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公开(公告)号：CN118448988A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202310078460.5
申请日：2023-02-03
申请人： 常州纵慧芯光半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种电泵浦拓扑腔面发射激光器及激光器阵列，包括：衬底；下布拉格反射层，位于衬底的一侧；有源层，位于下布拉格反射层远离衬底的一侧；上布拉格反射层，位于有源层远离衬底的一侧；第一接触电极和第二接触电极，位于衬底的同一侧，或者位于衬底的相对两侧；第一接触电极和第二接触电极用于向有源层供电；其中，有源层和上布拉格反射层之间设置有拓扑光子晶体层；拓扑光子晶体层用于形成水平方向的谐振腔；下布拉格反射层和上布拉格反射层用于形成垂直方向的谐振腔；垂直方向为垂直有源层的方向，水平方向为平行于有源层的方向。实现了拓扑腔面发射激光器的电泵浦，并实现了较高的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN117595062A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311373320.7
申请日：2023-10-20
申请人： 常州纵慧芯光半导体科技有限公司
IPC分类号： H01S5/02315 , H01S5/0232 , H01S5/02345
摘要： 本发明提供一种垂直腔面发射激光器阵列结构，包括：依次层叠设置的衬底、第一欧姆金属层、第一电极、第一反射层、有源层、氧化层、第二反射层、第二欧姆金属层和第二电极；所述第一欧姆金属层包括多个连接部和延伸部，所述连接部和所述延伸部为一体结构；所述延伸部沿第一方向和/或第二方向延伸分布；在所述发光区域内，最外围的所述光学孔径至少与一所述延伸部相邻。本发明提供一种垂直腔面发射激光器阵列结构，提高了靠近隔离沟槽位置的欧姆接触面积，提高了载流子浓度进而提高了光学孔径的发光功率。
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公开(公告)号：CN117199999A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311286024.3
申请日：2023-09-28
申请人： 常州纵慧芯光半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器，包括：多个发光单元、围绕各发光单元的沟槽设置区和平坦区；沟槽设置区和平坦区间隔设置；任意相邻的两个发光单元共用一个平坦区，任意彼此相邻的至少三个发光单元共用一个沟槽设置区；沟槽设置区设置有氧化沟槽，平坦区不设置氧化沟槽，能够在保证对电流限制层的氧化效果，以保证发光单元的发光效果的基础上，减小各发光单元之间的距离，能够提高发光单元的集成度，从而有效提高了激光器单位面积的发光亮度，便于实现垂直腔面发射激光器的小型化设计。
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公开(公告)号：CN113823995B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202111037142.1
申请日：2021-09-06
申请人： 常州纵慧芯光半导体科技有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种垂直分布反馈面发射激光器及其制备方法，该激光器包括第一腔面、周期性分布反馈结构和第二腔面；沿第一方向，设置周期性分布反馈结构包括多个分布反馈结构，且分布反馈结构包括氧化层、有源区和隧道结，通过设置多个氧化层替代二阶光栅调节光均匀分布，同时设置氧化层为高阻抗结构，控制电流流经方向，提高出光功率，进一步的，设置周期性分布反馈结构的周期为垂直分布反馈面发射激光器的有效出射波长的半波长的整数倍，限定激光器的出射波长范围，减小光谱线宽，提高激光器的波长稳定性。本发明解决了现有技术中激光器的波长稳定性差、功率密度较低、结构较复杂，难以实现大量生产以及窄线宽应用要求的技术问题。
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公开(公告)号：CN116365365A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310339507.9
申请日：2023-03-31
申请人： 常州纵慧芯光半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种VCSEL阵列及发光器，VCSEL阵列包括传输线、焊盘和多个VCSEL；焊盘与传输线的端部电连接；每一VCSEL均与传输线电连接；VCSEL包括植入材料区欧姆金属层和第二电极；欧姆金属层与第二电极接触；第一VCSEL的植入材料区在衬底上的垂直投影的面积大于或等于第二VCSEL的植入材料区在衬底上的垂直投影的面积，以及第一VCSEL的欧姆金属层在衬底上的垂直投影的面积小于或等于第二VCSEL的欧姆金属层在衬底上的垂直投影的面积。本发明可以减小不同位置处的VCSEL之间的电压的差异，从而减小不同位置处的VCSEL的发光亮度差异，提高VCSEL阵列显示的均匀性。
