公开(公告)号：CN103827235B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280038321.X

申请日：2012-07-30

申请人： 巴斯夫欧洲公司

发明人： B·M·诺勒 ,  B·德雷舍尔 ,  C·吉洛特 ,  Y·李

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/30625 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

摘要： 一种制造半导体装置的方法，其包括在化学机械抛光(CMP)组合物的存在下化学机械抛光元素锗及/或0.1≤x

公开(公告)号：CN103827235A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201280038321.X

申请日：2012-07-30

申请人： 巴斯夫欧洲公司

发明人： B·M·诺勒 ,  B·德雷舍尔 ,  C·吉洛特 ,  Y·李

IPC分类号： C09G1/02

CPC分类号： H01L21/30625 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

摘要： 一种制造半导体装置的方法，其包括在化学机械抛光(CMP)组合物的存在下化学机械抛光元素锗及/或0.1≤x

公开(公告)号：CN103717351A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201280037681.8

申请日：2012-07-30

申请人： 巴斯夫欧洲公司

发明人： B·M·诺勒 ,  B·德雷舍尔 ,  C·吉洛特 ,  Y·李

IPC分类号： B24B29/02

CPC分类号： H01L21/30625 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02024

摘要： 一种制造半导体装置的方法，其包括在具有在3.0至5.5范围内的pH值的化学机械抛光(CMP)组合物的存在下化学机械抛光元素锗及/或具有0.1≤x

公开(公告)号：CN102802875A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080028426.8

申请日：2010-05-18

申请人： 赢创德固赛有限公司 ,  巴斯夫欧洲公司

发明人： M·克勒尔 ,  W·洛茨 ,  S·黑贝雷尔 ,  M·布兰茨 ,  李玉琢 ,  B·德雷舍尔 ,  D·弗朗茨

IPC分类号： B24D3/00 ,  C03C19/00 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/321

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

摘要： 包含氧化铈和二氧化硅的含水分散体，该分散体可通过以下过程获得：首先在搅拌的同时混合氧化铈起始分散体和二氧化硅起始分散体，然后在10000s-1至30000s-1剪切速率下分散，其中a)所述氧化铈起始分散体含有0.5重量％至30重量％氧化铈颗粒作为固相，粒度分布的d50为10nm至100nm，并且pH为1至7，且b)所述二氧化硅起始分散体含有0.1重量％至30重量％胶体二氧化硅颗粒作为固相，粒度分布的d50为3nm至50nm，并且pH为6至11.5，c)条件是所述氧化铈颗粒的粒度分布的d50大于所述二氧化硅颗粒的粒度分布的d50，氧化铈/二氧化硅重量比大于1，并且所述氧化铈起始分散体的量使所述分散体的Z电位为负。