，引脚后端部分与塑封体底面结合，引脚后端的宽度与塑封体的宽度相等。本发明将引脚设计成“T”字形结构，在兼容市场上大多数类似封装的情况下，有着良好的散热效果，使得封装的产品有更低的热阻，较同外形尺寸的其它封装形式其热阻能减少35%左右，封装的功率密度（W/mm2）较以前的SOD123提高大约10.5%。

公开(公告)号：CN104867884B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201510159293.2

申请日：2015-04-07

申请人： 山东晶导微电子有限公司

发明人： 孔凡伟 ,  贺先忠 ,  段花山 ,  陆新城 ,  刘君 ,  袁小平 ,  荀义

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/48

摘要： 本发明的高散热性能的SMT二极管封装结构，包括塑封体，塑封体的两端底面上分别设置有引脚，所述引脚为“T”字形结构，引脚包括引脚前端和引脚后端，引脚后端部分与塑封体底面结合，引脚后端的宽度与塑封体的宽度相等。本发明将引脚设计成“T”字形结构，在兼容市场上大多数类似封装的情况下，有着良好的散热效果，使得封装的产品有更低的热阻，较同外形尺寸的其它封装形式其热阻能减少35%左右，封装的功率密度（W/mm2）较以前的SOD123提高大约10.5%。

公开(公告)号：CN204651306U

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201520202747.5

申请日：2015-04-07

申请人： 山东晶导微电子有限公司

发明人： 孔凡伟 ,  贺先忠 ,  刘君 ,  陆新城 ,  段花山 ,  袁小平 ,  荀义

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L23/31

摘要： 本实用新型的潜脚式表面贴装功率器件封装结构，包括塑封体，塑封体的两端底面上分别设置有引脚，所述引脚为“T”字形结构，引脚包括引脚前端和引脚后端，引脚后端部分与塑封体底面结合，引脚后端的宽度与塑封体的宽度相等。本实用新型将引脚设计成“T”字形结构，在兼容市场上大多数类似封装的情况下，有着良好的散热效果，使得封装的产品有更低的热阻，较同外形尺寸的其它封装形式其热阻能减少35%左右，封装的功率密度（W/mm2）较以前的SOD123提高大约10.5%。