公开(公告)号：CN118588782A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410696356.7

申请日：2024-05-31

申请人： 广东先导稀材股份有限公司

发明人： 周子超

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/20 ,  H01L31/18 ,  H01L31/054 ,  H01L31/072

摘要： 提供一种HJT光伏电池及其制备方法。HJT光伏电池包括N型单晶硅片，N型单晶硅片具有作为迎光面的正面和与正面相反的背面；HJT光伏电池还包括从N型单晶硅片的正面起依次的n+扩散层、本征氢化非晶硅氧/非晶硅薄膜、透明导电层、包括主栅线和副栅线的栅线、以及高透过低折射率光学薄膜，其中，透明导电层和副栅线被高透过低折射率光学薄膜覆盖，主栅线未被高透过低折射率光学薄膜且露出于高透过低折射率光学薄膜；HJT光伏电池还包括从N型单晶硅片的背面起依次的本征氢化非晶硅氧/非晶硅薄膜、p掺杂层、透明导电层以及包括主栅线和副栅线的栅线。HJT光伏电池的制备方法用于制备前述的HJT光伏电池。

公开(公告)号：CN118630086A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410770236.7

申请日：2024-06-14

申请人： 广东先导稀材股份有限公司

发明人： 周子超 ,  郭秀婷 ,  李粮任

IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/02 ,  H01L31/20

摘要： 本发明属于太阳电池制备技术领域，公开了一种硅异质结太阳电池及其制备方法，该硅异质结太阳电池，包括基底、在基底正面生长的第一薄膜层和在基底背面生长的第二薄膜层，所述第一薄膜层包括在基底正面依次生长的非晶硅薄膜、掺磷非晶硅薄膜、载流子浓度为3‑10e20cm‑3的第一TCO薄膜、载流子浓度为1‑2e20cm‑3的第二TCO薄膜、载流子浓度为0.5‑1e20cm‑3的第三TCO薄膜。本发明通过基底正面沉积的三层不同载流子浓度的第一TCO薄膜、第二TCO薄膜、第三TCO薄膜组成的TCO薄膜结构，可以有效满足TCO薄膜结构的透光性要求和电学传输性能要求，有效提高硅异质结太阳电池性能。