一种频段混合式功率放大器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117749113A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202311658682.0

    申请日:2023-12-06

    IPC分类号: H03F3/20 H03K7/08

    摘要: 本发明公开了一种频段混合式功率放大器,包括:逆变型数字、谐振型数字和甲乙类功率放大器;逆变型数字功率放大器包括第一PWM整流器、LCL逆变器和第一隔离变压器;谐振型数字功率放大器包括第二PWM整流器、LC谐振逆变器和第二隔离变压器;甲乙类功率放大器包括第三PWM整流器、甲乙类模拟功率放大器和第三隔离变压器;第一隔离变压器、第二隔离变压器和第三隔离变压器依次串联;获取在环仿真系统的第一输出波形的第一低频段波形、第一中频段波形和第一高频段波形;将第一低频段波形输入逆变型数字功率放大器,将第一中频段波形输入谐振型数字功率放大器,将第一高频段波形输入所述甲乙类功率放大器,以输出第二输出波形。

    一种双有源桥变换器频域稳态建模方法及装置

    公开(公告)号:CN116680897A

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN202310638600.X

    申请日:2023-05-31

    IPC分类号: G06F30/20 H02J3/24 G06F17/11

    摘要: 本发明公开了一种双有源桥变换器频域稳态建模方法及装置,包括:对目标双有源桥变换器进行过渡状态分析,并构建等效电路,从而构建电压波形的频域模型;获取并将目标双有源桥变换器的建模参数输入至频域模型中,得到理想频域电压向量及其对应的电流向量;对目标双有源桥变换器的各过渡状态进行建模,从而提取每个开关过渡状态的频域RTFT电压向量;对等效电路、频域模型及其理想频域电压向量进行修正,重构电流波形;当电流向量和电流波形之间的相对变化误差小于预设百分比,则输出修正后的频域模型,从而完成双有源桥变换器频域稳态建模。本发明解决现有技术中功率传递、电感电流有效值和零电压开关性能的不准确的技术问题。

    一种储能单元功率分配方法及系统

    公开(公告)号:CN116231706A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310036694.3

    申请日:2023-01-10

    IPC分类号: H02J3/32

    摘要: 本发明公开了一种储能单元功率分配方法及系统,包括:依次获取储能电站的各储能单元对应的电池特性;根据电池特性,计算各储能单元的充电能力和放电能力;根据总功率判断各储能单元的状态,若各储能单元的状态为充电状态,则计算各储能单元的充电能力,并建立充电功率损耗优化模型;迭代求解充电功率损耗优化模型,直到各储能单元的充电功率分配因子满足各自对应的充电功率约束条件和总充电功率分配权重约束条件,停止迭代,输出各储能单元的第一充电功率分配因子;根据第一充电功率分配因子,依次更新各储能单元的第一荷电状态,并为各储能单元进行充电功率分配。本发明能够降低储能系统的功率损耗,延长储能电池寿命,提高储能单元性能。

    MMC子模块压接式IGBT器件动态特性原位检测电路和方法

    公开(公告)号:CN115877255A

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202211371504.5

    申请日:2022-11-03

    IPC分类号: G01R31/42 G01R31/26

    摘要: 本发明公开了MMC子模块压接式IGBT器件动态特性原位检测电路和方法。该检测电路包括一个直流电源、一个IGBT全桥模块和一个电感,所述IGBT全桥模块包括第一IGBT器件、第二IGBT器件、第三IGBT器件和第四IGBT器件;所述直流电源接于所述第一IGBT器件集电极和第三IGBT器件发射极的两端;所述电感接于所述第二IGBT器件发射极的引出端;所述第三IGBT器件发射极接于MMC子模块的第六IGBT器件发射极,所述第二IGBT器件通过所述电感接于所述MMC子模块的第五IGBT器件发射极,所述MMC子模块包括第三IGBT半桥电路和与所述第三IGBT半桥电路并联连接的电容,所述第三IGBT半桥电路由第五IGBT器件和第六IGBT器件串联得到。本发明技术方案实现了在不破坏MMC子模块封装的条件下,对所述MMC子模块进行多脉冲测试。

    一种非对称配置的焊接式半桥模块

    公开(公告)号:CN115513202A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202211244020.4

    申请日:2022-10-11

    IPC分类号: H01L27/06 H01L23/498

    摘要: 本发明提供了一种非对称配置的焊接式半桥模块,其用于第一非对称电流工况下,在第一非对称电流工况中,流过上桥臂的FRD模块的电流大于流过上桥臂的IGBT模块的电流;其上桥臂包括IGBT模块和FRD模块,IGBT模块包括若干个并联连接的IGBT芯片,FRD模块包括若干个并联连接的FRD芯片;其中,FRD芯片的数量大于IGBT芯片的数量;其下桥臂包括若干个并联连接的RC‑IGBT芯片;其中,RC‑IGBT芯片是由IGBT和续流二极管进行内部集成的芯片。本发明根据不同的非对称电流工况,在综合考虑芯片结温和芯片面积利用率的情况下,配置得到应用于非对称电流工况下的焊接式半桥模块,从而最大程度达到降低芯片结温,增大芯片面积利用率的目的,进而提高了焊接式半桥子模块的可靠性和稳定性。