公开(公告)号：CN118425615A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410494803.0

申请日：2024-04-23

申请人： 山东有研半导体材料有限公司 ,  有研半导体硅材料股份公司

发明人： 韩萍 ,  孙韫哲 ,  靳慧洁 ,  蔡丽艳 ,  刘斌 ,  王瑞英

IPC分类号： G01R27/02 ,  G01N27/04

摘要： 本发明公开了一种电容法测试超低阻红磷硅片电阻率的方法。该包括以下步骤：(1)使用四探针设备标定电阻率校准样片，需要标定两片电阻率校准样片；(2)将标定的电阻率校准样片的电阻率值×2，输入到电容法测试电阻率设备的校准界面，根据设备提示完成电阻率校准工作；(3)根据待测片的厚度，完成电容法测试电阻率设备的厚度校准；(4)根据设备的标准化操作，完成正常测试；(5)在测试完成后，将电阻率值/2作为最终测试数据。采用本发明的方法，能够解决小于0.001Ω·cm的重掺红磷硅片的测试，可以通过电容法测试获得电阻率具体值，设备测试重复性可达到1％，准确度对标四探针法同样可达到小于1％。

公开(公告)号：CN117517367A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311312019.5

申请日：2023-10-11

申请人： 山东有研半导体材料有限公司 ,  有研半导体硅材料股份公司

发明人： 王学锋 ,  张宏浩 ,  朱晓彤 ,  杨寿亮 ,  刘莉 ,  朱秦发

IPC分类号： G01N23/207 ,  G01N23/20008 ,  G01N1/28 ,  G01N1/32

摘要： 本发明公开了一种 晶向硅单晶小平面的检测方法。所述方法包括：(1)原生 晶向硅单晶拉制完成后截取一定厚度的样品；(2)对样品进行表面研磨处理获得平整的表面；(3)对研磨后的样品进行化学腐蚀去除表面机械损伤；(4)对样品进行晶向及棱线位置定位；(5)使用X射线衍射仪对定位后的样品进行X射线衍射位置测定，转动X射线光源进行ω方向扫描，确定衍射位置后进行测试，(6)对测试结果进行判定，确定小平面的位置和大小。本发明实施的检测方法，可以快速实现原生 晶向硅单晶小平面的检测，本发明检测方法操作简便易实现，检测 晶向硅单晶小平面直观化，对于改善 晶向硅单晶径向电阻率均匀性有重要意义。

公开(公告)号：CN117116740A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310967112.3

申请日：2023-08-02

申请人： 山东有研半导体材料有限公司 ,  有研半导体硅材料股份公司

发明人： 王新 ,  郑宇 ,  何丙才 ,  刘鹏亮 ,  张亮 ,  李广振 ,  安瑞阳 ,  姜伟

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本发明公开一种大尺寸晶圆边缘的加工工艺，属于半导体晶圆加工技术领域。该加工工艺包括以下步骤：(1)滚磨单晶棒切片得到晶圆；(2)使用600‑1000#倒角轮磨削槽对晶圆边缘进行粗倒角，倒角轮转速为6000‑9000rpm；(3)使用研磨液进行研磨，研磨液流量为800‑1500mL/min，研磨转速为20‑50rpm，研磨压力为500‑1500kg；(4)使用由氢氟酸、硝酸、醋酸组成的混酸进行腐蚀；(5)使用1500‑4000#倒角轮磨削槽对晶圆边缘进行精倒角，倒角轮转速为6000‑9000rpm。通过研磨前的粗倒角，可以去除晶圆的边缘应力，避免研磨、腐蚀过程中晶圆边缘崩裂；通过精倒角加工研磨、腐蚀之后的晶圆，可以消除研磨、腐蚀过程带来的晶圆边缘损伤，并且可以避免腐蚀过程对晶圆边缘轮廓的不利影响，提高边缘轮廓的一致性。

公开(公告)号：CN114351243B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202111487642.5

