一种稀氮激光器及其制作方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116454723A

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202310362558.3

    申请日:2023-04-06

    IPC分类号: H01S5/02 H01S5/028

    摘要: 本申请公开了一种稀氮激光器及其制作方法;该稀氮激光器包括叠层设置的第一衬底、过渡层、形核层、第二衬底、有源层以及半导体层,第一衬底的机械强度大于第二衬底的机械强度;本申请通过利用高机械强度的第一衬底作为第二衬底的虚拟衬底,并通过过渡层和形核层来衔接第一衬底和第二衬底,增加了稀氮激光器的机械强度,改善了大尺寸晶圆在晶圆工艺的减薄和切割工艺时出现破片的风险。

    DFB激光器及其制备方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116014560A

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202211565252.X

    申请日:2022-12-07

    摘要: 本发明涉及一种DFB激光器及其制备方法。DFB激光器,包括:DFB激光器结构,具有脊型波导;低应力介质层,至少覆盖所述脊型波导的侧壁;所述低应力介质层的热膨胀系数与所述脊型波导的热膨胀系数相匹配。本发明的DFB激光器,可以显著降低所述DFB激光器的寄生电容,从而提高所述DFB激光器在高频条件下的带宽性能。本发明采用的是热膨胀系数与所述脊型波导的热膨胀系数相匹配的所述低应力介质层,所述DFB激光器在不同的操作温度下,不会产生明显的热应力,不会对所述DFB激光器结构中的量子阱材料产生应力而影响DFB激光器的性能,所述低应力介质层不会和所述DFB激光器结构因热应力失配而造成层脱离,从而确保所述DFB激光器的性能。

    一种集成光栅和铌酸锂薄膜波导的方法

    公开(公告)号:CN117991448B

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202410407840.3

    申请日:2024-04-07

    发明人: 张岚 潘振辉 许明

    摘要: 本申请提供一种集成光栅和铌酸锂薄膜波导的方法,包括如下步骤:在硅基的铌酸锂薄膜晶圆A上光刻和刻蚀光栅;在具有光栅的铌酸锂薄膜层上沉积二氧化硅介质膜并进行化学机械抛光以使表面平坦化并降低表面粗糙度;此晶圆A和已经离子注入的铌酸锂晶圆B合并在高温下同时完成A‑B晶圆键合和铌酸锂薄膜的剥离;在顶层铌酸锂薄膜上形成脊波导;脊波导上沉积二氧化硅介质膜并形成所需电极。本申请可以有效将光栅与铌酸锂薄膜波导集成形成紧凑光电器件,在获得高光栅藕合效率同时可达到低传输损耗,降低制造成本,可应用于多种光电子集成器件的制作。

    稀氮激光器芯片及其制备方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117856042A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202410030821.3

    申请日:2024-01-09

    发明人: 张岚 许明 谈杰 唐豪

    IPC分类号: H01S5/30 H01S5/183

    摘要: 本发明提供一种稀氮激光器芯片及其制备方法。稀氮激光芯片包括:外延层,所述外延层包括依次叠置的:锗衬底结构;底部镜面;稀氮有源层;氧化窗口层;及顶部镜面。锗衬底晶格匹配底部镜面、稀氮有源层以及顶部镜面,可以使得150mmVCSEL晶圆翘曲从超过200um降低至10um,显著提高产品良率。

    一种光电器件及其制备工艺
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116454170A

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202310572708.3

    申请日:2023-05-18

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/0224

    摘要: 本申请公开了一种光电器件及其制备工艺;首先在砷化镓衬底的第一表面上形成光电器件,其次利用碱性溶液处理砷化镓衬底的第二表面,以去除第二表面上的自然氧化层,最后利用蒸镀工艺在第二表面上依次形成包括金属粘接层和金属导电层的金属接触层,金属粘接层的材料为镍或铂,金属粘接层和砷化镓衬底分层设置;本申请通过利用碱性溶液去除砷化镓衬底表面的自然氧化层,并抑制水分子在砷化镓衬底的表面吸附,并采用IPA干燥使得衬底表面无水分子和杂质碳吸附,在常温下利用蒸镀工艺在砷化镓衬底的表面形成金属接触层,以使金属接触层与砷化镓衬底直接实现欧姆电接触,使得晶圆无需经高温退火工艺实现欧姆电接触,提高了晶圆制备的良率。

    光学器件及其制作方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115939930A

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202211546782.X

    申请日:2022-12-05

    IPC分类号: H01S5/042 H01S5/12

    摘要: 本申请公开了一种光学器件及其制作方法;该光学器件中的第一半导体器件包括叠层设置的第一半导体层、第一有源部、第二半导体层、第一隔垫部以及第一电连接部,第二半导体层包括第一突出部和第一凹槽,第一隔垫部设置于第一凹槽内,第一电连接部的两端分别和第一突出部和第一隔垫部连接,第一电连接部、第一隔垫部以及第一半导体层围合成第一空腔;本申请通过在第一电连接部和第二半导体层之间形成第一空腔,减小了与第一空腔对应的第二半导体层的厚度,同时使第一电连接部与和第一空腔对应的第二半导体层非接触设置,增加了第一电连接部和第二半导体层的间距,减小了第一电连接部和第二半导体层之间的寄生电容,提高了半导体器件的灵敏度。

    一种集成光栅和铌酸锂薄膜波导的方法

    公开(公告)号:CN117991448A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202410407840.3

    申请日:2024-04-07

    发明人: 张岚 潘振辉 许明

    摘要: 本申请提供一种集成光栅和铌酸锂薄膜波导的方法,包括如下步骤:在硅基的铌酸锂薄膜晶圆A上光刻和刻蚀光栅;在具有光栅的铌酸锂薄膜层上沉积二氧化硅介质膜并进行化学机械抛光以使表面平坦化并降低表面粗糙度;此晶圆A和已经离子注入的铌酸锂晶圆B合并在高温下同时完成A‑B晶圆键合和铌酸锂薄膜的剥离;在顶层铌酸锂薄膜上形成脊波导;脊波导上沉积二氧化硅介质膜并形成所需电极。本申请可以有效将光栅与铌酸锂薄膜波导集成形成紧凑光电器件,在获得高光栅藕合效率同时可达到低传输损耗,降低制造成本,可应用于多种光电子集成器件的制作。