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发明公开
用于抑制钨蚀刻的组合物和方法审中-公开

公开(公告)号：CN118974189A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202380031816.8

申请日：2023-03-27

申请人： 巴斯夫欧洲公司

发明人： 赵庆勋 , 蔡宗祐 , 陈勇裕 , M·劳特尔 , 魏得育

IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/3105

摘要： 本文要求保护的发明涉及电介质抛光组合物及其方法。本文要求保护的发明特别地涉及一种组合物，该组合物包含：(A)表面改性的胶体二氧化硅颗粒，其在该颗粒的表面上包含带负电荷的基团，其中该表面改性的胶体二氧化硅颗粒具有负电荷，60nm至200nm的粒度，以及在≥2.0至≤4.5范围内的pH下