申请日：2021-12-07

申请人： 山东有研半导体材料有限公司 ,  有研半导体硅材料股份公司

发明人： 方峰 ,  李英涛 ,  王万华 ,  王凯磊 ,  钟耕杭

IPC分类号： C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  C30B15/14

摘要： 本发明公开了一种N型掺杂硅单晶的制备方法，利用直拉法，将熔体硅原始质量设为W3；熔体液面到达r弧形过渡区时的熔体硅的重量设为W2；熔体液面到达r弧形过渡区与底部R弧形区相交位置时的熔体硅的重量设为W1；在坩埚内剩余熔体硅的重量为1.5W2时，开启底部加热器S10；在剩余熔体硅的重量从1.5W2变化至W2的过程中，底部加热器S10的输出功率从主加热器S11输出功率的0％线性提升到主加热器S11输出功率的10％～15％；在剩余熔体硅的重量从W2变化至W1的过程中，底部加热器S10的输出功率由主加热器S11输出功率的10％～15％线性提升到主加热器S11输出功率的30％～35％，并保持到收尾完成。采用本发明的制备方法能够避免或延迟高掺杂浓度导致的组分过冷现象发生，维持晶体的无位错生长。

公开(公告)号：CN116001120A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211670509.8

申请日：2022-12-14

申请人： 山东有研半导体材料有限公司 ,  有研半导体硅材料股份公司

发明人： 褚天宇 ,  蔡明 ,  朱秦发 ,  王学峰 ,  李亚光 ,  皇志威

IPC分类号： B28D5/04

摘要： 本发明公开了一种半导体单晶硅片金刚线切割的工艺方法。该方法中使用的原辅材料包括切割辊涂覆材料、过线轮材料、水性切削液、金刚线，其中，所述切割辊涂覆材料为高分子聚乙烯材料；过线轮线圈材质选用高分子聚乙烯材料，支撑框架采用铝合金材质，使用高温压制法将支撑框架及高分子聚乙烯线圈压制为一整体；水性切削液与水配比采用1：200±20比例；金刚线选用母线线径为90‑110μm，粒径为5‑12μm的电镀金刚石线；采用分段式往复切割法，根据单晶长度和切片厚度分步骤和切割阶段针对性设定往复距离、切削液温度、切削液流量、切割耗线等参数，根据切片表面形貌个性化调整不同切割阶段的工艺。本发明的工艺方法能够在提高切片效率的基础上，提高产品收率。

公开(公告)号：CN115763240A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211403424.3

申请日：2022-11-10

申请人： 山东有研半导体材料有限公司 ,  有研半导体硅材料股份公司

发明人： 郑宇 ,  何丙才 ,  刘义 ,  王新 ,  李亚光 ,  姜伟 ,  张亮 ,  安瑞阳 ,  刘鹏亮

IPC分类号： H01L21/306

摘要： 本发明公开了一种消除硅片表面应力的碱腐蚀工艺。硅片加工过程依次包括切片、第一次碱液热处理、倒角、第二次碱液热处理、研磨；其中，在第一次碱液热处理中，将切片后得到的硅片浸入碱液A中处理，碱液A的质量百分比浓度为15％‑40％，温度为90‑120℃，处理时间为8‑30s；在第二次碱液热处理中，将倒角后的硅片浸入碱液B中处理，碱液B的质量百分比浓度为20％‑40％，温度为90‑120℃，处理时间为5‑25s。碱液A和碱液B所选用的碱为氢氧化钠或氢氧化钾。本发明的工艺通过在硅片倒角前后增加碱液热处理工序，可以有效地消除硅片表面应力，降低硅片在后续倒角、研磨工序的损失率。

公开(公告)号：CN112992670B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN201911305497.7

申请日：2019-12-16

申请人： 山东有研半导体材料有限公司

发明人： 钟耕杭 ,  宁永铎 ,  徐继平 ,  边永智 ,  史训达 ,  白雪 ,  赵江伟 ,  陈鲁锋

IPC分类号： H01L21/311

摘要： 本发明公开了一种用于降低硅基背封抛光片应力的方法。该方法包括以下步骤：(1)制作与硅衬底二氧化硅薄膜尺寸匹配的蓝膜，对蓝膜进行设计，保留边缘区域的完整性，而将中心区域按照一定的图案形状开孔，制成图案蓝膜；(2)将该蓝膜贴附在背封完成的硅衬底二氧化硅薄膜上，在保证边缘二氧化硅薄膜完整性的同时，采用腐蚀剂将硅衬底中心区域按照图案形状去除部分二氧化硅薄膜；(3)将腐蚀后的硅衬底用热腐蚀剂去除掉蓝膜，制成图案薄膜。本发明优点：在不影响二氧化硅薄膜背封效果的前提下，通过将二氧化硅薄膜腐蚀成特定的形状，降低了二氧化硅薄膜的应力，提升了硅基背封抛光片的几何参数品质，从而能满足更高精度要求的光刻制程。

