低热阻的双面金属散热TO247结构及制备方法

    公开(公告)号:CN117855165A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202410262936.5

    申请日:2024-03-08

    摘要: 本发明提供了低热阻的双面金属散热TO247结构及制备方法,涉及芯片封装技术领域,包括金属框架、芯片、导热组件及塑封体,金属框架包括载片台及多个引脚,载片台表面设置芯片,载片台远离芯片一侧设置为第一金属外露面,导热组件包括金属块及铜夹,金属块设置在芯片远离金属框架一侧,金属块远离芯片一侧设置铜夹,塑封体将芯片、载片台、金属块及铜夹包裹,铜夹远离金属块一侧设置为第二金属外露面。本发明中,芯片产生的热量能够通过金属块传递至铜夹,并由铜夹的第二金属外露面将热量导出,铜夹的第二金属外露面与第一金属外露面共同散热,从而减小了TO247结构的封装热阻,提高了热量传递效率。

    高密度大矩阵SOT89封装结构的制备方法

    公开(公告)号:CN117012656A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202311210769.1

    申请日:2023-09-20

    摘要: 本发明提供了一种高密度大矩阵SOT89封装结构的制备方法,涉及芯片封装技术领域,基板包括有散热片、第一引脚和第二引脚,散热片下侧设有第一引脚,第一引脚左右两侧设置有第二引脚,基板上设置有塑封体,塑封体上侧设置有第一框架,第一框架设置在散热片上,塑封体下侧设置有第二框架,第二框架与第一引脚和第二引脚左右两侧贴合。本发明通过设置第一框架和第二框架,在塑封时会阻挡塑封料流动至管脚端处,塑封后管脚间废胶尺寸缩小,改善后缩小了废胶尺寸,减少了塑封脱模后模具通过废胶传导到框架的力,减少了塑封脱模导致产品塑封体拉裂的风险。

    高密度脚插脚TO247封装引线框架及其制作方法

    公开(公告)号:CN115172320A

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN202211092058.4

    申请日:2022-09-08

    IPC分类号: H01L23/495 H01L21/48

    摘要: 本发明涉及TO247封装引线框架及制作工艺技术领域,特别涉及一种高密度脚插脚TO247封装引线框架及其制作方法,封装引线框架包括多个引线框架单体,多个引线框架单体分为多组;各组的引线框架单体排列成双排,不同排的引线框架单体一一对应地成对且管脚相互穿插设置,各对引线框架单体的管脚间隔第一距离;纵向排列相邻组的引线框架单体的管脚间隔第二距离,定位孔设置于纵向排列的相邻组的引线框架单体管脚间隔处,第二距离满足定位孔的直径不小于1.6mm的要求。制作方法包括采用冲压工艺制作成前述设置有夹持板的高密度脚插脚TO247封装引线框架;通过夹具固定夹持板,进行全自动镀银处理。本发明可最大限度的利用框架材料,大大提高了铜材利用率。

    一种控制半导体封装过程中粘接剂稳定性的工艺方法

    公开(公告)号:CN114203567B

    公开(公告)日:2022-08-16

    申请号:CN202111402729.8

    申请日:2021-11-24

    IPC分类号: H01L21/60 H01L21/67 H01L21/48

    摘要: 本发明公开了一种控制半导体封装过程中粘接剂稳定性的工艺方法,包括:S100、根据芯片的尺寸在铜基板的表面制作凹槽的形成区域;S200、根据凹槽的预设深度,对凹槽的形成区域进行蚀刻,形成凹槽;S300、在形成的凹槽的一侧点涂粘接剂,并通过刮胶装置将粘接剂平铺在凹槽内,形成粘接剂层。通过在铜基板上形成固定形状和深度的凹槽,来控制粘接剂层的厚度,通过刮胶装置完成对粘接剂的刮涂工作,可以得到厚度稳定的粘接剂层,通过该工艺下加工的粘接剂层的厚度便于控制,且使得粘接剂的厚度具有较好的均匀性和一致性。

