一种宽带噪声信号发生器及其信号发生方法

    公开(公告)号:CN110850130A

    公开(公告)日:2020-02-28

    申请号:CN201910995270.3

    申请日:2019-10-18

    IPC分类号: G01R1/28 G01S7/40 G01H17/00

    摘要: 本发明公开了一种宽带噪声信号发生器及其信号发生方法,包括超辐射发光二极管、滤波器、光放大器、光衰减器和单行载流子光电探测器,所述辐射发光二极管输出放大自发辐射光信号,放大自发辐射光信号进入所述滤波器进行滤波,所述滤波器输出具有预设波长范围的窄线宽光信号,所述窄线宽光信号输入所述光放大器进行放大后进入所述光衰减器,通过所述光衰减器对其光信号功率进行控制,所述光衰减器输出的光信号进入单行载流子光电探测器并进行光谱和电谱的转换从而输出宽带电噪声信号。本发明的宽带噪声信号发生器结构简单,整体体积小且无需制冷,同时解决了现有的噪声发生器难以满足目前雷达、通信器件等所需的功率大小的问题。

    一种产生频谱平坦的毫米波噪声的系统和方法

    公开(公告)号:CN113644981B

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202110708015.3

    申请日:2021-06-24

    IPC分类号: H04B10/50 H04B10/508

    摘要: 本发明涉及一种产生频谱平坦的毫米波噪声的系统和方法,方法包括以下步骤:第一光发射模块输出光谱呈高斯形状的噪声光信号,并传输至光耦合器;所述第二光发射模块输出光谱呈高斯形状的n束噪声光信号,并传输至光耦合器;第一光发射模块和第二光发射模块产生的噪声光耦合到所述光耦合器中,并将耦合后的光信号传输至光电探测器;光电探测器进行拍频,实现光谱到频谱的映射转换,输出平坦毫米波噪声,利用光噪声信号作为噪声源,相较于电子噪声源,能够在毫米波段产生频谱平坦的噪声。相较于自发辐射噪声,本申请提出利用多束具有高斯型光谱的噪声光源进行拍频产生宽带毫米波噪声,所产生光噪声信号的幅度更大,频谱更加平坦。

    一种产生频谱平坦的毫米波噪声的系统和方法

    公开(公告)号:CN113644981A

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN202110708015.3

    申请日:2021-06-24

    IPC分类号: H04B10/50 H04B10/508

    摘要: 本发明涉及一种产生频谱平坦的毫米波噪声的系统和方法,方法包括以下步骤:第一光发射模块输出光谱呈高斯形状的噪声光信号,并传输至光耦合器;所述第二光发射模块输出光谱呈高斯形状的n束噪声光信号,并传输至光耦合器;第一光发射模块和第二光发射模块产生的噪声光耦合到所述光耦合器中,并将耦合后的光信号传输至光电探测器;光电探测器进行拍频,实现光谱到频谱的映射转换,输出平坦毫米波噪声,利用光噪声信号作为噪声源,相较于电子噪声源,能够在毫米波段产生频谱平坦的噪声。相较于自发辐射噪声,本申请提出利用多束具有高斯型光谱的噪声光源进行拍频产生宽带毫米波噪声,所产生光噪声信号的幅度更大,频谱更加平坦。

    一种宽带可控的光子毫米波噪声信号发生器及其信号发生方法

    公开(公告)号:CN110850129A

    公开(公告)日:2020-02-28

    申请号:CN201910995226.2

    申请日:2019-10-18

    摘要: 本发明公开了一种宽带可控的光子毫米波噪声信号发生器及其信号发生方法,利用高光谱密度混沌激光器作为熵源的光生毫米波噪声,实现大功率、宽带可调控的毫米波噪声的产生,与现有毫米波噪声发生器相比,突破了电子带宽瓶颈,产生的噪声带宽更宽、功率更大、噪声谱更平坦、超噪比大范围可调。可用于解决工作频率上限达325GHz的待测器件的测试需求;同时通过光放大器和光衰减器的组合,可以调控两路混沌光的光功率,从而实现毫米波噪声功率的实时可控输出。本发明解决了现有的噪声发生器均难以满足目前雷达、通信器件等所需的功率大小的问题。

    一种可产生丰富非线性动态特性的混沌半导体激光器

    公开(公告)号:CN115036788A

    公开(公告)日:2022-09-09

    申请号:CN202210566021.4

    申请日:2022-05-20

    IPC分类号: H01S5/12 H01S5/042

    摘要: 本发明属于光电子器件技术领域中的半导体激光器技术领域,公开了一种可产生丰富非线性动态特性的混沌半导体激光器。包括:N电极层,芯片衬底,下波导层,下限制层,有源层,上限制层,上波导层,P接触层和P电极层;所述有源层包括依次排列的DFB区,第一相位区,SOA区,第二相位区,无源波导区;所述第二相位区和无源波导区之间通过干法刻蚀制作有空气间隔隙;所述的P接触层和P电极层上设置有隔离沟,将其隔离成不同的区域,分别对应于所述的DFB区,第一相位区,SOA区和第二相位区;所述的本发明可调控参数多,可以产生丰富非线性动态特性的混沌激光,可提高混沌光保密通信的密钥空间,增强混沌保密通信的安全性。

