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公开(公告)号:CN113394023A
公开(公告)日:2021-09-14
申请号:CN202110625764.X
申请日:2021-06-04
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开了一种二维层状异质结Ge‑GeH、光电阳极材料及其制备方法,Ge‑GeH异质结的制备方法包括如下步骤:S1.将锗单质和钙单质按比例混合均匀后煅烧,冷却后得到混合物;锗单质与钙单质的质量比为1:(0.4~0.8);S2.将S1得到的混合物与浓盐酸混合,在真空条件下搅拌反应40~55h,洗涤,超声处理,所得即为二维层状异质结Ge‑GeH。本发明制备得到的二维层状异质结Ge‑GeH具有优异的光电响应性能,可与商业导电碳粉混合用于制备PEC型光电探测系统中的光电阳极材料。
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公开(公告)号:CN112563338B
公开(公告)日:2022-04-19
申请号:CN202011402547.6
申请日:2020-12-04
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种柔性自供电光电探测器,所述柔性自供电光电探测器包括柔性正极、柔性负极、滴涂于柔性正极上的光电材料层、处于柔性正极和柔性负极间的隔膜以及粘附于隔膜上的电解质;所述光电材料层为CoNi‑CoNiO2/N/MXene复合材料。本发明所述柔性自供电光电探测器可将探测到的光信号直接转化为可记录的电信号,且器件可折叠弯曲并实现在复杂环境下的光探测。本发明涉及的光电探测器光响应速度快、灵敏度高,可用于柔性可穿戴电子设备中。
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公开(公告)号:CN113394023B
公开(公告)日:2022-04-22
申请号:CN202110625764.X
申请日:2021-06-04
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开了一种二维层状异质结Ge‑GeH、光电阳极材料及其制备方法,Ge‑GeH异质结的制备方法包括如下步骤:S1.将锗单质和钙单质按比例混合均匀后煅烧,冷却后得到混合物;锗单质与钙单质的质量比为1:(0.4~0.8);S2.将S1得到的混合物与浓盐酸混合,在真空条件下搅拌反应40~55h,洗涤,超声处理,所得即为二维层状异质结Ge‑GeH。本发明制备得到的二维层状异质结Ge‑GeH具有优异的光电响应性能,可与商业导电碳粉混合用于制备PEC型光电探测系统中的光电阳极材料。
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公开(公告)号:CN112563338A
公开(公告)日:2021-03-26
申请号:CN202011402547.6
申请日:2020-12-04
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种柔性自供电光电探测器,所述柔性自供电光电探测器包括柔性正极、柔性负极、滴涂于柔性正极上的光电材料层、处于柔性正极和柔性负极间的隔膜以及粘附于隔膜上的电解质;所述光电材料层为CoNi‑CoNiO2/N/MXene复合材料。本发明所述柔性自供电光电探测器可将探测到的光信号直接转化为可记录的电信号,且器件可折叠弯曲并实现在复杂环境下的光探测。本发明涉及的光电探测器光响应速度快、灵敏度高,可用于柔性可穿戴电子设备中。
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