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公开(公告)号：CN116316051A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310032186.8
申请日：2023-01-10
申请人： 常州纵慧芯光半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种面发射激光器，包括：衬底；外延层，位于衬底的一侧；其中，外延层用于形成发光台，发光台中包括至少一层有源层；第一电极，位于外延层远离衬底的一侧；第二电极，位于衬底远离外延层的一侧；或者，位于衬底靠近外延层的一侧，并围绕发光台设置；其中，第一电极为由多个导电网格构成的网格电极；每一导电网格内包括相应填充系数的绝缘图案；绝缘图案用于调节有源层不同位置的载流子密度；绝缘图案的填充系数为绝缘图案与导电网格的面积比。实现了对载流子密度分布的控制，进而实现对特定模式光激射以及对偏振的控制。
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公开(公告)号：CN115882335A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111335318.1
申请日：2021-11-11
申请人： 常州纵慧芯光半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种具有小发散角的VCSEL激光器、芯片及用于LIDAR系统的光源，激光器包括：下布拉格反射层；有源层，位于下布拉格反射层的一侧；上布拉格反射层，位于有源层远离下布拉格反射层的一侧；有源层内或附近设置有电流限制层，电流限制层用于定义出发光区；其中，下布拉格反射层与有源层之间和上布拉格反射层与有源层之间至少一处设置有延腔层，延腔层内部包括至少一个谐振腔，谐振腔用于增大延腔层内部的光场强度。通过谐振腔调整驻波电场光强分布，降低了电流限制层的光限制因子，区别于传统单纯延长腔长减小发散角的方法，在有效的降低发散角的同时，使得腔长的增加较少，从而可以改善长腔导致的多纵模同时激射的问题。
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公开(公告)号：CN111211482B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202010143255.9
申请日：2020-03-04
申请人： 常州纵慧芯光半导体科技有限公司
摘要： 本发明提出一种垂直腔面发射激光器及其制造方法与应用，包括，衬底；第一反射层，形成在所述衬底上；至少两个发光单元，形成在所述第一反射层上，每一所述发光单元包括至少两个发光子单元；第一沟槽，形成在所述至少两个发光单元之间，所述第一沟槽暴露出所述衬底；绝缘层，形成在所述第一沟槽内；第一电极，形成在所述至少两个发光单元上，连接所述至少两个发光单元，且每一所述发光单元内的发光子单元通过所述第一电极连接，形成公共阳极；至少两个第二电极，与所述第一反射层接触；其中，所述第一电极覆盖所述发光子单元，所述发光子单元发射的光线通过所述衬底出射。本发明提出的垂直腔面发射激光器应用频率快。
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公开(公告)号：CN111313227B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010143692.0
申请日：2020-03-04
申请人： 常州纵慧芯光半导体科技有限公司
摘要： 本发明提出一种垂直腔面发射激光器及其制造方法，包括，外延结构，包括第一反射层，有源层及第二反射层；至少一个第一沟槽，形成在所述外延结构内，贯穿所述外延结构，将所述外延结构分成至少两个发光单元；至少两个绝缘层，形成在所述第一沟槽内；至少一个第一电极，形成在所述第一沟槽内，连接所述至少两个发光单元，且所述发光单元内的发光子单元通过所述第一电极连接，以形成公共阳极；至少两个第二电极，形成在所述第一反射层的背面上；其中，每一所述发光子单元包括一发光孔，所述第一电极围绕在所述发光孔的外周。本发明提出的垂直腔面发射激光器应用频率快。
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公开(公告)号：CN113013725A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110576111.7
申请日：2021-05-26
申请人： 常州纵慧芯光半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器，包括：衬底、外延层、第一电极和焊盘；所述外延层设置有发光区和非发光区，所述第一电极包括同层设置的环形部和连接部，所述环形部设置于邻近所述发光区的非发光区且与所述外延层接触，所述环形部沿所述焊盘方向的所述非发光区延伸形成所述连接部；所述非发光区的外延层设置有沟槽，所述沟槽半环绕所述发光区，且所述沟槽在所述衬底上的正投影，与所述连接部在所述衬底上的正投影不交叠；所述焊盘位于所述非发光区，所述焊盘设置于所述外延层远离所述衬底的一侧并与所述连接部搭接。本发明实施例能够降低垂直腔面发射激光器的寄生电容。
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