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公开(公告)号:CN107851446B
公开(公告)日:2021-05-18
申请号:CN201680042772.9
申请日:2016-05-27
Applicant: 希捷科技有限公司
Abstract: 具有空气轴承表面(ABS)的设备,所述设备包括近场换能器(NFT),所述近场换能器包括:盘,被配置用于将入射在其上的光子转换成等离子体;以及销钉,被配置用于将从所述盘耦合的等离子体耦合到相邻磁存储介质中,其中,所述盘包括盘材料并且所述销钉包括销钉材料,其中,所述盘材料不同于所述销钉材料,并且其中,所述盘材料具有介电常数的第一实部并且销钉材料具有介电常数的第二实部,并且介电常数的所述第二实部不大于介电常数的所述第一实部。
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公开(公告)号:CN107924688B
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN201680042781.8
申请日:2016-05-27
Applicant: 希捷科技有限公司
Abstract: 具有空气轴承表面(ABS)的设备,所述设备包括近场换能器(NFT),所述近场换能器包括:盘,被配置用于将入射在其上的光子转换成等离子体;以及销钉,被配置用于将从所述盘耦合的等离子体耦合到相邻磁存储介质中,其中,所述盘包括包含金或其合金的盘材料并且所述销钉包括销钉材料,其中,所述盘材料不同于所述销钉材料,并且其中,所述销钉材料的介电常数的实部不大于金的介电常数的实部。
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公开(公告)号:CN105590635A
公开(公告)日:2016-05-18
申请号:CN201511028482.2
申请日:2015-11-10
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/40
CPC classification number: G11B5/314 , C23C8/02 , C23C8/10 , C23C8/80 , G11B5/3106 , G11B9/12 , G11B2005/0021 , G11B5/40 , G11B2220/2508
Abstract: 设备,其包括:近场换能器(NFT);被定位在NFT的至少一部分上的非晶气体阻隔层;以及被定位在气体阻隔层的至少一部分上的耐磨层。
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公开(公告)号:CN116895291A
公开(公告)日:2023-10-17
申请号:CN202310302980.X
申请日:2023-03-23
Applicant: 希捷科技有限公司
Abstract: 本申请公开了具有散热器和扩散屏障的热辅助磁记录头。一种热辅助磁记录头包含近场换能器、散热器、扩散器和扩散屏障。所述近场换能器被配置成在接近的磁盘上产生热点。所述散热器被配置成从所述近场换能器吸走热。所述散热器相对于所述近场换能器设置在顺磁道方向上并且耦合到所述近场换能器。所述扩散器被配置成从所述散热器吸走热。所述扩散器相对于所述散热器设置在顺磁道方向上。所述扩散屏障包含金属。所述扩散屏障设置在所述散热器与所述扩散器之间并且耦合到所述散热器和所述扩散器。
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公开(公告)号:CN105590635B
公开(公告)日:2019-06-18
申请号:CN201511028482.2
申请日:2015-11-10
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/40
CPC classification number: G11B5/314 , C23C8/02 , C23C8/10 , C23C8/80 , G11B5/3106 , G11B9/12 , G11B2005/0021
Abstract: 设备,其包括:近场换能器(NFT);被定位在NFT的至少一部分上的非晶气体阻隔层;以及被定位在气体阻隔层的至少一部分上的耐磨层。
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公开(公告)号:CN107924688A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201680042781.8
申请日:2016-05-27
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: G11B5/314 , G11B5/3116 , G11B5/3133 , G11B2005/0021
Abstract: 具有空气轴承表面(ABS)的设备,所述设备包括近场换能器(NFT),所述近场换能器包括:盘,被配置用于将入射在其上的光子转换成等离子体;以及销钉,被配置用于将从所述盘耦合的等离子体耦合到相邻磁存储介质中,其中,所述盘包括包含金或其合金的盘材料并且所述销钉包括销钉材料,其中,所述盘材料不同于所述销钉材料,并且其中,所述销钉材料的介电常数的实部不大于金的介电常数的实部。
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公开(公告)号:CN107851446A
公开(公告)日:2018-03-27
申请号:CN201680042772.9
申请日:2016-05-27
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: G11B5/314 , G11B5/3116 , G11B5/3133 , G11B2005/0021
Abstract: 具有空气轴承表面(ABS)的设备,所述设备包括近场换能器(NFT),所述近场换能器包括:盘,被配置用于将入射在其上的光子转换成等离子体;以及销钉,被配置用于将从所述盘耦合的等离子体耦合到相邻磁存储介质中,其中,所述盘包括盘材料并且所述销钉包括销钉材料,其中,所述盘材料不同于所述销钉材料,并且其中,所述盘材料具有介电常数的第一实部并且销钉材料具有介电常数的第二实部,并且介电常数的所述第二实部不大于介电常数的所述第一实部。
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公开(公告)号:CN106024019A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201610157325.X
申请日:2016-03-18
Applicant: 希捷科技有限公司
Abstract: 公开了包括扩散势垒层的设备,具有空气轴承表面(ABS),所述设备包括:写入极;近场换能器(NFT),所述近场换能器包括轴柱和盘,其中,所述轴柱位于所述设备的所述ABS处;散热器,所述散热器位于所述NFT的所述盘的附近;电介质间隔,所述电介质间隔在所述设备的所述ABS处的所述NFT的所述轴柱附近;以及保形扩散势垒层,所述保形扩散势垒层位于所述写入极和所述电介质间隔、所述盘以及所述散热器之间,其中,所述保形扩散势垒层形成不大于135°的至少一个角度。
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公开(公告)号:CN106024019B
公开(公告)日:2019-08-20
申请号:CN201610157325.X
申请日:2016-03-18
Applicant: 希捷科技有限公司
Abstract: 公开了包括扩散势垒层的设备,具有空气轴承表面(ABS),所述设备包括:写入极;近场换能器(NFT),所述近场换能器包括轴柱和盘,其中,所述轴柱位于所述设备的所述ABS处;散热器,所述散热器位于所述NFT的所述盘的附近;电介质间隔,所述电介质间隔在所述设备的所述ABS处的所述NFT的所述轴柱附近;以及保形扩散势垒层,所述保形扩散势垒层位于所述写入极和所述电介质间隔、所述盘以及所述散热器之间,其中,所述保形扩散势垒层形成不大于135°的至少一个角度。
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