公开(公告)号：CN118441253A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202311372624.1

申请日：2023-10-23

申请人： 常州工学院

发明人： 尤海鹏 ,  吕莹璐 ,  牟臻颖 ,  姚茵 ,  胡益丰 ,  李悦 ,  陈依绡 ,  王馨瑶 ,  张慧雯 ,  杜二伟

IPC分类号： C23C14/35 ,  C09K5/02 ,  H10N70/00 ,  C23C14/14 ,  C22C12/00

摘要： 本发明公开了一种用于快速相变、低功耗相变存储器的CuSnSb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用，所述CuSnSb纳米相变薄膜的化学组成为Cu32Sn10Sb58，所述CuSnSb纳米相变薄膜是以Sn15Sb85靶材和1/4扇形Cu靶材构成的复合靶材通过高真空环境磁控溅射方法沉积而成。本发明的Cu32Sn10Sb58纳米相变薄膜材料应用于半导体领域中的相变存储器，具有更快的晶化速度，能够极大提升相变存储器的存储速度；在SET和RESET过程电阻较小，因此能极大降低相变存储器的功耗；非晶态与晶态之间均方根粗糙度差异能使电极与相变材料之间更好的接触与断开，提升了器件可靠性。