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公开(公告)号：CN118974189A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380031816.8
申请日：2023-03-27
申请人： 巴斯夫欧洲公司
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/3105
摘要： 本文要求保护的发明涉及电介质抛光组合物及其方法。本文要求保护的发明特别地涉及一种组合物，该组合物包含：(A)表面改性的胶体二氧化硅颗粒，其在该颗粒的表面上包含带负电荷的基团，其中该表面改性的胶体二氧化硅颗粒具有负电荷，60nm至200nm的粒度，以及在≥2.0至≤4.5范围内的pH下
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公开(公告)号：CN111356747A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201880074281.1
申请日：2018-11-12
申请人： 巴斯夫欧洲公司
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/306 , H01L21/321
摘要： 本发明主题涉及一种化学机械抛光(CMP)组合物，其包含无机粒子、包含氨基和/或至少一个酸基(Y)的至少一种有机化合物、过硫酸钾、至少一种腐蚀抑制剂及水性介质，其用于抛光半导体工业的基材，该基材包含钴和/或钴合金及TiN和/或TaN。
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公开(公告)号：CN108779367B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201780016852.1
申请日：2017-03-13
申请人： 巴斯夫欧洲公司
IPC分类号： H01L21/306 , C09G1/04
摘要： 本发明涉及化学机械抛光(CMP)组合物(Q)在化学机械抛光包含(i)钴和/或(ii)钴合金的基材(S)中的用途，其中该CMP组合物(Q)包含：(A)无机颗粒，(B)聚(氨基酸)和/或其盐，(C)至少一种氨基酸，(D)至少一种氧化剂，(E)含水介质，其中该CMP组合物(Q)的pH为7至10。
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公开(公告)号：CN108431931B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201680075204.9
申请日：2016-12-20
申请人： 巴斯夫欧洲公司
IPC分类号： H01L21/321 , C11D3/00 , C11D3/37 , C11D11/00
摘要： 本发明描述了一种化学机械抛光后(CMP后)清洁组合物，其包含或由以下组成：(A)选自由如下组成的组的一种或多种非离子聚合物：聚丙烯酰胺、聚羟乙基(甲基)丙烯酸酯(PHE(M)A)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚乙烯醇(PVA)、式(I)的聚合物和其混合物，其中R1为氢、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基或仲丁基，R2为氢或甲基，且n为整数，(B)质量平均摩尔质量(Mw)为至多10,000g/mol的聚(丙烯酸)(PAA)或丙烯酸‑马来酸共聚物，和(C)水，其中所述组合物的pH在7.0至10.5范围内。
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公开(公告)号：CN108473918A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680075224.6
申请日：2016-12-20
申请人： 巴斯夫欧洲公司
IPC分类号： C11D3/37 , C11D11/00 , H01L21/02 , H01L21/321
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/3707 , C11D3/3719 , C11D3/3765 , C11D3/378 , C11D3/3784 , C11D11/0035 , H01L21/02074
摘要： 本发明描述了一种化学机械抛光后(CMP后)清洁组合物，其包含或由以下组成：(A)质量平均摩尔质量(Mw)在400至8,000g/mol范围内的聚乙二醇(PEG)，(B)选自由如下组成的组的阴离子聚合物：聚(丙烯酸)(PAA)、丙烯酸-马来酸共聚物、聚天冬氨酸(PASA)、聚谷氨酸(PGA)、聚乙烯基膦酸、聚乙烯基磺酸、聚(苯乙烯磺酸)、聚羧酸酯醚(PCE)、PEG-亚磷酸和这些聚合物的共聚物，和(C)水，其中所述组合物的pH在7.0至10.5范围内。
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