公开(公告)号：CN118538817A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410657198.4

申请日：2024-05-25

申请人： 山西中来光能电池科技有限公司

发明人： 张耕 ,  邹金圩 ,  郭晨璐 ,  邱建羽 ,  郭飞 ,  乔晓琴 ,  熊大明 ,  林建伟

IPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供了一种异质钝化隧穿氧化背接触式电池及其制备方法，其结构包括硅片衬底，硅片衬底的正面设置氮化硅钝化层；硅片衬底的背面形成相互交替阵列的p+区域和n+区域，相邻的p+区域与n+区域之间由氮化硅层进行间隔，p+区域由内至外依次设置本征非晶硅层、硼掺杂非晶硅层、TCO薄膜和p+区域金属电极，n+区域由内至外依次设置隧穿氧化层、n+poly层和n+区域金属电极。本发明基于PVD技术在电池背面n+区域制备TOPCon结构，在电池背面p+区域制备HJT结构。最终实现通过更好的钝化方式以及更低的寄生光吸收使得电池Isc、Voc都有所提升，电池的最终效率相较于TOPCon提升0.25～0.35％左右。

公开(公告)号：CN118588789A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410657199.9

申请日：2024-05-25

申请人： 山西中来光能电池科技有限公司

发明人： 张耕 ,  郭飞 ,  郭晨璐 ,  邱建羽 ,  邹金圩 ,  乔晓琴 ,  熊大明 ,  林建伟

IPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供了一种异质钝化隧穿氧化接触电池及其制备方法，其结构包括硅片衬底、正面金属电极以及背面金属电极，其特征在于，所述硅片衬底的正面由内至外依次设置有本征非晶硅层、硼掺杂非晶硅层和透明导电氧化物薄膜；所述硅片衬底的背面由内至外依次设置有隧穿氧化层、n型多晶硅层和氮化硅层。本发明采用TOPCon背面接触钝化方式与异质结方式相结合的电池结构，使制得的电池能够兼具两种电池的优势，最终背面氮化硅钝化膜并未因高/低温烧结导致钝化膜性能变差，最终通过更好的钝化方式使得电池Voc有所提升，电池的最终效率提升0.15～0.2％左右。