碲铋基热电材料的制备方法

    公开(公告)号:CN107316935B

    公开(公告)日:2019-11-19

    申请号:CN201710303830.5

    申请日:2017-05-03

    IPC分类号: H01L35/16 H01L35/34 C22F1/00

    摘要: 本发明公开了一种碲铋基热电材料的制备方法,该制备方法先将p型BixSb2‑xTe3‑ySey合金锭进行一次热压,形成一次合金块,其中0.4≤x≤0.52,0≤y≤0.15;再将一次合金块以其长度方向为轴翻转90°放置,进行二次热压,得到碲铋基热电材料。本发明通过将熔炼后的合金锭直接进行两次热压,得到合格的碲铋基热电材料。本发明制备方法简单,生产效率高,得到的产品的电学性能和机械性能明显提高。

    碲铋基晶片的表面处理方法

    公开(公告)号:CN107723767B

    公开(公告)日:2019-04-30

    申请号:CN201710906086.8

    申请日:2017-09-29

    IPC分类号: C25D7/12 C25D3/12

    摘要: 本发明提出一种碲铋基晶片的表面处理方法,采用化学除油后再酸性刻蚀、酸性活化、电解清洗,经过处理以后在晶片表面形成一层粗糙度在5μm以下的腐蚀金属化层,最后直接镀镍,使镀件碲铋基热电材料镀层结合力强、厚度可控且均匀分布,可适用于不同厚度尺寸的晶片,生产成本低,克服了现有技术的不足。