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公开(公告)号：CN114353528A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210037183.9
申请日：2022-01-13
申请人： 广东工业大学 , 广东风华高新科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种多级压力快速烧结炉及其使用工艺，涉及冶金技术及芯片封装互连技术领域。本发明的的多级压力快速烧结炉摒弃了传统烧结炉使用抽气装置抽除炉内空气，创新性地提出了通过液压系统直接往烧结炉内通液压油的方式排除烧结炉内空气的方法，通过使用液体(液压油)作为力传导介质不仅可以使样品承受稳定压力，避免加压过程中样品烧结层的破坏，且液体的导热率远远大于气体，能实现炉内快速升温，且本发明的多级压力快速烧结炉可灵活放置多个工作台，能够实现同时对多个样品进行烧结，并且通过节流阀，能使多个液压腔的压力从上至下依次递减，从而实现了对不同压力需求的多样品进行多级压力快速烧结。
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公开(公告)号：CN114353528B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202210037183.9
申请日：2022-01-13
申请人： 广东工业大学 , 广东风华高新科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种多级压力快速烧结炉及其使用工艺，涉及冶金技术及芯片封装互连技术领域。本发明的的多级压力快速烧结炉摒弃了传统烧结炉使用抽气装置抽除炉内空气，创新性地提出了通过液压系统直接往烧结炉内通液压油的方式排除烧结炉内空气的方法，通过使用液体(液压油)作为力传导介质不仅可以使样品承受稳定压力，避免加压过程中样品烧结层的破坏，且液体的导热率远远大于气体，能实现炉内快速升温，且本发明的多级压力快速烧结炉可灵活放置多个工作台，能够实现同时对多个样品进行烧结，并且通过节流阀，能使多个液压腔的压力从上至下依次递减，从而实现了对不同压力需求的多样品进行多级压力快速烧结。
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公开(公告)号：CN115714092A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211440125.7
申请日：2022-11-17
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： H01L21/603
摘要： 本发明公开了一种芯片烧结方法，以烧结炉对芯片进行烧结，该方法包括以下步骤：将工件放置于夹具，将夹具固定于下工作台的顶面；向炉体内通入保护气体和调整烧炉体内的真空度；使下工作台内的磁场产生装置产生磁场，由磁性材料制成的上工作台在磁场作用下向下工作台移动，并对下工作台上的工件加压；缠绕在炉体的电磁加热线圈对炉体进行加热，使炉体内部升温，对工件进行烧结；烧结完成后，使炉体内泄压，取出工件，即得到烧结后的芯片。基于电磁加热的升温速度快、电磁驱动的下压速度控制更精准的特点，使得芯片烧结加工速度快和加工更精准，有效地减少加压过程对样品的伤害，同时实现控制保压时间，实现程序化加压和减压。
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公开(公告)号：CN113270341B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202110425226.6
申请日：2021-04-20
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , H01L33/48
摘要： 本发明涉及半导体加工的技术领域，更具体地，涉及一种基于滚筒的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法，包括以下步骤：S10.选择柔性拉伸膜，将芯片转移到临时键合胶层；S20.分别沿X方向及Y方向拉伸柔性拉伸膜，直至X方向及Y方向上芯片间距扩张至设定值；S30.激光照射临时键合胶层，芯片脱离临时键合胶层并转移至承载基板，完成单种类型芯片的巨量转移；S40.重复步骤S10～S30，依次完成多种类型芯片的巨量转移；步骤S20中，X方向、Y方向至少一个方向上，控制第一滚筒与第二滚筒之间的转速比或控制第一滚筒与第二滚筒之间的距离实现柔性拉伸膜的拉伸扩张。本发明柔性拉伸膜各处可均匀拉伸，芯片间距可均匀扩张，从而可有效提高芯片转移的准确率。
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公开(公告)号：CN113270341A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110425226.6
申请日：2021-04-20
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , H01L33/48
