一种基于近场电纺直写技术的光栅尺制造装置及其方法

    公开(公告)号:CN103900480A

    公开(公告)日:2014-07-02

    申请号:CN201410099638.5

    申请日:2014-03-18

    IPC分类号: G01B11/02

    摘要: 本发明是一种基于近场电纺直写技术的光栅尺制造装置及其方法。光栅尺制造装置包括有XY平面运动平台(1)、Z轴运动导轨(2)、纺丝喷针(3)、注射器(4)、注射泵(5)、高压电源(6)、高压电源控制器(7)、注射泵控制器(8)、Z轴运动控制器(9)、XY运动平台控制器(10)、电纺控制器(11)、微电流检测器(12),光栅尺制造装置能够根据想要刻画光栅栅距,自动调节电纺参数。本发明光栅尺制造方法包括以下步骤:16)清洗玻璃片并在玻璃片上镀上一层均匀铬膜;17)通过电纺的方法按照想要刻的光栅排列在镀铬玻璃片上有序电纺直写聚合物覆盖线;18)将玻璃片放入化学溶剂中定形和腐蚀;19)清除电纺覆盖物。本发明用电纺直写的方法取代了传统光栅尺制造中光刻的过程,可以加工制造出精度非常高的光栅尺。

    一种基于近场电纺直写技术的光栅尺制造方法

    公开(公告)号:CN103900480B

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201410099638.5

    申请日:2014-03-18

    IPC分类号: G01B11/02

    摘要: 本发明是一种基于近场电纺直写技术的光栅尺制造装置及其方法。光栅尺制造装置包括有XY平面运动平台(1)、Z轴运动导轨(2)、纺丝喷针(3)、注射器(4)、注射泵(5)、高压电源(6)、高压电源控制器(7)、注射泵控制器(8)、Z轴运动控制器(9)、XY运动平台控制器(10)、电纺控制器(11)、微电流检测器(12),光栅尺制造装置能够根据想要刻画光栅栅距,自动调节电纺参数。本发明光栅尺制造方法包括以下步骤:16)清洗玻璃片并在玻璃片上镀上一层均匀铬膜;17)通过电纺的方法按照想要刻的光栅排列在镀铬玻璃片上有序电纺直写聚合物覆盖线;18)将玻璃片放入化学溶剂中定形和腐蚀;19)清除电纺覆盖物。本发明用电纺直写的方法取代了传统光栅尺制造中光刻的过程,可以加工制造出精度非常高的光栅尺。

    基于阵列喷头电纺直写精度可变磁栅尺及制造装置及方法

    公开(公告)号:CN103900456A

    公开(公告)日:2014-07-02

    申请号:CN201410099644.0

    申请日:2014-03-18

    IPC分类号: G01B7/02

    摘要: 本发明是一种基于阵列喷头电纺直写精度可变磁栅尺及制造装置及方法。基于阵列喷头电纺直写精度可变磁栅尺是通过阵列喷头电纺直写技术先直写规则排列的不导磁聚合物纤维,形成一层不导磁的薄膜作为基板,然后直写规则排列的混有硬磁物质颗粒的聚合物纤维,形成结构规律均匀分布的表面有磁性的薄膜作为磁性尺,在磁性薄膜上用录磁头录制磁波,从而制成磁栅尺。可根据被测精度的要求在安装测量磁栅尺时改变磁栅尺精度。又由于聚合物电纺薄膜具有很强的吸附性,因此电纺直写精度可变磁栅尺可吸附在被测工件上,随被测工件同步膨胀或收缩,对环境的改变有很强的适应性。阵列喷头电纺直写技术可高精度直写多根电纺沉积,在保证生产精度的前提下生产效率高。

    基于阵列喷头电纺直写精度可变磁栅尺及制造装置及方法

    公开(公告)号:CN103900456B

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201410099644.0

    申请日:2014-03-18

    IPC分类号: G01B7/02

    摘要: 本发明是一种基于阵列喷头电纺直写精度可变磁栅尺及制造装置及方法。基于阵列喷头电纺直写精度可变磁栅尺是通过阵列喷头电纺直写技术先直写规则排列的不导磁聚合物纤维,形成一层不导磁的薄膜作为基板,然后直写规则排列的混有硬磁物质颗粒的聚合物纤维,形成结构规律均匀分布的表面有磁性的薄膜作为磁性尺,在磁性薄膜上用录磁头录制磁波,从而制成磁栅尺。可根据被测精度的要求在安装测量磁栅尺时改变磁栅尺精度。又由于聚合物电纺薄膜具有很强的吸附性,因此电纺直写精度可变磁栅尺可吸附在被测工件上,随被测工件同步膨胀或收缩,对环境的改变有很强的适应性。阵列喷头电纺直写技术可高精度直写多根电纺沉积,在保证生产精度的前提下生产效率高。

    微纳级电磁栅尺及其制造装置及制造方法及位移检测系统

    公开(公告)号:CN103900457A

    公开(公告)日:2014-07-02

    申请号:CN201410099777.8

    申请日:2014-03-18

    IPC分类号: G01B7/02 D01D5/00

    摘要: 本发明是一种微纳级电磁栅尺及其制造装置及制造方法及位移检测系统。本发明的微纳级电磁栅尺是基于电感效应的微纳级电磁栅尺,通过电磁传感器利用电磁感应原理将被测非电量(如位移、压力、流量、振动等)转换成线圈自感系数L或互感系数M的变化,再经过测量电路转换为相应电压或电流的变化量输出,从而实现非电量到电量的转换和测量。本发明微纳级电磁栅尺制造方法是基于近场电纺直写技术,设计加工简单易操作,便于大规模制造,得到的栅线平行度好,且刻线均匀。本发明微纳级电磁栅尺的制造装置,是近场电纺直写设备,具有良好的自动控制性能。本发明的位移检测系统,利用钨针作为探头,用脉冲技术进行计数,计数准确,检测精度高。

