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公开(公告)号：CN102017146B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN200980115281.2
申请日：2009-04-30
申请人： 分子间公司
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/146 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/55 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L29/8615 , H01L45/08 , H01L45/10 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/165 , H01L45/1658 , H01L47/00
摘要： 本发明描述了非易失性阻变存储器，其包括具有第一电极、第二电极、处于第一电极和第二电极之间的金属氧化物的存储器元件。金属氧化物使用体介导转换进行转换，其具有大于4电子伏特(eV)的带隙，具有对于每一百埃的金属氧化物厚度具有至少一伏的用于设置操作的设置电压，以及，对于每二十埃的所述金属氧化物厚度，在0.5伏(V)下测量，具有小于40安每平米厘米(A/cm2)的漏电流密度。
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公开(公告)号：CN102629661A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210021915.1
申请日：2012-01-31
申请人： 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
CPC分类号： H01L47/00 , C23C14/06 , C23C14/0623 , C23C14/3414 , H01L21/06 , H01L27/24 , H01L45/144 , H01L45/1625
摘要： 本发明公开了是有关于以包括硫族化物材料的相变材料为基础的用于存储器装置的制造方法，以及使用于这类装置的用于形成掺杂硫族化物材料的方法。溅射靶材具有硅或另一半导体，或以硅为基础或其它以半导体为基础的添加物的相变材料层，使用包括硅或其它半导体以及相变材料的复合溅射靶材而形成。硅或其它半导体的浓度高于所形成的层中的硅或其它半导体的特定浓度5倍以上。对于在锗锑碲型相变材料中的以硅为基础的添加物，溅射靶材可包括超过40原子百分比的硅。以硅为基础的或其它以半导体为基础的添加物在沉积期间，在溅射腔室可使用复合溅射靶材及例如氧气或氮气的反应性气体气流而形成。
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公开(公告)号：CN102017146A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980115281.2
申请日：2009-04-30
申请人： 分子间公司
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/146 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/55 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L29/8615 , H01L45/08 , H01L45/10 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/165 , H01L45/1658 , H01L47/00
摘要： 描述了非易失性阻变存储器，其包括具有第一电极、第二电极、处于第一电极和第二电极之间的金属氧化物的存储器元件。金属氧化物使用体介导转换进行转换，其具有大于4电子伏特(eV)的带隙，具有对于每一百埃的金属氧化物厚度具有至少一伏的用于设置操作的设置电压，以及，对于每二十埃的所述金属氧化物厚度，在0.5伏(V)下测量，具有小于40安每平米厘米(A/cm2)的漏电流密度。
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公开(公告)号：CN107039587A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710211254.1
申请日：2017-03-31
申请人： 东南大学
IPC分类号： H01L47/00
CPC分类号： H01L47/00 , H01L47/005
摘要： 本发明公开了一种基于黑磷/二硫化铼异质结的负微分电阻及制备方法，包括硅衬底、第一二氧化硅保护层、黑磷薄层和二硫化铼薄层构成的异质结、第二二氧化硅保护层、漏极和源极；硅衬底为栅极。硅衬底上生长第一二氧化硅保护层；在第一二氧化硅保护层上沉积得到黑磷薄层和二硫化铼薄层构成的异质结；在异质结上沉积第二二氧化硅保护层；在第二二氧化硅保护层表面蒸镀一层金属层，刻蚀出漏极和源极。本发明的异质结构成的负微分电阻无需额外掺杂，制备工艺更简单，仅仅通过范德瓦耳斯力就能将两种不同材料的半导体连接形成异质结；同时该负微分电阻表现出很高的峰谷电流比。
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公开(公告)号：CN103380503A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201280009379.1
申请日：2012-02-17
申请人： 阿联酋大学
CPC分类号： H01L51/0067 , B82Y10/00 , G11C13/0016 , G11C13/02 , H01L21/00 , H01L29/08 , H01L29/201 , H01L47/00 , H01L51/0048 , H01L51/005 , H01L51/0591
摘要： 公开了一种由绝缘聚合物和离子液体形成的半导体聚合物。在至少一个实施方式中，这种半导体聚合物可以由两种或更多种绝缘聚合物和两种或更多种离子液体的均匀掺合物形成。非导电性聚合物和离子液体的均匀混合物可以形成为具有可控厚度的半导体聚合物薄膜。这种半导体聚合物可以在众多不同的应用中使用，包括但不限于存储装置。
