一种用于金刚石微粉溢流分级处理设备及方法

    公开(公告)号:CN108246486A

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201810163788.6

    申请日:2018-02-27

    发明人: 张福军 孔令奇

    IPC分类号: B03B5/38

    CPC分类号: B03B5/38

    摘要: 本发明公开了一种用于金刚石微粉溢流分级处理的设备及方法,包括冷水机、超纯水机、均化罐、机械计量泵、背压阀、单向阀、脉冲阻尼器,溢流锥、碟型分液器、导流柱和进料泵,其特征在于:进料泵将均化罐中分散好的金刚石悬浊液输送进溢流锥,冷水机恒温控制超纯水机产出的纯水,计量泵通过控制超纯水进入溢流锥的流量使不同粒径的金刚石颗粒从溢流锥中流出,从而实现对金刚石微粉的精细分级。本发明设备,可以实现对金刚石微粉不同粒度的快速精准分级,生产周期短,粒度分布集中。

    一种多晶硅铸锭用石英陶瓷坩埚

    公开(公告)号:CN106119959A

    公开(公告)日:2016-11-16

    申请号:CN201610758341.4

    申请日:2016-08-30

    发明人: 张福军 汪兴华

    IPC分类号: C30B29/06 C30B28/06

    CPC分类号: C30B29/06 C30B28/06

    摘要: 一种多晶硅铸锭用石英陶瓷坩埚,其特征在于,包括坩埚本体,所述坩埚本体上部四周边墙带有孔洞,孔洞位置距坩埚底部为坩埚整体高度的50%‑95%,上面多孔部分为单独一体成型或者分开成型后加载上去。此种方法的实现可使得熔硅在高温下杂质排除更彻底,出锭后晶锭碳氧含量能降低2‑6ppm,晶锭的位错密度相应降低,硅片光衰比例下降0.5%,另外碳杂质的减少还会大大降低切片尤其金刚线切片的断线比例。

    一种利于多晶半熔工艺提效的坩埚

    公开(公告)号:CN106087049A

    公开(公告)日:2016-11-09

    申请号:CN201610758343.3

    申请日:2016-08-30

    发明人: 张福军 汪兴华

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明涉及一种利于多晶半熔工艺提效的坩埚,具体为将坩埚底部圆弧角处厚度加大至25‑60 mm,坩埚底部中间掏空处厚度减薄至5‑25mm,其它部位厚度在20‑60mm之间,坩埚底部中间掏空处用加工好的石墨件或者其它导热材料填充。此种外型坩埚一方面使得熔化阶段加热器对边缘籽晶的热辐射减少,晶体全部沿着底部籽晶形核达到彻底同质形核的目的,降低边缘晶棒的低效比例,晶锭整锭效率可提升0.05%‑0.2%,且效率分布更集中;另一方面底部厚度减薄使得DS块散热更充分,适当加快长晶,铸锭用时可缩短2‑4小时,铸锭能耗降低10‑25%。

    一种新型高纯石英坩埚及其制备方法

    公开(公告)号:CN105648528A

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:CN201610146253.9

    申请日:2016-03-15

    发明人: 张福军 陈加伟

    IPC分类号: C30B29/06 C30B28/06

    CPC分类号: C30B29/06 C30B28/06

    摘要: 本发明公开了一种新型高纯石英坩埚及其制备方法,新型高纯石英坩埚,包括坩埚本体、坩埚内表面的高纯石英陶瓷涂层。具体步骤是在石英坩埚生坯上,制作高纯石英陶瓷涂层,经过低温干燥、高温烧结得到新型高纯石英坩埚。这样的设计结构首先可以实现高纯石英陶瓷涂层与石英坩埚生坯的一体烧结,将硅溶胶的脱水缩合过程及有机粘结剂的分解过程中产生的H2O、CO和CO2等气体杂质在坩埚使用前排除,进而降低硅锭中的氧和碳含量。其次可以加强高纯石英陶瓷涂层与坩埚本体之间的结合能力,降低杂质率,同时不影响底部晶花,提高硅片的转换效率。本发明的坩埚生产的硅片,红区图谱和晶花有显著改善,其氧和碳含量降低50%~60%,杂质率降低75%,整体收率比产线高5%。

