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发明公开
一种MRI高场磁体线圈参数的优化方法审中-实审

公开(公告)号：CN118798121A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410784748.9

申请日：2024-06-18

Applicant: 常州机电职业技术学院

Inventor： 许爱华 , 吴凯宏 , 蔡福海 , 刘江 , 王行刚 , 桑小虎 , 石坤举 , 杨晨

IPC: G06F30/398 , G06N3/006

Abstract: 本申请公开了一种MRI高场磁体线圈参数的优化方法，属于高场磁体领域，包括：确定磁体线圈的均匀度要求、杂散场要求、导体样式以及空间排布；通过线性规划建立磁体线圈的目标函数和约束条件，获得磁体线圈的电流分布；根据磁体线圈的初步电流分布，对磁体线圈进行矩形化规整，得到第一线圈参数；基于第一线圈参数构建非线性规划模型，求解获得第二线圈参数；基于粒子群算法对第二线圈参数进行优化，获得均匀度和杂散场符合预设要求的目标线圈参数。本申请提供的优化方法可针对多匝密绕高场磁体线圈进行参数优化，有效提升MRI高场磁体的均匀度和杂散场。

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