公开(公告)号：CN116001120B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202211670509.8

申请日：2022-12-14

申请人： 山东有研半导体材料有限公司 ,  有研半导体硅材料股份公司

发明人： 褚天宇 ,  蔡明 ,  朱秦发 ,  王学峰 ,  李亚光 ,  皇志威

IPC分类号： B28D5/04

摘要： 本发明公开了一种半导体单晶硅片金刚线切割的工艺方法。该方法中使用的原辅材料包括切割辊涂覆材料、过线轮材料、水性切削液、金刚线，其中，所述切割辊涂覆材料为高分子聚乙烯材料；过线轮线圈材质选用高分子聚乙烯材料，支撑框架采用铝合金材质，使用高温压制法将支撑框架及高分子聚乙烯线圈压制为一整体；水性切削液与水配比采用1：200±20比例；金刚线选用母线线径为90‑110μm，粒径为5‑12μm的电镀金刚石线；采用分段式往复切割法，根据单晶长度和切片厚度分步骤和切割阶段针对性设定往复距离、切削液温度、切削液流量、切割耗线等参数，根据切片表面形貌个性化调整不同切割阶段的工艺。本发明的工艺方法能够在提高切片效率的基础上，提高产品收率。

公开(公告)号：CN116001120A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211670509.8

申请日：2022-12-14

申请人： 山东有研半导体材料有限公司 ,  有研半导体硅材料股份公司

发明人： 褚天宇 ,  蔡明 ,  朱秦发 ,  王学峰 ,  李亚光 ,  皇志威

IPC分类号： B28D5/04

摘要： 本发明公开了一种半导体单晶硅片金刚线切割的工艺方法。该方法中使用的原辅材料包括切割辊涂覆材料、过线轮材料、水性切削液、金刚线，其中，所述切割辊涂覆材料为高分子聚乙烯材料；过线轮线圈材质选用高分子聚乙烯材料，支撑框架采用铝合金材质，使用高温压制法将支撑框架及高分子聚乙烯线圈压制为一整体；水性切削液与水配比采用1：200±20比例；金刚线选用母线线径为90‑110μm，粒径为5‑12μm的电镀金刚石线；采用分段式往复切割法，根据单晶长度和切片厚度分步骤和切割阶段针对性设定往复距离、切削液温度、切削液流量、切割耗线等参数，根据切片表面形貌个性化调整不同切割阶段的工艺。本发明的工艺方法能够在提高切片效率的基础上，提高产品收率。

公开(公告)号：CN221212338U

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202323116133.9

申请日：2023-11-17

申请人： 山东有研半导体材料有限公司 ,  有研半导体硅材料股份公司

发明人： 皇志威 ,  褚天宇 ,  蔡明 ,  江国兴

IPC分类号： B28D7/04 ,  B28D5/02

摘要： 本实用新型公开了一种用于圆环形单晶硅棒加工的固定装置，属于半导体硅材料加工技术领域。该固定装置具备：夹紧框架和限位螺栓；其中，所述夹紧框架具有用于限位单晶硅棒外周面的弧形面，且在夹紧框架的顶部设有限位螺栓，该限位螺栓的下端与单晶硅棒沿长度方向的上端面接触，并且该限位螺栓的下端在沿单晶硅棒长度方向上的位置可调，夹紧框架的底部与设置在单晶硅棒下端面的垫块接触。本实用新型的用于圆环形单晶硅棒加工的固定装置设置限位夹持机构，连接固定单晶硅棒和单晶硅棒底部的垫块，能够提高单晶在加工过程中的稳定性和一体性，保证圆环形单晶硅棒加工的完整度，使圆环形单晶硅棒底部在加工时减少崩边的出现。