一种磁控溅射平面靶磁通装置

    公开(公告)号:CN114351104A

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202210274215.7

    申请日:2022-03-21

    IPC分类号: C23C14/35

    摘要: 本发明公开了一种磁控溅射平面靶磁通装置,涉及磁控溅射镀膜设备领域。该装置包括壳体、矩形磁体结构与靶材,壳体的上表面开有设置靶材的窗口,靶材的两端通过压板压紧、且通过沉头螺栓固定;壳体内侧上表面与靶材的下表面平齐,靶材下方设置有隔板,隔板下方设置为平面靶材冷却水道,平面靶材冷却水道下方为矩形磁体结构,其通过L形的卡桩安装于壳体的内底面上,矩形磁体结构包括矩形的环状磁轭及底面的矩形磁轭,环状磁轭安装于矩形磁轭上,环状磁轭内按照海尔贝克的原理设置磁体阵列;磁体阵列的强磁性一面朝向靶材,弱磁性一面由矩形磁轭覆盖。本发明提高磁控溅射平面靶材溅射的均匀性,提高了靶材利用率,提升了生产效率,降低了生产成本。

    钕铁硼颗粒连续复合镀膜装置及对钕铁硼晶界深度调控的方法

    公开(公告)号:CN114284057A

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202210217798.X

    申请日:2022-03-08

    摘要: 本发明公开了一种钕铁硼颗粒连续复合镀膜装置及对钕铁硼晶界深度调控的方法,涉及烧结钕铁硼制造领域。该装置包括进料系统、镀膜系统、出料系统、直流偏压电源、冷却系统和抽真空系统。镀膜室内部包括反溅清洗区和溅射镀膜区。颗粒通过布料斗均匀布置在电磁振动布料工作台上进行反溅清洗,之后运动到磁控溅射镀膜工作台上进行多靶材连续复合磁控溅射镀膜。出料室内的集料斗收集颗粒并导入旋转冷却滚筒进行冷却,调整布料斗尺寸以调整颗粒粉料厚度,调整电磁振动角以调整粉料行进速度,调整溅射电流来调整靶材的沉降速率,进而控制颗粒表面的膜层厚度。该方法可对烧结钕铁硼进行深度高效的晶界调控,改善了磁体性能、耐腐蚀性和机械特性。

    一种能改善粉末粒径分布的气流磨分选装置与方法

    公开(公告)号:CN114345508A

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202210267117.0

    申请日:2022-03-18

    IPC分类号: B02C19/06 B02C23/32

    摘要: 本发明公开了一种能改善粉末粒径分布的气流磨分选装置与方法,涉及钕铁硼生产制粉领域。分选装置设置于气流磨的磨室上,包括偏转喷嘴和多孔底喷嘴,偏转喷嘴沿周向均布于磨室所开的喷嘴孔处,沿水平方向设置,偏转喷嘴伸入磨室、且轴线与磨室的径向有偏转角度;多孔底喷嘴安装于磨室的锥体底部喷射处,喷嘴开有五个喷射孔,包括中心喷孔和周向喷孔,周向喷孔上端孔口与相应下端孔口具有旋向偏转角度。本发明使磨室内的气流在水平方向上形成旋转,利用离心力,破碎后的粉料上升准备进入分选轮分选,粗颗粒沿切线方向甩出,沿磨室侧壁落下,重新进入流化床撞击研磨。本发明可大幅减少研磨后粉末中的粗颗粒进入分选轮的几率,进而改善分选后的粉末粒径分布。

    一种磁控溅射平面靶磁通装置

    公开(公告)号:CN114351104B

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202210274215.7

    申请日:2022-03-21

    IPC分类号: C23C14/35

    摘要: 本发明公开了一种磁控溅射平面靶磁通装置,涉及磁控溅射镀膜设备领域。该装置包括壳体、矩形磁体结构与靶材,壳体的上表面开有设置靶材的窗口,靶材的两端通过压板压紧、且通过沉头螺栓固定;壳体内侧上表面与靶材的下表面平齐,靶材下方设置有隔板,隔板下方设置为平面靶材冷却水道,平面靶材冷却水道下方为矩形磁体结构,其通过L形的卡桩安装于壳体的内底面上,矩形磁体结构包括矩形的环状磁轭及底面的矩形磁轭,环状磁轭安装于矩形磁轭上,环状磁轭内按照海尔贝克的原理设置磁体阵列;磁体阵列的强磁性一面朝向靶材,弱磁性一面由矩形磁轭覆盖。本发明提高磁控溅射平面靶材溅射的均匀性,提高了靶材利用率,提升了生产效率,降低了生产成本。

    一种能改善粉末粒径分布的气流磨分选装置与方法

    公开(公告)号:CN114345508B

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202210267117.0

    申请日:2022-03-18

    IPC分类号: B02C19/06 B02C23/32

    摘要: 本发明公开了一种能改善粉末粒径分布的气流磨分选装置与方法,涉及钕铁硼生产制粉领域。分选装置设置于气流磨的磨室上,包括偏转喷嘴和多孔底喷嘴,偏转喷嘴沿周向均布于磨室所开的喷嘴孔处,沿水平方向设置,偏转喷嘴伸入磨室、且轴线与磨室的径向有偏转角度;多孔底喷嘴安装于磨室的锥体底部喷射处,喷嘴开有五个喷射孔,包括中心喷孔和周向喷孔,周向喷孔上端孔口与相应下端孔口具有旋向偏转角度。本发明使磨室内的气流在水平方向上形成旋转,利用离心力,破碎后的粉料上升准备进入分选轮分选,粗颗粒沿切线方向甩出,沿磨室侧壁落下,重新进入流化床撞击研磨。本发明可大幅减少研磨后粉末中的粗颗粒进入分选轮的几率,进而改善分选后的粉末粒径分布。

