一种碱金属掺杂氮空位调控g-C3N4负载Bi2Sn2O7复合光催化剂的制备方法

    公开(公告)号:CN117299181A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202311260075.9

    申请日:2023-09-27

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明属于光催化纳米材料制备领域,具体涉及一种碱金属掺杂氮空位调控g‑C3N4负载Bi2Sn2O7复合光催化剂的制备方法,包括g‑C3N4的制备、Na和K共掺杂的g‑C3N4的制备、Bi2Sn2O7的制备和Bi2Sn2O7/NKCN复合光催化剂的制备。与Bi2Sn2O7和碱金属掺杂氮空位调控g‑C3N4相比,所制备的Bi2Sn2O7/g‑C3N4复合光催化剂在模拟阳光下的光催化降解四环素效率显著提高。本发明的制备方法简单,便于操作,且制备条件较好控制,所制备的Bi2Sn2O7/g‑C3N4复合光催化剂有较好的光催化活性和稳定性,具有一定应用前景。

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