公开(公告)号：CN114351243A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111487642.5

申请日：2021-12-07

申请人： 山东有研半导体材料有限公司 ,  有研半导体硅材料股份公司

发明人： 方峰 ,  李英涛 ,  王万华 ,  王凯磊 ,  钟耕杭

IPC分类号： C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  C30B15/14

摘要： 本发明公开了一种N型掺杂硅单晶的制备方法，利用直拉法，将熔体硅原始质量设为W3；熔体液面到达r弧形过渡区时的熔体硅的重量设为W2；熔体液面到达r弧形过渡区与底部R弧形区相交位置时的熔体硅的重量设为W1；在坩埚内剩余熔体硅的重量为1.5W2时，开启底部加热器S10；在剩余熔体硅的重量从1.5W2变化至W2的过程中，底部加热器S10的输出功率从主加热器S11输出功率的0％线性提升到主加热器S11输出功率的10％～15％；在剩余熔体硅的重量从W2变化至W1的过程中，底部加热器S10的输出功率由主加热器S11输出功率的10％～15％线性提升到主加热器S11输出功率的30％～35％，并保持到收尾完成。采用本发明的制备方法能够避免或延迟高掺杂浓度导致的组分过冷现象发生，维持晶体的无位错生长。

公开(公告)号：CN114318512A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111626097.3

申请日：2021-12-28

申请人： 山东有研半导体材料有限公司 ,  有研半导体硅材料股份公司

发明人： 崔维学 ,  鲁强 ,  李永博 ,  李钊 ,  盖晶虎 ,  崔彬 ,  姜舰

IPC分类号： C30B15/26 ,  C30B29/06

摘要： 本发明公开了一种通过监控直拉单晶硅转肩直径自动调节拉速的方法，该方法筛选单晶转肩形状较好的直径数据，作图进行拟合，得到拟合函数并将该函数内嵌至PLC中；根据CCD相机测量直径与函数给出直径差值，通过自动调整拉速，拉速灵敏性通过调整PID参数进行控制，根据实际转肩直径与预定直径符合程度通过调整PID参数来控制拉速，反复几次即可调整出合适PID参数，实现转肩过程自动调节拉速。本发明的方法可以实现转肩过程的拉速自动调控，提高转肩的成功率和过程的可重复性。本发明的方法可以实现自动转肩过程，无需人为操作，避免因人为操作对单晶拉制过程造成的影响，明显降低了人员操作强度，提高了生产效率，增加了产量，降低人工成本。

公开(公告)号：CN114318507A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111593665.4

申请日：2021-12-23

申请人： 山东有研半导体材料有限公司 ,  有研半导体硅材料股份公司

发明人： 王凯磊 ,  李英涛 ,  王万华 ,  皮小争 ,  方峰 ,  崔彬

IPC分类号： C30B15/20 ,  C30B29/06

摘要： 本发明公开了一种重掺砷大直径低阻硅单晶的拉制方法，等径过程中炉内压力变化如下：(1)等径前期：炉内压力保持为75‑105Torr之间某一值不变或由75‑105Torr均匀升高到90‑160Torr；(2)等径中期：从等径前期的炉内压力均匀下降到85‑65Torr或维持在等径前期的炉内压力不变；(3)等径后期：维持在等径中期的炉内压力不变或从等径中期的炉内压力均匀下降到75‑50Torr后再维持最低压力不变；晶体拉速的变化如下：(1)等径前期：晶体拉速从45‑65mm/hr均匀降到40‑25mm/hr；(2)等径中期和等径后期：晶体拉速保持在等径前期的最低拉速不变。本发明能够有效解决大直径砷单晶等径卡、电阻率高的问题，提高单晶成晶率，获得完好的大直径低阻硅单晶。