一种高能电子束非热诱导PVP@Ag纳米线加工的方法

    公开(公告)号:CN116037915A

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202211719594.2

    申请日:2022-12-30

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明公开了一种高能电子束非热诱导PVP@Ag纳米线加工的方法,将PVP@Ag纳米线粉末分散到微栅上制成TEM样品,然后在TEM中选取两端搭在微栅孔洞中的纳米线片段,并将电子束聚焦于该纳米线片段进行不断辐照,诱导辐照区域内原子的非热“融蒸”和“扩散”,从而实现了PVP@Ag纳米线的打孔或焊接加工。本发明利用TEM中高能电子束聚焦辐照,不仅可以非热激活诱导纳米结构转变,同时还可以高分辨原位观察PVP@Ag纳米线孔洞结构和交叉焊接结构的加工过程。此外,辐照加工仅在室温下进行,无需外界光、热、电、力等的辅助,整个工艺过程简单、容易操作。

    一种光激发突触晶体管及制备方法

    公开(公告)号:CN115985947A

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202310102910.X

    申请日:2023-02-13

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明涉及晶体管技术领域,尤其涉及一种光激发突触晶体管及制备方法,包括PET塑料衬底,IGZO沟道层设置在PET塑料衬底上,IGZO沟道层上为ITO电极层,ITO电极层上为Ion Gel离子凝胶栅介质层;IGZO沟道层为正方形,ITO电极层沿着IGZO沟道层的正方形的三条边设置;ITO沟道电极层向外延伸出源极、漏极和栅极,源极漏极栅极在同一平面上。本发明采用可大规模制备的喷墨打印工艺,能够大幅降低制备成本;在单一晶体管器件中实现“感算一体”双重功能,在感知环境光信息的同时,进行类神经突触计算;在工作过程中,将处理后的电学信息输出给效应器快速环境刺激反馈,实现对类人非条件反射行为的模拟。

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