    钕铁硼颗粒连续复合镀膜装置及对钕铁硼晶界深度调控的方法

    公开(公告)号:CN114284057B

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202210217798.X

    申请日:2022-03-08

    摘要: 本发明公开了一种钕铁硼颗粒连续复合镀膜装置及对钕铁硼晶界深度调控的方法,涉及烧结钕铁硼制造领域。该装置包括进料系统、镀膜系统、出料系统、直流偏压电源、冷却系统和抽真空系统。镀膜室内部包括反溅清洗区和溅射镀膜区。颗粒通过布料斗均匀布置在电磁振动布料工作台上进行反溅清洗,之后运动到磁控溅射镀膜工作台上进行多靶材连续复合磁控溅射镀膜。出料室内的集料斗收集颗粒并导入旋转冷却滚筒进行冷却,调整布料斗尺寸以调整颗粒粉料厚度,调整电磁振动角以调整粉料行进速度,调整溅射电流来调整靶材的沉降速率,进而控制颗粒表面的膜层厚度。该方法可对烧结钕铁硼进行深度高效的晶界调控,改善了磁体性能、耐腐蚀性和机械特性。

    一种改进底喷装置的对撞式气流磨磨室

    公开(公告)号:CN216987994U

    公开(公告)日:2022-07-19

    申请号:CN202220378562.X

    申请日:2022-02-24

    IPC分类号: B02C19/06 B02C23/00

    摘要: 本实用新型公开了一种改进底喷装置的对撞式气流磨磨室,涉及钕铁硼制粉领域。包括磨室,磨室的上部设有主轴,主轴沿径向伸入磨室、且头部连接有涡轮分级器,主轴正对的磨室的侧壁设有出料口,位于主轴的下部设有侧重传感器的固定件,固定件环绕于磨室四周,侧重传感器位于固定件的外边缘端,磨室的中部侧壁倾斜设有加料口,磨室的下部侧壁设有四个均布的侧喷嘴,侧喷嘴倾斜设置且与磨室连通;磨室的底部设置有向磨室内喷气体的底喷装置,底喷装置包括喷嘴座和喷嘴盖,喷嘴座的喷口为喇叭状,喷口的外侧与喷嘴盖螺纹连接,喷嘴盖的喷出面上开有若干个均匀的喷嘴孔。本实用新型改善了底喷气流,提供其稳定性,提高生产效率,使粉末粒度分布变好。

    一种卧式真空平面溅射镀膜钕铁硼基片翻面装置

    公开(公告)号:CN216998563U

    公开(公告)日:2022-07-19

    申请号:CN202220459913.X

    申请日:2022-03-04

    IPC分类号: C23C14/50 C23C14/34

    摘要: 本实用新型公开了一种卧式真空平面溅射镀膜钕铁硼基片翻面装置,涉及钕铁硼镀膜加工生产设备领域。该装置包括上翻板和下托板,上翻板和下托板形状相同,上翻板正对的边上各开有两个U形的螺杆安装槽,下托板正对的边上各开有两个螺杆紧固槽,螺杆安装槽与螺杆紧固槽形状相同且位置相对应;上翻板的下表面固定粘接有与上翻板尺寸相同且平整的弹性橡胶板,上翻板的螺杆安装槽内固定设有一根用于安装旋转螺杆的转轴,旋转螺杆的一端安装在转轴上、且以转轴为轴转动,旋转螺杆的另一端螺纹连接有双耳螺母,双耳螺母旋拧的内侧设置有弹簧垫和垫片。本实用新型使用方便快捷;可徒手快速操作;降低劳动强度,提高生产效率,在一定程度上保障了镀膜产品质量。

    钕铁硼基片卧式平面溅射镀膜设备靶材旁落部分回收装置

    公开(公告)号:CN216998560U

    公开(公告)日:2022-07-19

    申请号:CN202220459914.4

    申请日:2022-03-04

    摘要: 本实用新型公开了一种钕铁硼基片卧式平面溅射镀膜设备靶材旁落部分回收装置,涉及磁性材料制备中的靶材回收领域。包括长方体结构的金属托板,托板沿着长度方向开有两个平行过孔,孔内各穿有一根支撑杆,托板可沿着支撑杆滑动;两根支撑杆长度相同、且两端分别伸出金属托板两侧相同的长度;位于金属托板两侧外部的支撑杆上均设置有不锈钢板组,不锈钢板组由大小相同的不锈钢长条片通过铰链连接而成,展开时呈平板状,收缩时呈锯齿状,两侧的不锈钢板组的一端通过铰链连接于两根支撑杆端部、另一端也通过铰链连接于金属托板左右侧。本实用新型避免靶材磁控溅射旁落对设备造成污染和对靶材材料造成浪费,从而降低了钕铁硼扇基片磁控溅射镀膜环节的生产成本。