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公开(公告)号：CN118043752A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202280066312.5
申请日：2022-09-27
申请人： 巴斯夫欧洲公司
IPC分类号： G05B23/02
摘要： 本发明涉及一种用于监测和/或控制输出产品的化学和/或生物生产过程的计算机实现方法，其中所述输出产品由一个或多个输入产品生产，所述方法包括以下步骤：提供与输入产品和/或输出产品的特性相关联的光谱测量数据；使用数据驱动模型基于光谱测量数据来确定至少一个性能指标，其中所述数据驱动模型根据历史数据参数化，所述历史数据包括与输入产品和/或输出产品的特性相关联的光谱测量数据，其中所述性能指标是指示光谱测量数据位于有效范围内的验证指标；提供用于监测和/或控制所述输出产品的化学和/或生物生产过程的性能指标。
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公开(公告)号：CN111954674B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201980024905.3
申请日：2019-04-10
IPC分类号： C07F5/06 , C23C16/12 , C23C16/455
摘要： 本发明属于在衬底上产生无机薄膜的方法的领域，特别是原子层沉积方法。其涉及一种制备含金属的膜的方法，包括：(a)将含金属化合物由气态沉积到固体衬底上，和(b)使沉积有含金属化合物的固体衬底与通式(I)化合物接触，其中Z为C2‑C4亚烷基，且R为氢、烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN109890997A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201780063910.6
申请日：2017-10-18
申请人： 巴斯夫欧洲公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/34 , C23C16/32
摘要： 本发明是属于用于在基材上生成薄无机膜的方法领域。特别是，本发明涉及一种包括沉积通式(I)化合物至固体基材的方法，其中R1、R2、R3、R4和R5为氢、烷基、烯基、芳基或硅基，其中R1、R2、R3、R4和R5中不超过三者为氢，X为键结至硅的基团，m为1或2，n为0、1或2，且Si处于+2氧化态。
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公开(公告)号：CN113939609A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202080041281.9
申请日：2020-05-27
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明属于制备含无机金属或半金属膜的方法的领域，该方法包括：(a)将含金属或半金属化合物由气态沉积至固体基材上，和(b)使固体基材在气态中与通式(I)、(II)、(III)、(IV)、(V)、(VI)或(VII)的化合物接触，其中A为NR或O，E为CR”、CNR”2、N、PR”2或SOR”，G为CR’或N，R为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，和R’和R”为氢、烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基。
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公开(公告)号：CN113906158A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080041282.3
申请日：2020-05-27
IPC分类号： C23C16/455 , C07F5/06
摘要： 本发明属于制备含无机金属或半金属膜的方法的领域，该方法包括：(a)将含金属或半金属化合物由气态沉积至固体基材上，和(b)使固体基材在气态中与通式(I)、(II)或(III)的化合物接触，其中A为NR、NR2、PR、PR2、O、OR、S或SR，E为N、NR、P、PR、O或S，n为1、2或3，R为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，和R’为氢、烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，以及A、E和n的选择使得通式(I)、(II)或(III)的化合物为电中性的。
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公开(公告)号：CN113164897A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980071485.4
申请日：2019-10-29
申请人： 巴斯夫欧洲公司
发明人： B·D·奥施曼 , K·米尔海姆斯 , W·克劳斯 , P·莱巴赫 , R·H·斯塔夫 , D·弗利克 , L·迈尔 , S·伦茨 , F·古特 , K·卡勒 , S·许弗 , T·M·默克尔 , A·宾德尔 , K·科尔特 , Y·Y·格奥尔格 , R·福格尔桑 , A·M·C·J·贝齐奥
摘要： 本发明涉及制备微粒的方法，其中微粒在其内部具有至少一个经由孔连接至微粒表面的空隙，并且已经被至少一种低分子量的有机活性材料填充。本发明尤其涉及用至少一种低分子量的有机活性材料填充微粒的方法，其中所述活性材料被包埋在基质中，和/或微粒的孔通过施加于微粒表面的物质来连接。本发明另外涉及连接已被至少一种具有低分子量的有机活性材料填充的微粒的方法。本发明也涉及已被至少一种低分子量的活性材料填充的微粒的组合物及其用途。
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公开(公告)号：CN112204168A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201980034840.0
申请日：2019-06-04
申请人： 巴斯夫欧洲公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/56
摘要： 本发明属于在衬底上产生薄无机膜的方法的领域。本发明涉及一种制备含金属或半金属的膜的方法，包括：(a)将含金属或半金属的化合物从气态沉积到固体衬底上，和(b)使具有沉积的含金属或半金属的化合物的固体衬底与通式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)或(Ie)的化合物接触，其中E为Ti、Zr、Hf、V、Nb或Ta，L1和L2为戊二烯基或环戊二烯基配体，且X1和X2不存在或者为中性配体，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R20、R21、R22、R23、R24、R25和R26为氢、烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，其中对于化合物(Ia)，R1至R10中的至少一个包含至少一个碳和/或硅原子，且A为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基。
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公开(公告)号：CN111727271A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201880079468.0
申请日：2018-11-09
发明人： L·迈尔 , D·D·施魏因富特 , D·瓦尔德曼 , C·H·温特 , K·布莱克尼 , S·V·克伦克 , S·魏戈尼 , N·韦拉滕加西里卡图格 , T·M·A·N·卡鲁纳拉特
摘要： 本发明属于制备无机含金属膜的方法的领域。该制备无机含金属膜的方法包括使固体基材与呈气态的通式(I)或(II)化合物接触，式(I)，式(II)，其中A为NR2或OR，其中R为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，E为NR或O，n为1、2或3，且R'为氢、烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，其中如果n为2且E为NR或A为OR，则NR或OR中的至少一个R在1位不带有氢原子。
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公开(公告)号：CN109844172A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780062626.7
申请日：2017-10-05
申请人： 巴斯夫欧洲公司
IPC分类号： C23C14/58 , C23C16/455 , C23C16/56
摘要： 本发明属于在基材上生成薄无机膜的方法，特别是原子层沉积方法的领域。其涉及一种制备金属膜的方法，其包括：(a)将含金属化合物由气态沉积至固体基材上，和(b)使具有经沉积的含金属化合物的固体基材与通式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(IIa)、(IIb)、(IIc)或(IId)的化合物接触，其中A为O或NRN，R和RN为氢、烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，R1、R2、R3和R4为氢、烷基、链烯基、芳基、甲硅烷基或酯基，且E不存在或为氧、亚甲基、亚乙基或1,3-亚丙基。
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公开(公告)号：CN111727272B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201880079938.3
申请日：2018-09-17
发明人： D·D·施魏因富特 , L·迈尔 , S·V·克伦克 , S·魏戈尼 , C·H·温特 , K·布莱克尼 , N·韦拉滕加西里卡图格 , T·M·A·N·卡鲁纳拉特
IPC分类号： C23C16/20 , C23C16/06 , C23C16/08 , C23C16/455
摘要： 本发明属于制备无机含金属膜的方法的领域。该方法包括使固体基材与呈气态的通式(I)、(II)、(III)或(IV)化合物接触，其中A为NR2或OR，其中R为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，E为NR或O，n为0、1或2，m为0、1或2，且R'为氢、烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基。
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