    一种宽带可控的光子毫米波噪声信号发生器及其信号发生方法

    公开(公告)号:CN110850129B

    公开(公告)日:2021-11-26

    申请号:CN201910995226.2

    申请日:2019-10-18

    摘要: 本发明公开了一种宽带可控的光子毫米波噪声信号发生器及其信号发生方法,利用高光谱密度混沌激光器作为熵源的光生毫米波噪声,实现大功率、宽带可调控的毫米波噪声的产生,与现有毫米波噪声发生器相比,突破了电子带宽瓶颈,产生的噪声带宽更宽、功率更大、噪声谱更平坦、超噪比大范围可调。可用于解决工作频率上限达325GHz的待测器件的测试需求;同时通过光放大器和光衰减器的组合,可以调控两路混沌光的光功率,从而实现毫米波噪声功率的实时可控输出。本发明解决了现有的噪声发生器均难以满足目前雷达、通信器件等所需的功率大小的问题。

    一种光子毫米波噪声雷达

    公开(公告)号:CN110794416B

    公开(公告)日:2023-04-11

    申请号:CN201910996150.5

    申请日:2019-10-18

    摘要: 本发明公开了一种光子毫米波噪声雷达,其中的噪声源使用光子毫米波噪声源,通过两个集成的弱增益耦合分布反馈式半导体激光器,分别产生两路中心频率不同的、高斯型光谱的混沌信号,通过温控将其波长在0.8nm‑2.4nm范围内调谐,通过调节注入参数将其光谱线宽在0.4nm‑0.8nm范围内调谐,两路混沌信号在耦合器中拍频之后经过光子混频器,对应产生F(90GHz‑140GHz)、G(140GHz‑220GHz)、H(220GHz‑325GHz)三个频段的毫米波噪声,实现90GHz‑325GHz波段全覆盖;由混沌光拍频产生宽谱平坦度高的光噪声,经过带宽300GHz以上的高速光电探测器,得到超噪比大于20dB的高频电噪声,提高毫米波噪声雷达的探测距离。

    一种宽带噪声源的产生装置及其信号产生方法

    公开(公告)号:CN110830120A

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201910995234.7

    申请日:2019-10-18

    IPC分类号: H04B10/50

    摘要: 本发明公开了一种宽带噪声源的产生装置及其信号产生方法,通过利用随机激光器作为宽带噪声源,由于其发光原理来自放大的自发辐射,光谱带宽远大于普通激光光源,在保证输出信号的随机类噪声特征的情况下,实现了宽带的信号输出,且输出噪声信号超噪比达到20dB,显著提升噪声发生器的输出带宽和输出功率;设置滤波整形模块对随机激光器输出的光谱进行精确整形,消除光谱中的发射峰,使得转化后的频谱的平坦度不大于±6dB;同时已知最后得到频谱的形状为光谱形状的自卷积,通过对光谱进行滤波,可得到能量分布符合标准高斯分布的光谱,使得最终得到的频谱更加平滑,再配合光放大器和光衰减器,使输出的噪声信号幅度连续可调谐。

    一种具有拓扑鲁棒性的三维人脸识别方法

    公开(公告)号:CN103489011A

    公开(公告)日:2014-01-01

    申请号:CN201310444624.8

    申请日:2013-09-26

    摘要: 本发明公开了一种具有拓扑鲁棒性的三维人脸识别方法,其包括如下步骤:S1对测试样本及三维人脸数据库中的训练集、测试集的三维人脸数据进行预处理;S2对预处理后的三维人脸在度量空间建模(X,dx);S3用离散化Hausdorff距离作为三维人脸外形匹配的相似度准则来计算三维人脸的相似度;S4三维人脸识别结果判定;本发明将欧式距离和测地距离的优势互补,融合成新的几何学意义上的测距——散布距离,反映曲面上两点的平均距离而非仅反映最短路径,具有拓扑鲁棒性,因此可以保持人脸的几何结构特性,彻底解决了因表情变化及拓扑几何结构改变导致识别率降低的问题。

    一种光电导太赫兹光混频芯片及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118610281A

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202410507398.1

    申请日:2024-04-25

    摘要: 本发明涉及一种光电导太赫兹光混频芯片及其制备方法和应用。该光电导太赫兹光混频芯片,包括光电导有源区,所述光电导有源区从下到上包括衬底、半导体层、电极和増透层;所述电极为叉指金属光栅电极。本发明的光电导太赫兹光混频芯片通过激发高阶耦合等离激元效应,最大程度地提高半导体层的入射光吸收效率以及局域场增强效果。同时,场增强效果作用于叉指金属光栅电极,在叉指金属光栅电极下方的电场实现光场增强的效果,这将在叉指金属光栅电极下方产生更高密度的光生载流子,并且载流子在叉指金属光栅电极附近产生直接输运到叉指金属光栅电极,进一步增强载流子的输运。