利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

27 条记录 (耗时 0.053 秒)

    用于建筑内部装饰的彩色光伏组件及其制备方法
    1.
    发明授权
    用于建筑内部装饰的彩色光伏组件及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN104409536B

    公开(公告)日：2016-09-28

    申请号：CN201410743903.9

    申请日：2014-12-08

    申请人： 常州天合光能有限公司 ,  中山大学

    发明人： 刘斌辉 ,  陈奕峰 ,  杨阳 ,  沈辉 ,  冯志强

    IPC分类号： H01L31/048 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    摘要： 本发明公开了一种用于建筑内部装饰的彩色光伏组件及其制备方法，用于建筑内部装饰的彩色光伏组件从上到下依次为正面玻璃、正面封装层、双面太阳电池阵列、背面封装层和背面玻璃，双面太阳电池阵列具有多个双面太阳电池片，并且每个双面太阳电池片的背面为单一颜色，双面太阳电池阵列的背面具有至少一种颜色。本发明不仅可以获得组合成的彩色图案，增加建筑美感，供内部游客欣赏，而且可以双面发电，具有良好的透光性，增加其发电效率。

    判断失效光伏组件的失效分析方法及其使用的光伏组件结构
    4.
    发明公开
    判断失效光伏组件的失效分析方法及其使用的光伏组件结构 无效

    公开(公告)号：CN104485875A

    公开(公告)日：2015-04-01

    申请号：CN201410790761.1

    申请日：2014-12-17

    申请人： 常州天合光能有限公司

    发明人： 陈奕峰 ,  皮尔·雅各·威灵顿 ,  王子港 ,  崔艳峰 ,  冯志强

    IPC分类号： H02S30/10 ,  H02S50/10

    CPC分类号： H02S30/00 ,  H02S50/00

    摘要： 本发明公开了一种判断失效光伏组件的失效分析方法及其使用的光伏组件结构，其中，失效光伏组件由第一电池片制备得到，本发明提供的方法的步骤如下：(a)提供一光伏组件结构，其具有两种类型电池片，分别为第一电池片和第二电池片，第一电池片和第二电池片具有单一差异因素，并且除该单一差异因素外，其余因素相同；其中，该单一差异因素为单一的结构设计差异或为单一工艺制成差异；(b)将该光伏组件进行环境实验；(c)再将经过环境实验后的光伏组件进行光伏组件特性测试；(d)根据测试结果判定光伏组件失效原因。(e)如果(d)未能找出组件失效的根本原因，则重复(a)-(d)，直到所有的电池单一差异因素均被完全排除，则判定为失效由组件材料和封装工艺造成。本发明能够有利于甄别出光伏组件的失效原因是由电池片的结构设计差异不同或电池片的工艺制成不同或组件材料和封装工艺不良导致的。

    一种太阳能电池浮动结背面钝化结构及其方法
    9.
    发明授权
    一种太阳能电池浮动结背面钝化结构及其方法 有权

    公开(公告)号：CN102184985B

    公开(公告)日：2013-09-04

    申请号：CN201110111775.2

    申请日：2011-04-30

    申请人： 常州天合光能有限公司

    发明人： 邓伟伟 ,  冯志强

    IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    摘要： 本发明涉及太阳能电池钝化技术领域，特别是一种太阳能电池浮动结背面钝化的方法。P型晶体硅电池的传统背面钝化路线是使用二氧化硅或氮化硅作为背面的钝化层，但是在背面空穴是少子，而所增加的钝化层所带的电荷为正电，阻止了空穴向背面的运动，从而得不到背面钝化的效果，本发明在背面增加了一个N型区，大大的降低了背面的复合，增加电压和效率。其结构为：在P型硅基体的背面增加一层N型区，在N型区上生长或沉积钝化层。其工艺方法为：在硅片清洗制绒之后在硅片表面制作一层二氧化硅的薄膜，正面的二氧化硅在完成正面扩散后去除，在背面二氧化硅上开槽、扩散，在背面形成N型钝化层，然后在正面和背面分别沉积钝化膜。

    晶体硅太阳能电池的钝化方法
    10.
    发明公开
    晶体硅太阳能电池的钝化方法 无效

    公开(公告)号：CN102364696A

    公开(公告)日：2012-02-29

    申请号：CN201110179744.0

    申请日：2011-06-30

    申请人： 常州天合光能有限公司

    发明人： 邓伟伟 ,  冯志强

    IPC分类号： H01L31/18

    CPC分类号： Y02P70/521

    摘要： 本发明涉及太阳能电池钝化实现方法技术领域，特别是一种晶体硅太阳能电池的钝化方法。该方法为：在低温下用热氧化的方法在硅片的表面生长一层厚度为5-50nm的二氧化硅薄膜，温度范围为600℃-800℃，氧化时间为5-60min。二氧化硅薄膜作为太阳能电池的一层钝化层，在这层钝化层的表面另外再沉积一层钝化层，形成叠层的钝化膜来钝化电池的表面。本发明的有益效果是：在太阳能电池的表面多增加一层本发明所涉及的二氧化硅钝化膜，再加上一层如SiNx薄膜的钝化层之后，相对于单层的SiNx薄膜或高温下生长的二氧化硅薄膜的叠层钝化的钝化，效率可以提升0.2％以上，电压可以提高5-8mV，电流也有50-100mA的提升。