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公开(公告)号：CN100563009C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200580015902.1
申请日：2005-05-19
申请人： 株式会社瑞萨科技
CPC分类号： H01L47/00 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种半导体器件。例如，与位线(BL)平行地配置多个扩散层(L)，在扩散层(L)之间与位线(BL)交替地配置栅极(G)，对在位线(BL)方向排列的多个扩散层(L)，按照每个扩散层(L)交叉地配置位线接触件(BC)和源极节点接触件(SC)，在源极节点接触件(SC)上设置相变元件，从而由2个存储单元晶体管(Q1、Q2)和1个相变元件构成1个存储单元(MC)。另外，相变元件也能够不设置在源极节点接触件(SC)上而设置在位线接触件(BC)上。由此，例如能够实现存储单元晶体管的驱动能力的提高和面积的减小等。
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公开(公告)号：CN103380503B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201280009379.1
申请日：2012-02-17
申请人： 阿联酋大学
CPC分类号： H01L51/0067 , B82Y10/00 , G11C13/0016 , G11C13/02 , H01L21/00 , H01L29/08 , H01L29/201 , H01L47/00 , H01L51/0048 , H01L51/005 , H01L51/0591
摘要： 公开了一种由绝缘聚合物和离子液体形成的半导体聚合物。在至少一个实施方式中，这种半导体聚合物可以由两种或更多种绝缘聚合物和两种或更多种离子液体的均匀掺合物形成。非导电性聚合物和离子液体的均匀混合物可以形成为具有可控厚度的半导体聚合物薄膜。这种半导体聚合物可以在众多不同的应用中使用，包括但不限于存储装置。
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公开(公告)号：CN104396013A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201280074223.1
申请日：2012-07-27
发明人： 马修·D·皮克特
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L27/11 , H01L21/8246
CPC分类号： G11C11/39 , G11C11/40 , G11C13/0002 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0045 , G11C2213/79 , G11C2213/82 , H01L27/1052 , H01L27/2436 , H01L27/26 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L47/00
摘要： 一种存储器单元包括：晶体管，具有第一源极/漏极端子，所述第一源极/漏极端子利用半导体材料与第二源极/漏极端子分隔开；栅极端子，被放置在所述半导体材料附近使得栅极端子电压的增加会增加所述半导体材料的导电率；并且所述第一源极/漏极端子串联连接到负微分电阻材料。
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公开(公告)号：CN102629661B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201210021915.1
申请日：2012-01-31
申请人： 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
CPC分类号： H01L47/00 , C23C14/06 , C23C14/0623 , C23C14/3414 , H01L21/06 , H01L27/24 , H01L45/144 , H01L45/1625
摘要： 本发明公开了是有关于以包括硫族化物材料的相变材料为基础的用于存储器装置的制造方法，以及使用于这类装置的用于形成掺杂硫族化物材料的方法。溅射靶材具有硅或另一半导体，或以硅为基础或其它以半导体为基础的添加物的相变材料层，使用包括硅或其它半导体以及相变材料的复合溅射靶材而形成。硅或其它半导体的浓度高于所形成的层中的硅或其它半导体的特定浓度5倍以上。对于在锗锑碲型相变材料中的以硅为基础的添加物，溅射靶材可包括超过40原子百分比的硅。以硅为基础的或其它以半导体为基础的添加物在沉积期间，在溅射腔室可使用复合溅射靶材及例如氧气或氮气的反应性气体气流而形成。
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公开(公告)号：CN102254570B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201110078356.3
申请日：2005-05-19
申请人： 瑞萨电子株式会社
CPC分类号： H01L47/00 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种半导体器件。例如，与位线(BL)平行地配置多个扩散层(L)，在扩散层(L)之间与位线(BL)交替地配置栅极(G)，对在位线(BL)方向排列的多个扩散层(L)，按照每个扩散层(L)交叉地配置位线接触件(BC)和源极节点接触件(SC)，在源极节点接触件(SC)上设置相变元件，从而由2个存储单元晶体管(Q1、Q2)和1个相变元件构成1个存储单元(MC)。另外，相变元件也能够不设置在源极节点接触件(SC)上而设置在位线接触件(BC)上。由此，例如能够实现存储单元晶体管的驱动能力的提高和面积的减小等。
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