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公开(公告)号：CN111727272B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201880079938.3
申请日：2018-09-17
发明人： D·D·施魏因富特 , L·迈尔 , S·V·克伦克 , S·魏戈尼 , C·H·温特 , K·布莱克尼 , N·韦拉滕加西里卡图格 , T·M·A·N·卡鲁纳拉特
IPC分类号： C23C16/20 , C23C16/06 , C23C16/08 , C23C16/455
摘要： 本发明属于制备无机含金属膜的方法的领域。该方法包括使固体基材与呈气态的通式(I)、(II)、(III)或(IV)化合物接触，其中A为NR2或OR，其中R为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，E为NR或O，n为0、1或2，m为0、1或2，且R'为氢、烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基。
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公开(公告)号：CN114729449A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080079413.7
申请日：2020-11-16
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明属于制备含无机金属或含无机半金属的膜的方法的领域。制备含无机金属或含无机半金属的膜的方法包括：(a)将含金属或含半金属的化合物从气态沉积至固体基材上和(b)使具有沉积的含金属或含半金属的化合物的固体基材与通式(I)或(II)化合物接触；其中Z为NR2、PR2、OR、SR、CR2、SiR2，X为H、R’或NR’2，其中至少一个X为H，n为1或2，和R和R’为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基。
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公开(公告)号：CN111727271A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201880079468.0
申请日：2018-11-09
发明人： L·迈尔 , D·D·施魏因富特 , D·瓦尔德曼 , C·H·温特 , K·布莱克尼 , S·V·克伦克 , S·魏戈尼 , N·韦拉滕加西里卡图格 , T·M·A·N·卡鲁纳拉特
摘要： 本发明属于制备无机含金属膜的方法的领域。该制备无机含金属膜的方法包括使固体基材与呈气态的通式(I)或(II)化合物接触，式(I)，式(II)，其中A为NR2或OR，其中R为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，E为NR或O，n为1、2或3，且R'为氢、烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，其中如果n为2且E为NR或A为OR，则NR或OR中的至少一个R在1位不带有氢原子。
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公开(公告)号：CN113939609A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202080041281.9
申请日：2020-05-27
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明属于制备含无机金属或半金属膜的方法的领域，该方法包括：(a)将含金属或半金属化合物由气态沉积至固体基材上，和(b)使固体基材在气态中与通式(I)、(II)、(III)、(IV)、(V)、(VI)或(VII)的化合物接触，其中A为NR或O，E为CR”、CNR”2、N、PR”2或SOR”，G为CR’或N，R为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，和R’和R”为氢、烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基。
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公开(公告)号：CN113906158A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080041282.3
申请日：2020-05-27
IPC分类号： C23C16/455 , C07F5/06
摘要： 本发明属于制备含无机金属或半金属膜的方法的领域，该方法包括：(a)将含金属或半金属化合物由气态沉积至固体基材上，和(b)使固体基材在气态中与通式(I)、(II)或(III)的化合物接触，其中A为NR、NR2、PR、PR2、O、OR、S或SR，E为N、NR、P、PR、O或S，n为1、2或3，R为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，和R’为氢、烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，以及A、E和n的选择使得通式(I)、(II)或(III)的化合物为电中性的。
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公开(公告)号：CN111727271B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201880079468.0
申请日：2018-11-09
发明人： L·迈尔 , D·D·施魏因富特 , D·瓦尔德曼 , C·H·温特 , K·布莱克尼 , S·V·克伦克 , S·魏戈尼 , N·韦拉滕加西里卡图格 , T·M·A·N·卡鲁纳拉特
摘要： 本发明属于制备无机含金属膜的方法的领域。该制备无机含金属膜的方法包括使固体基材与呈气态的通式(I)或(II)化合物接触，式(I)，式(II)，其中A为NR2或OR，其中R为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，E为NR或O，n为1、2或3，且R'为氢、烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，其中如果n为2且E为NR或A为OR，则NR或OR中的至少一个R在1位不带有氢原子。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN111727272A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201880079938.3
申请日：2018-09-17
发明人： D·D·施魏因富特 , L·迈尔 , S·V·克伦克 , S·魏戈尼 , C·H·温特 , K·布莱克尼 , N·韦拉滕加西里卡图格 , T·M·A·N·卡鲁纳拉特
IPC分类号： C23C16/20 , C23C16/06 , C23C16/08 , C23C16/455
摘要： 本发明属于制备无机含金属膜的方法的领域。该方法包括使固体基材与呈气态的通式(I)、(II)、(III)或(IV)化合物接触，其中A为NR2或OR，其中R为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，E为NR或O，n为0、1或2，m为0、1或2，且R'为氢、烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基。
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公开(公告)号：CN112384639A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201980046332.4
申请日：2019-07-04
申请人： 巴斯夫欧洲公司
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/06 , C23C16/455
摘要： 本发明属于在基材上产生无机薄膜的方法，特别是原子层沉积方法的领域。本发明涉及一种制备含金属或半金属的膜的方法，其包括：(a)将含金属或半金属化合物由气态沉积至固体基材上，和(b)使沉积有含金属或半金属化合物的固体基材与通式(II)、(III)或(IV)化合物接触，其中E为Ge或Sn，R为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，R’为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，X为空、氢、卤化物基团、烷基、亚烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、氨基、脒化物基团或胍化物基团，L为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基。
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公开(公告)号：CN112204168A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201980034840.0
申请日：2019-06-04
申请人： 巴斯夫欧洲公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/56
摘要： 本发明属于在衬底上产生薄无机膜的方法的领域。本发明涉及一种制备含金属或半金属的膜的方法，包括：(a)将含金属或半金属的化合物从气态沉积到固体衬底上，和(b)使具有沉积的含金属或半金属的化合物的固体衬底与通式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)或(Ie)的化合物接触，其中E为Ti、Zr、Hf、V、Nb或Ta，L1和L2为戊二烯基或环戊二烯基配体，且X1和X2不存在或者为中性配体，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R20、R21、R22、R23、R24、R25和R26为氢、烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，其中对于化合物(Ia)，R1至R10中的至少一个包含至少一个碳和/或硅原子，且A为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基。
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公开(公告)号：CN112384639B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201980046332.4
申请日：2019-07-04
申请人： 巴斯夫欧洲公司
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/06 , C23C16/455
摘要： 本发明属于在基材上产生无机薄膜的方法，特别是原子层沉积方法的领域。本发明涉及一种制备含金属或半金属的膜的方法，其包括：(a)将含金属或半金属化合物由气态沉积至固体基材上，和(b)使沉积有含金属或半金属化合物的固体基材与通式(II)、(III)或(IV)化合物接触，其中E为Ge或Sn，R为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，R’为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，X为空、氢、卤化物基团、烷基、亚烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、氨基、脒化物基团或胍化物基团，L为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基。#imgabs0#
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