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公开(公告)号：CN107170884A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710522816.4
申请日：2017-06-30
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： H01L47/00
CPC分类号： H01L47/00 , H01L47/005
摘要： 本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，所述半导体器件包括由下至上依次排列的衬底、底电极、三元氧化物薄膜和顶电极。所述半导体器件将钛酸锶材料(三元氧化物AO(ABO3)n)应用于器件结构中，通过对于半导体器件的测试可以看出这种结构的半导体器件随着两端施加电压的升高，半导体器件内部的电流先增大到一极值点后突然变小最终维持在一个平稳状态，呈现出明显的负微分电阻特性。这种结构的半导体器件结构简单，可以实现电子器件的高度集成，且稳定性较高。
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公开(公告)号：CN102093048B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201010525945.7
申请日：2010-10-28
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： C04B35/472 , C04B35/626
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿铁电纳米管阵列的制备方法，该方法先配制前驱体溶液；用氧化铝模板采用匀胶机旋涂工艺制备纳米管阵列；将上述前驱体溶液滴到氧化铝模板上，采用匀胶机旋涂工艺，适当调节旋转速度和旋转时间，将溶液灌入氧化铝模板的纳米孔径里，从而得到钙钛矿铁电纳米管阵列；本发明在高密度一维铁电存储器、驱动器、微机电系统等领域有广泛的应用前景；该发明中所利用的原材料和设备都比较廉价，所采用的工艺技术简单、方便、周期短。
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公开(公告)号：CN116723759A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310939502.X
申请日：2023-07-28
申请人： 广东工业大学
摘要： 本申请属于存储器件技术领域，尤其涉及一种叠层结构氧化物忆阻器及制备方法和电子计算机；本申请提供的叠层结构氧化物忆阻器包括三明治构型的第一氧化铪/掺杂5w％～10w％铪的氧化锌/第二氧化铪复合薄膜为阻变复合层，掺杂5w％～10w％铪的氧化锌的插入能够增大阻变复合薄膜内的氧空位浓度，促进导电细丝的形成，使忆阻器处于低电阻状态，形成较粗氧空位导电细丝的初始化电压仅为1.2V～1.6V，从而解决现有技术中过渡金属氧化物忆阻器存在的初始化电压较大，导致需要复杂的外围驱动电路的技术问题。
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公开(公告)号：CN107311656B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201710537751.0
申请日：2017-07-04
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： F25B21/00 , C04B35/491 , C04B35/622
摘要： 本发明提供了一种具有巨负电卡效应的反铁电陶瓷材料，所述反铁电陶瓷材料的化学组成为：(Pb1‑3x/2Lax)(Zr0.95Ti0.05)O3；所述x为0.02～0.1；所述反铁电陶瓷材料具有巨负电卡效应。与现有技术相比，本发明提供的反铁电陶瓷材料电卡效应制冷具有制冷系数大、能量转换率较高和易实现集成化的特点。
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公开(公告)号：CN107342229B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201710595501.2
申请日：2017-07-20
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： H01L21/34 , H01L29/24 , H01L29/861
摘要： 本发明公开了一种非晶薄膜器件以及制作方法，所述制作方法包括：提供一基底；在所述基底上形成第一电极结构；在所述第一电极结构背离所述基底的一侧形成非晶薄膜层；在所述非晶薄膜层背离所述第一电极结构的一侧形成第二电极结构；其中，所述第一电极结构与所述第二电极结构相互接触连接。该制作方法工艺简单，且由该制作方法制作而成的非晶薄膜器件单向导电性，具有明显的二极管效应，整流效果良好。
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公开(公告)号：CN107464970A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710703585.7
申请日：2017-08-16
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明提供一种铁电微波滤波器，包括金属腔体、设置在金属腔体内的介质谐振器、复合在腔体内壁上的Bi2NiMnO6薄膜器件以及设置在腔壁上的调谐螺丝；所述Bi2NiMnO6薄膜器件包括依次复合的衬底、底电极、Bi2NiMnO6薄膜和顶电极。本发明采用TE01δ模介质谐振腔滤波器，以Bi2NiMnO6薄膜为滤波器的介电材料，提高了滤波器的介电常数和调谐率，并且由于使用了高介电调谐Bi2NiMnO6薄膜材料，节约了材料用量，使制造成本明显下降。实验结果表明，本申请中的滤波器介电常数为5～18，介电调谐率为70～93％。
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公开(公告)号：CN115915913A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211650698.2
申请日：2022-12-21
申请人： 广东工业大学
摘要： 本申请属于阻变存储器技术领域，尤其涉及双层氧化物阻变存储器及制备方法和计算机硬件、计算机；本申请提供的双层氧化物阻变存储器包括依次叠加的基底、底电极、双层氧化物薄膜以及顶电极，以氧化铪薄膜和氧化镍薄膜为双层氧化物薄膜的双层氧化物阻变存储器开关比较好，最高开关比大于102，高低阻态区分明显，从而解决现有技术中氧化物阻变储存器存在开关比较小的技术问题。
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公开(公告)号：CN108899418B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN201810745219.2
申请日：2018-07-09
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明属于薄膜器件技术领域，尤其涉及一种非晶薄膜器件及其制备方法和应用。本发明非晶薄膜器件包括：基底、第一电极结构、非晶薄膜层和第二电极结构；第一电极结构设置于基底上；非晶薄膜层设置在第一电极结构背离基底的一侧；第二电极结构设置在非晶薄膜层背离第一电极结构的一侧，第一电极结构与第二电极结构相互接触连接；非晶薄膜层为SrFexTi1‑xO3非晶薄膜层，其中，x为0.05～0.5。本发明非晶薄膜器件采用SrFexTi1‑xO3非晶薄膜层，该器件具有明显的整流二极管的导电性，整流特性显著；该器件开关比大于103，电流电压循环测试达到40次时，开关比几乎没有很大变化，具有非易失性存储性；该器件的电流随时间仅有微小的波动，具有良好的稳定性和耐疲劳性。
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公开(公告)号：CN107285767B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201710591305.8
申请日：2017-07-19
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： H01L41/187 , C04B35/491 , C04B35/622 , C04B35/638
摘要： 本发明提供了一种反铁电陶瓷材料、其制备方法及其应用，该反铁电陶瓷材料具有式I所示通式：(Pb0.97La0.02)(Zr0.95Ti0.05)1+yO3；式I中，‑0.05≤y≤0.05。该反铁电陶瓷材料具有式I所示通式，为非均匀非化学计量比的反铁电陶瓷。与现有技术相比，该非化学计量比的反铁电陶瓷材料具有良好的储能特性。实验结果表明：在190～210℃、饱和电场下，储能效率为82.1％～93.1％；在190～210℃温度范围内、饱和电场下，储能密度为0.83～0.98J/cm3；在160℃～220℃温度范围内，强度大于30kV/cm的电场下，发生可逆的反铁电相向铁电相相变。
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