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公开(公告)号：CN112374474A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011267998.3
申请日：2020-11-13
申请人： 广东先导先进材料股份有限公司
IPC分类号： C01B25/043 , C22B30/04
摘要： 本发明提供了一种致密超高纯材料的制备方法，与现有的红磷/砷生产提纯工艺相比，本发明中的整个转化过程在密闭的石英管内进行，避免环境对产品的影响，通过精确控制高低温区温度，使得高温区非致密的砷/磷颗粒以气态形式迁移至低温区后凝华、成核、生长得出致密的砷或磷，而高沸点杂质元素仍然留在高温区，实现砷/磷的第一步提纯。降温末期，控制致密砷或磷区域温度始终高于其他区域，使低沸点的Cl、S等杂质元素在另一端冷凝，实现砷/磷的第二步提纯。
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公开(公告)号：CN108193275B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201711338597.0
申请日：2017-12-14
申请人： 广东先导先进材料股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种用于合成InP多晶的装料装置及合成InP多晶的方法。用于合成InP多晶的装料装置包括：装料瓶，具有用于盛放红磷料和铟料的且具有封闭端和开口端的收容腔；盖体，能够盖合在装料瓶的开口端上，且设有与收容腔和装料瓶外部连通的排气孔；保护气体提供瓶，用于盛放不与红磷料反应的保护气体，具有出气口；输送管，一端连通于保护气体提供瓶的出气口，另一端穿过盖体并伸进装料瓶的收容腔，以向装料瓶的收容腔输送保护气体。在根据本发明的用于合成InP多晶的装料装置中，有效地避免了红磷料在含有氧气的空气中因摩擦、碰撞而发生自燃的风险并进一步避免红磷料与空气燃烧形成的氧化物对后续形成的InP多晶造成污染。
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公开(公告)号：CN108059484B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201711226461.0
申请日：2017-11-29
申请人： 广东先导先进材料股份有限公司
IPC分类号： C04B41/87
摘要： 本申请提供一种半导体晶体生长用石英坩埚镀氮化硼膜的方法。本申请采用溶胶法在石英坩埚内表面镀氮化硼膜，所述氮化硼膜在较低温度下即可生成，且可以均匀且致密的附着在光滑的石英坩埚内表面，当镀氮化硼膜的石英坩埚用于半导体晶体生长时，可以避免石英中的Si污染晶体。此外本申请所用原料简单易得、无毒无害，制备工艺相对安全。
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公开(公告)号：CN108193275A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711338597.0
申请日：2017-12-14
申请人： 广东先导先进材料股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种用于合成InP多晶的装料装置及合成InP多晶的方法。用于合成InP多晶的装料装置包括：装料瓶，具有用于盛放红磷料和铟料的且具有封闭端和开口端的收容腔；盖体，能够盖合在装料瓶的开口端上，且设有与收容腔和装料瓶外部连通的排气孔；保护气体提供瓶，用于盛放不与红磷料反应的保护气体，具有出气口；输送管，一端连通于保护气体提供瓶的出气口，另一端穿过盖体并伸进装料瓶的收容腔，以向装料瓶的收容腔输送保护气体。在根据本发明的用于合成InP多晶的装料装置中，有效地避免了红磷料在含有氧气的空气中因摩擦、碰撞而发生自燃的风险并进一步避免红磷料与空气燃烧形成的氧化物对后续形成的InP多晶造成污染。
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公开(公告)号：CN108059484A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201711226461.0
申请日：2017-11-29
申请人： 广东先导先进材料股份有限公司
IPC分类号： C04B41/87
摘要： 本申请提供一种半导体晶体生长用石英坩埚镀氮化硼膜的方法。本申请采用溶胶法在石英坩埚内表面镀氮化硼膜，所述氮化硼膜在较低温度下即可生成，且可以均匀且致密的附着在光滑的石英坩埚内表面，当镀氮化硼膜的石英坩埚用于半导体晶体生长时，可以避免石英中的Si污染晶体。此外本申请所用原料简单易得、无毒无害，制备工艺相对安全。
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