摘要： 本发明涉及半导体加工的技术领域，更具体地，涉及一种基于滚筒的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法，包括以下步骤：S10.选择柔性拉伸膜，将芯片转移到临时键合胶层；S20.分别沿X方向及Y方向拉伸柔性拉伸膜，直至X方向及Y方向上芯片间距扩张至设定值；S30.激光照射临时键合胶层，芯片脱离临时键合胶层并转移至承载基板，完成单种类型芯片的巨量转移；S40.重复步骤S10～S30，依次完成多种类型芯片的巨量转移；步骤S20中，X方向、Y方向至少一个方向上，控制第一滚筒与第二滚筒之间的转速比或控制第一滚筒与第二滚筒之间的距离实现柔性拉伸膜的拉伸扩张。本发明柔性拉伸膜各处可均匀拉伸，芯片间距可均匀扩张，从而可有效提高芯片转移的准确率。
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公开(公告)号：CN113972025B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202111255439.5
申请日：2021-10-27
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明涉及电子封装互连材料领域，特别是一种多尺寸微纳混合银膏的制备工艺。所述制备工艺包括：将银源加入含醇混合溶剂中溶解；得到初始溶液；向所述初始溶液中加入分散剂和还原剂，反应得到混合银胶体；通过浓缩操作，得到多尺寸微纳混合银膏体。所述制备工艺通过银源的微溶性来调节所生成银颗粒的粒径，通过控制超声的功率及银源与分散剂的比例，影响颗粒的分散性；通过使用清洁的银源、还原剂和分散剂，使得银膏烧结后不会留下离子杂质和高分子有机物；通过控制混合溶剂的组份，来控制银源的溶解性及控制烧结过程中溶解挥发的速率；通过“一锅法”制备混合尺寸的微纳银材料，在经过浓缩一步即可得到原位混合膏体，并可立即用于互连的工艺。
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公开(公告)号：CN113385857A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110661846.X
申请日：2021-06-15
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明公开了一种多尺寸微纳米金属颗粒焊膏原位互连工艺及其产品，一种多尺寸微纳米金属颗粒焊膏原位互连工艺，包括以下步骤：(a)将铜盐溶解于溶剂中，在溶剂中加入还原剂和微米金属颗粒，搅拌反应后得到多尺寸微纳米金属颗粒分散液；(b)将所述步骤(a)制得的所述多尺寸微纳米金属颗粒分散液进行浓缩。所述多尺寸微纳米金属颗粒焊膏原位互连工艺，实现了金属焊膏更方便、快捷、高效的制备，工艺简单，存储及应用方便，所述的多尺寸微纳米金属颗粒焊膏原位互连工艺制备得到的多尺寸微纳米金属颗粒焊膏，焊膏中的纳米铜颗粒的氧化程度低，能够有效提高烧结体的致密度，增强剪切强度和导电率。
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公开(公告)号：CN113972025A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111255439.5
申请日：2021-10-27
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明涉及电子封装互连材料领域，特别是一种多尺寸微纳混合银膏的制备工艺。所述制备工艺包括：将银源加入含醇混合溶剂中溶解；得到初始溶液；向所述初始溶液中加入分散剂和还原剂，反应得到混合银胶体；通过浓缩操作，得到多尺寸微纳混合银膏体。所述制备工艺通过银源的微溶性来调节所生成银颗粒的粒径，通过控制超声的功率及银源与分散剂的比例，影响颗粒的分散性；通过使用清洁的银源、还原剂和分散剂，使得银膏烧结后不会留下离子杂质和高分子有机物；通过控制混合溶剂的组份，来控制银源的溶解性及控制烧结过程中溶解挥发的速率；通过“一锅法”制备混合尺寸的微纳银材料，在经过浓缩一步即可得到原位混合膏体，并可立即用于互连的工艺。
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公开(公告)号：CN219551207U
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202223057605.3
申请日：2022-11-17
申请人： 广东工业大学
摘要： 本实用新型公开了一种磁力加压加热快速烧结炉，包括炉体、上工作台和下工作台，上工作台和下工作台均位于炉体内，炉体缠绕有电磁加热线圈；上工作台可上下移动的安装于炉体的顶壁，下工作台安装于炉体的底壁，上工作台位于下工作台的正上方；下工作台内安装有磁场产生装置，磁场产生装置用于产生磁场；上工作台的材料为磁性材料，上工作台在磁场作用下朝向下工作台移动，并对下工作台上的工件加压。烧结炉利用电磁感应原理直接加热炉内壁，不仅能使炉内快速升温，精确控制炉内温度，提高能源利用率；同时利用电磁加压，因其磁力控制精度高，能够控制加压速度，有效地减少加压过程对样品的伤害，同时实现控制保压时间，实现程序化加压和减压。
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