    一种引线框架连筋结构
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114203663A

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN202111406544.4

    申请日:2021-11-24

    IPC分类号: H01L23/495

    摘要: 本发明公开了一种引线框架连筋结构,包括:内框和外框;芯片固定在所述内框内,所述内框和所述外框之间设置有连筋,所述内框的外壁通过所述连筋与所述外框的内壁连接,所述外框的外壁与半导体封壳连接。芯片封装的过程中产生的应力可以经由连筋传递给外框,并经由外框挤压半导体封壳的内壁,进而增加外框和半导体封壳的连接牢固性,因为具有连筋使得内框在材质选择上可以优先挑选具有较大弹性系数的材料,从而避免在封装芯片的过程中,内框对芯片作用力过大导致材料翘曲或者避免元件的内部出现分层,导致加工困难良品率下降的情况出现,同时也避免了内框在选择材料时刚性过大而弹性过小导致框架报废,需要重新开模的情况。

    低热阻的双面金属散热TO247结构及制备方法

    公开(公告)号:CN117855165B

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202410262936.5

    申请日:2024-03-08

    摘要: 本发明提供了低热阻的双面金属散热TO247结构及制备方法,涉及芯片封装技术领域,包括金属框架、芯片、导热组件及塑封体,金属框架包括载片台及多个引脚,载片台表面设置芯片,载片台远离芯片一侧设置为第一金属外露面,导热组件包括金属块及铜夹,金属块设置在芯片远离金属框架一侧,金属块远离芯片一侧设置铜夹,塑封体将芯片、载片台、金属块及铜夹包裹,铜夹远离金属块一侧设置为第二金属外露面。本发明中,芯片产生的热量能够通过金属块传递至铜夹,并由铜夹的第二金属外露面将热量导出,铜夹的第二金属外露面与第一金属外露面共同散热,从而减小了TO247结构的封装热阻,提高了热量传递效率。

    一种高密度双间距SOT89框架
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118016626A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202410297653.4

    申请日:2024-03-15

    IPC分类号: H01L23/495

    摘要: 本发明提供了一种高密度双间距SOT89框架,其包括长方形引线框架和阵列排列于所述引线框架上的多个引线框单元,每一个引线框单元都包括一个基岛、设置于所述基岛一侧的散热块、设置于所述散热块同侧的第一外引脚和设置于所述散热块对侧的第二外引脚,每一行的引线框单元的第一外引脚都与其相邻行的引线框单元的第一外引脚相对设置且通过第一横向连接筋相连接,每一行的引线框单元的第二外引脚都与其相邻行的引线框单元的第二外引脚相对设置且通过第二横向连接筋相连接,所述第二外引脚相对的两行引线框单元的中心点之间的距离大于所述第一外引脚相对的两行引线框单元的中心点之间的距离。采用发明的技术方案,可以提高引线框单元的排列密度。

    QFN冲压框架、冲压模具及制备方法

    公开(公告)号:CN115295520B

    公开(公告)日:2023-01-10

    申请号:CN202211230732.0

    申请日:2022-10-10

    摘要: 本发明涉及半导体封装技术领域,提供了一种QFN冲压框架、冲压模具及制备方法,QFN冲压框架包括框架单元,框架单元包括基岛、引脚和边框,边框呈方形,基岛和引脚位于边框内侧;基岛呈方形且四角分别通过拉杆与边框的四角连接;引脚为多个,引脚沿边框间隔布置且由边框向内延伸至距离基岛第一设定距离,引脚和拉杆都具有冲压折弯,使得引脚和拉杆的冲压平面都与基岛平面存在设定高差。冲压模具包括底模和冲切模,底模用于支撑QFN冲压框架,冲切模用于对铜带冲压制作QFN冲压框架;方法包括对清洁后下料的铜带,采用前述冲压模具进行冲压加工制作出QFN冲压框架。本发明的QFN引线框架可采用冲压加工,提高工效率,降低了材料和人工成本。

    一种引线框架连筋结构
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114203663B

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202111406544.4

    申请日:2021-11-24

    IPC分类号: H01L23/495

    摘要: 本发明公开了一种引线框架连筋结构,包括:内框和外框;芯片固定在所述内框内,所述内框和所述外框之间设置有连筋,所述内框的外壁通过所述连筋与所述外框的内壁连接,所述外框的外壁与半导体封壳连接。芯片封装的过程中产生的应力可以经由连筋传递给外框,并经由外框挤压半导体封壳的内壁,进而增加外框和半导体封壳的连接牢固性,因为具有连筋使得内框在材质选择上可以优先挑选具有较大弹性系数的材料,从而避免在封装芯片的过程中,内框对芯片作用力过大导致材料翘曲或者避免元件的内部出现分层,导致加工困难良品率下降的情况出现,同时也避免了内框在选择材料时刚性过大而弹性过小导致框架报废,需要重新开模的情况。