    一种多晶铸锭用选择性全熔高效坩埚

    公开(公告)号:CN105568374A

    公开(公告)日:2016-05-11

    申请号:CN201610148658.6

    申请日:2016-03-16

    发明人: 张福军 汪兴华

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    CPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明涉及一种特殊高效坩埚,具体方法为将多晶坩埚底部边缘处布满硅颗粒或者硅与硅相应化合物的混合物作为形核物,坩埚底部中间部分不做任何处理,此种方法的实施可阻止因边缘籽晶熔化导致边缘形核较差的问题,保证多晶铸锭用半熔工艺下底部边缘处达到同质形核的目的。杂质的引入及晶锭边缘低效比率可明显下降,晶锭整锭光电转换效率提升0.05-0.10%,制作高效坩埚底部涂层的成本可下降50-80%。

    一种铸锭用石英坩埚及其制备方法

    公开(公告)号:CN102527594A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201210019606.0

    申请日:2012-01-22

    摘要: 本发明提供了一种铸锭用石英坩埚及其制备方法,涉及了多晶硅铸锭的石英坩埚和制备方法。其步骤为(1)配制氮化硅浆料:将质量分数为30-55%的氮化硅粉,质量分数为1-10%的有机粘结剂,质量分数为0-1%的抗氧化剂,质量分数为35-69%的纯水混合均匀后,加热到40-100°C;(2)喷涂:采用喷涂工艺将悬浮液喷坩埚表面,将喷涂好的坩埚继续在80-100°C条件下继续进行涂层固化1-2小时,然后冷却至室温。加入有机粘结剂,与坩埚表面吸附性更好,不易遭到破坏;不需要进行高温烧结,降低石英坩埚和涂层氧化污染,降低能耗。

    太阳能石英坩埚的自动喷涂装置及其自动喷涂工艺

    公开(公告)号:CN101797544A

    公开(公告)日:2010-08-11

    申请号:CN201010130998.9

    申请日:2010-03-19

    发明人: 张福军

    摘要: 本发明涉及太阳能石英坩埚的自动喷涂装置及自动喷涂工艺,装置包括机器人本体、机器人控制器、加热笼和喷涂操作台,机器人本体的机械臂上安装有自动喷枪和红外线测温仪,机器人本体的一侧布置加热笼,加热笼与自动喷枪相对,机器人本体的另一侧布置喷涂操作台,喷涂操作台通过气管和输液管与自动喷枪相连,机器人本体通过电缆与机器人控制器相连,红外线测温仪通过二次仪表与机器人控制器相连。该自动喷涂装置的喷涂路径和时间事先编程好,按照程序和指令进行喷涂操作,红外线测温仪自动测控温度,喷涂时可在一个密闭的空间里工作,不需用大量的排风机排掉余留的氮化硅粉尘,对于余留的微粉及时利用;机器人可同时进行两个或多个坩埚的喷涂。

    一种多晶硅铸锭用石英坩埚涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN105818485A

    公开(公告)日:2016-08-03

    申请号:CN201510004613.7

    申请日:2015-01-06

    摘要: 本发明涉及一种氮化硅涂层或氮化硅中添加少量其它不与硅反应的物质组成的混合物涂层,该涂层创造性的采用流延工艺制得;该涂层厚度为0.2-5mm,通过添加硅溶胶及其它陶瓷粘结剂将流延制备的涂层平整的粘在坩埚底部,得到用于生产高纯多晶硅的石英坩埚。该石英坩埚在全熔工艺下,铸造的晶锭少子寿命平均值在5.0-5.8μs,与普通全熔工艺少子寿命相当,晶锭底部红区较普通全熔工艺减少5-15mm,晶锭在统一标准下划线,收益率可提升2%-5%,大大增加铸锭产能。