    针对微纳加工的电纺射流快速稳定控制装置及其控制方法

    公开(公告)号:CN103898618B

    公开(公告)日:2016-04-20

    申请号:CN201410080065.1

    申请日:2014-03-06

    IPC分类号: D01D5/00

    摘要: 本发明是一种针对微纳加工的电纺射流快速稳定控制装置及其控制方法。控制装置包括有精密注射泵(1)、X-Y-Z三轴运动平台(10)、绕Y轴转动平台的固定支架(9)、绕Y轴转动平台(8)、绕X轴转动平台(7)、静电纺丝收集器、微电流检测电路(24)、高压直流电源(16)。本发明确保射流启停的精确控制,保证生产质量。本发明解决现有近场静电纺丝过程中,初始射流不稳定,且难于控制,无法预知射流什么时候进入稳定状态的问题。本发明是一种方便实用的针对微纳加工的微纳加工的电纺射流快速稳定控制装置及其控制方法。

    基于多传感信息融合技术的电纺控制装置及其控制方法

    公开(公告)号:CN103898621A

    公开(公告)日:2014-07-02

    申请号:CN201410099805.6

    申请日:2014-03-18

    IPC分类号: D01D5/00 G05D27/02

    摘要: 本发明是一种基于多传感信息融合技术的电纺控制装置及其控制方法。基于多传感信息融合技术的电纺控制装置,包括有若干传感器、中央处理单元、高压电源,其中若干传感器与注射器接触装配,传感器分别获得湿度信号、温度信号、溶液电导率信号、溶液粘度信号,这些电纺环境参数信号输入给中央处理单元,电纺平台包括有XY平面运动平台及Z轴运动导轨,电压控制器与高压电源连接,高压电源与电纺平台上装设的纺丝喷针连接,流量控制器与电纺平台上装设的注射泵连接,平台控制器与XY平面运动平台连接,距离控制器与Z轴运动导轨连接。本发明的电纺控制装置能全面、准确、可靠地检测电纺环境参数。本发明的控制方法能实现实时控制,实现电纺参数的最优配置。

    针对微纳加工的电纺射流快速稳定控制装置及其控制方法

    公开(公告)号:CN103898618A

    公开(公告)日:2014-07-02

    申请号:CN201410080065.1

    申请日:2014-03-06

    IPC分类号: D01D5/00

    摘要: 本发明是一种针对微纳加工的电纺射流快速稳定控制装置及其控制方法。控制装置包括有精密注射泵(1)、X-Y-Z三轴运动平台(10)、绕Y轴转动平台的固定支架(9)、绕Y轴转动平台(8)、绕X轴转动平台(7)、静电纺丝收集器、微电流检测电路(24)、高压直流电源(16)。本发明确保射流启停的精确控制,保证生产质量。本发明解决现有近场静电纺丝过程中,初始射流不稳定,且难于控制,无法预知射流什么时候进入稳定状态的问题。本发明是一种方便实用的针对微纳加工的微纳加工的电纺射流快速稳定控制装置及其控制方法。

    一种基于石墨烯的电子电路的制作设备及其制作方法

    公开(公告)号:CN103906365B

    公开(公告)日:2017-11-07

    申请号:CN201410080048.8

    申请日:2014-03-06

    IPC分类号: H05K3/10 D01D5/00

    摘要: 本发明是一种基于石墨烯的电子电路的制作设备及其制作方法。包括有精密注射器、微纳米纤维收集板、控制系统、高压直流电源、静电纺丝喷头、微纳米纤维、石墨烯层、基板、X‑Y平台、石墨烯氧化环境装置。基板用于保护电路,石墨烯层沉积在基板上,用于电路的制作材料;近场电纺丝直写工艺用于电路的图案轨迹形成;石墨烯氧化过程用于电路的析出。本发明利用石墨烯带不同带宽而显现的导电性或者半导体性质,可以在石墨烯层上形成导体或者晶体管,把石墨烯作为静电纺丝的接收板,利用近场电纺丝直接工艺可以在石墨烯上进行微纳米纤维图案可控沉积,制作电路轨迹,利用氧化石墨烯的不导电性,可以将没有被微纳米纤维保护的石墨烯氧化掉,从而析出电路。

    微纳级电磁栅尺及其制造装置及制造方法及位移检测系统

    公开(公告)号:CN103900457B

    公开(公告)日:2017-05-03

    申请号:CN201410099777.8

    申请日:2014-03-18

    IPC分类号: G01B7/02 D01D5/00

    摘要: 本发明是一种微纳级电磁栅尺及其制造装置及制造方法及位移检测系统。本发明的微纳级电磁栅尺是基于电感效应的微纳级电磁栅尺,通过电磁传感器利用电磁感应原理将被测非电量(如位移、压力、流量、振动等)转换成线圈自感系数L或互感系数M的变化,再经过测量电路转换为相应电压或电流的变化量输出,从而实现非电量到电量的转换和测量。本发明微纳级电磁栅尺制造方法是基于近场电纺直写技术,设计加工简单易操作,便于大规模制造,得到的栅线平行度好,且刻线均匀。本发明微纳级电磁栅尺的制造装置,是近场电纺直写设备,具有良好的自动控制性能。本发明的位移检测系统,利用钨针作为探头,用脉冲技术进行计数,计数准确,检测精度高。