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公开(公告)号：CN105047204A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510203598.9
申请日：2015-04-24
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/3133 , G11B5/3116 , G11B5/313 , G11B5/314 , G11B5/3163 , G11B2005/0021
Abstract: 本申请公开了形成近场换能器(NFT)的多个部分的方法以及由此形成的物品。该方法包括：形成近场换能器(NFT)结构的至少一部分；将材料沉积到NFT的该部分的至少一个表面上以形成含金属层；以及使该含金属层经受用于使该材料的至少一部分扩散到NFT的该部分的至少一个表面中的条件；以及由此形成的设备。
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公开(公告)号：CN102272834A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200980153780.0
申请日：2009-11-25
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/127 , G11B5/31 , G11B11/105
CPC classification number: G11B11/10543 , G11B5/1278 , G11B5/3116 , G11B5/314 , G11B5/6088 , G11B11/10536 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021
Abstract: 一种装置，该装置具有：有第一侧(110)以及与第一侧相对的第二侧的第一极(104)；置于第一极的第一侧上的第二极(106)；以及置于第一极的第二侧(114)上的波导(112)，其中波导具有与空气轴承表面相邻的一端。第一极包括：与波导相隔开的第一部以及从第一部向空气轴承表面延伸的第二部，其中第二部的结构为：第二部的一端比第一部更靠近波导。
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公开(公告)号：CN105590635B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201511028482.2
申请日：2015-11-10
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/40
CPC classification number: G11B5/314 , C23C8/02 , C23C8/10 , C23C8/80 , G11B5/3106 , G11B9/12 , G11B2005/0021
Abstract: 设备，其包括：近场换能器(NFT)；被定位在NFT的至少一部分上的非晶气体阻隔层；以及被定位在气体阻隔层的至少一部分上的耐磨层。
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公开(公告)号：CN102272845A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200980154226.4
申请日：2009-12-03
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C11/161 , G11C11/1673
Abstract: 披露了可适用于自旋转矩随机存取存储器(ST-RAM)的磁性数据存储单元。磁性单元包括第一和第二固定磁性层以及位于固定磁性层之间的自由磁性层。磁性单元还包括配置成提供流过磁性层的自旋极化电流的端子。第一固定磁性层具有基本平行于自由磁性层的易磁化轴的磁化方向，而第二固定磁性层具有基本正交于自由磁性层的易磁化轴的磁化方向。双重固定磁性层在对自由磁性层作写入时提供增强的自旋转矩，由此减小需要的电流并减小磁性数据存储单元的形体尺寸，并增加磁性自旋转矩数据存储器的数据存储密度。
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公开(公告)号：CN105280198A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410427487.1
申请日：2014-06-24
Applicant: 希捷科技有限公司
Abstract: 本申请公开了包括至少一个混合层的装置。一种装置，包括近场换能器(NFT)，所述NFT包括具有五个暴露表面的桩，所述桩包括第一材料；叠加结构；至少一个混合层，设置在桩和叠加结构之间，所述至少一个混合层设置在桩的五个表面中的至少一个上，所述混合层至少包括第一材料和第二材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101373630B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200810213634.X
申请日：2008-08-20
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C13/0002 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/008 , G11C2013/0092
Abstract: 一种存储元件包括可寻址存储单元。热电器件与该存储单元相耦合。导电体向该热电器件提供电流脉冲。该电流脉冲在热电器件和存储单元之间产生热电热流脉冲。
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公开(公告)号：CN105047204B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201510203598.9
申请日：2015-04-24
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/3133 , G11B5/3116 , G11B5/313 , G11B5/314 , G11B5/3163 , G11B2005/0021
Abstract: 本申请公开了形成近场换能器(NFT)的多个部分的方法以及由此形成的物品。该方法包括：形成近场换能器(NFT)结构的至少一部分；将材料沉积到NFT的该部分的至少一个表面上以形成含金属层；以及使该含金属层经受用于使该材料的至少一部分扩散到NFT的该部分的至少一个表面中的条件；以及由此形成的设备。
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公开(公告)号：CN105590635A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201511028482.2
申请日：2015-11-10
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/40
CPC classification number: G11B5/314 , C23C8/02 , C23C8/10 , C23C8/80 , G11B5/3106 , G11B9/12 , G11B2005/0021 , G11B5/40 , G11B2220/2508
Abstract: 设备，其包括：近场换能器(NFT)；被定位在NFT的至少一部分上的非晶气体阻隔层；以及被定位在气体阻隔层的至少一部分上的耐磨层。
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公开(公告)号：CN102272834B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN200980153780.0
申请日：2009-11-25
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B5/127 , G11B5/31 , G11B11/105
CPC classification number: G11B11/10543 , G11B5/1278 , G11B5/3116 , G11B5/314 , G11B5/6088 , G11B11/10536 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021
Abstract: 一种装置，该装置具有：有第一侧(110)以及与第一侧相对的第二侧的第一极(104)；置于第一极的第一侧上的第二极(106)；以及置于第一极的第二侧(114)上的波导(112)，其中波导具有与空气轴承表面相邻的一端。第一极包括：与波导相隔开的第一部以及从第一部向空气轴承表面延伸的第二部，其中第二部的结构为：第二部的一端比第一部更靠近波导。
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公开(公告)号：CN105280198B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201410427487.1
申请日：2014-06-24
Applicant: 希捷科技有限公司
Abstract: 本申请公开了包括至少一个混合层的装置。一种装置，包括近场换能器(NFT)，所述NFT包括具有五个暴露表面的桩，所述桩包括第一材料；叠加结构；至少一个混合层，设置在桩和叠加结构之间，所述至少一个混合层设置在桩的五个表面中的至少一个上，所述混合层至少包括第一材料和第二材料。
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